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    一种在晶圆上精确定位晶向的方法及其结构
    121.
    发明公开
    一种在晶圆上精确定位晶向的方法及其结构 失效

    公开(公告)号：CN102782803A

    公开(公告)日：2012-11-14

    申请号：CN201180004936.6

    申请日：2011-01-06

    Applicant: 聚日(苏州)科技有限公司

    Inventor： 朱慧珑 ,  骆志炯

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N23/207 ,  G01N2223/6116

    Abstract: 一种用于在晶圆上确定晶向的方法及其结构，该方法包括：a）提供半导体晶圆，在晶圆表面形成掩膜，对晶圆上的掩膜层图形化，刻蚀所述掩膜层，形成两个相反的同心圆弧组或者形成一个同心圆弧组以及该同心圆弧组的共同圆心，每个圆弧组包括至少两条同心圆弧，在每条同心圆弧上形成多个露出晶圆表面的圆形开口，其中各圆形开口之间相互交错排列；b）各向异性腐蚀晶圆，在圆形开口下腐蚀出六边形凹坑；c）根据相邻六边形凹坑对顶角之间的相对位置关系确定晶向。

    用于X射线散射的X射线衍射装置
    123.
    发明公开
    用于X射线散射的X射线衍射装置 有权

    公开(公告)号：CN101256160A

    公开(公告)日：2008-09-03

    申请号：CN200810095161.8

    申请日：2008-01-17

    Applicant: 帕纳科有限公司

    Inventor： V·科根

    IPC: G01N23/207

    CPC classification number: G01N23/20025 ,  G01N23/201 ,  G01N23/207

    Abstract: 本发明公开了一种包括壳体(14)的X射线散射腔室(12)，其可安装在位于X射线源(2)与X射线检测器(4)之间的X射线衍射装置中，例如安装在测角器臂(6)上。该壳体(14)包括样品架(16)和射线束调节光学器件(22、24)，而且该系统还使用壳体外部的初级光学器件(10)。该装置适用于SAXS和/或SAXS－WAXS。

    应用X射线的成套测试设备
    125.
    发明授权
    应用X射线的成套测试设备 失效

    公开(公告)号：CN1230674C

    公开(公告)日：2005-12-07

    申请号：CN00819946.9

    申请日：2000-08-07

    Applicant: 姆拉丁·阿布比奇罗维奇·库马科夫

    Inventor： 姆拉丁·阿布比奇罗维奇·库马科夫

    IPC: G01N23/207 ,  G21K1/06

    CPC classification number: G01N23/207 ,  G21K1/06

    Abstract: 用于在多个分析仪器上同时用X射线进行研究的成套测试设备，它包括一发散的X射线源(1)、用于将射线传输至各分析仪器(5)的各光路装置、以及各分析仪器的各装置，可供进行光谱、衍射和其他研究、物体内部结构成像、X射线曝光，等等。发散的X射线在作为一组弯曲光路的X射线“半”镜头(2)的各光路内被光路壁多次全外反射而被转变成传输至分析仪器(5)的准平行射线束(4)，每一“半”镜头截获X射线源(1)的一部分发散射线(3)。本发明的成套测试设备可包括X射线“全”镜头(6)，用于将射线聚焦在位于分析仪器(8)之一的输入部分的焦点区域(22)。

    用于衍射分析的衍射仪及方法
    126.
    发明公开
    用于衍射分析的衍射仪及方法 失效

    公开(公告)号：CN1620602A

    公开(公告)日：2005-05-25

    申请号：CN03802523.X

    申请日：2003-01-21

    Applicant: XRD-工具有限公司

    Inventor： G·贝尔蒂

    IPC: G01N23/20 ,  G01N23/207

    CPC classification number: G01N23/207 ,  G01N23/20

    Abstract: 用于利用两个欧拉架即主欧拉架和副欧拉架进行衍射分析的衍射仪和方法。该主欧拉架支承一发出发射束并具有瞄准轴线的发射源和一个具有接收轴线的发射束检测器，所述瞄准轴线和接收轴线会聚于衍射仪中心，该中心相对于该主欧拉架固定。该发射源和检测器适于沿该主欧拉架移动。该副欧拉架支承该主欧拉架并被设置成使该主欧拉架转动。

    分析材料成份的方法和装置
    127.
    发明授权
    分析材料成份的方法和装置 失效

    公开(公告)号：CN1187604C

    公开(公告)日：2005-02-02

    申请号：CN00807666.9

    申请日：2000-03-15

    Applicant: 秦内蒂克有限公司

    Inventor： D·J·瓦利斯 ,  A·M·凯尔 ,  M·T·埃梅尼

    IPC: G01N23/20 ,  G01N23/207

    CPC classification number: G01N23/207

    Abstract: 本发明公开了一种分析半导体材料的成份的方法，包括用能量源的能量辐射半导体材料，能量从该半导体材料衍射，检测衍射能量的一部分或多部分，并分析每个检测到的部分以获得一个表示每部分强度的参数，并利用对衍射能量部分的位置和/或强度的了解来确定半导体的化学成份。检测到的每部分衍射能量可以是从材料衍射的准禁止反射，可以是从材料衍射的(002)反射或(006)反射。对每部分衍射能量的检测可以在一个或多个检测角(9)处进行，或者在衍射能量源的所有反射/透射的角处进行，或在一个或多个角度的范围内进行。能量源可包括x射线管产生的x射线，可以用一个或多个检测器(4)检测衍射能量的每部分。

    X射线衍射应力测定法
    128.
    发明公开
    X射线衍射应力测定法 无效

    公开(公告)号：CN1487285A

    公开(公告)日：2004-04-07

    申请号：CN03155738.4

    申请日：2003-09-01

    Applicant: 理学电机株式会社

    Inventor： 横山亮一 ,  远藤上久

    IPC: G01N23/20

    CPC classification number: G01N23/207 ,  H01L21/31691

    Abstract: 一种X射线衍射应力测定法，首先在φ＝0°的位置设定X射线光学系统。从X射线源(12)向试样(10)入射的X射线(14)在米勒指数(hkl)的晶面(其法线方向为角度ψ的方向)上衍射，其衍射X射线(16)被X射线检测器(18)检测，决定米勒指数，能够决定无应变状态下的布拉格角(θ0)。在该(θ0)附近，测定有应变状态的衍射角(θ)。由该测定值与布拉格角的差可计算出应变(ε)。可对多个ψ求出应变。接着对于φ＝45°与φ＝90°也同样对多个(ψ)求出应变。在假定平面应力状态时，对于劳厄对称属于4/mmm的正方晶系可以求出特定的应力计算公式，基于该应力计算公式将上述测定结果作图，可由直线的斜率求出应力。

    分析材料成份的方法和装置
    129.
    发明公开
    分析材料成份的方法和装置 失效

    公开(公告)号：CN1354832A

    公开(公告)日：2002-06-19

    申请号：CN00807666.9

    申请日：2000-03-15

    Applicant: 秦内蒂克有限公司

    Inventor： D·J·瓦利斯 ,  A·M·凯尔 ,  M·T·埃梅尼

    IPC: G01N23/20 ,  G01N23/207

    CPC classification number: G01N23/207

    Abstract: 本发明公开了一种分析半导体材料的成份的方法,包括用能量源的能量辐射半导体材料,能量从该半导体材料衍射,检测衍射能量的一部分或多部分,并分析每个检测到的部分以获得一个表示每部分强度的参数,并利用对衍射能量部分的位置和/或强度的了解来确定半导体的化学成份。检测到的每部分衍射能量可以是从材料衍射的准禁止反射,可以是从材料衍射的(002)反射或(006)反射。对每部分衍射能量的检测可以在一个或多个检测角(9)处进行,或者在衍射能量源的所有反射/透射的角处进行,或在一个或多个角度的范围内进行。能量源可包括x射线管产生的x射线,可以用一个或多个检测器(4)检测衍射能量的每部分。

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