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公开(公告)号：CN112953934A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110184365.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种DAB低延迟实时语音广播的方法，属于数字信号广播技术领域，包括步骤：S1：采集音频；S2：采用码率为9.6kbps，带宽为NB、WB或SWB模式的EVS进行编码，将每个EVS帧封装进1个DAB的FIB中；S3：采用DAB模式III合成DAB传输帧，并将连续6个包含EVS帧的FIB按照一定规则分配在5个DAB传输帧内进行发射；S4：接收DAB帧，并采用EVS解码，播放音频。还涉及一种DAB低延迟实时语音广播系统。本发明免去了通过DAB主业务信道传输音频存在的时间交织延迟并大幅缩短了编解码时间，实际系统的整体延迟不超过100ms，低于人耳可感延迟，从而实现基于DAB的低延迟的实时语音广播。
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公开(公告)号：CN110994102B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911222514.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01P5/04
Abstract: 本发明公开了一种分配路数和分配比可重构功分器，包括n个分支线耦合器、2n+1个π型等效传输线、2n+1个端口微带线和n‑1条连接微带线；第一级分支线耦合器的射频信号输入接口连接射频信号输入端口微带线P1，其余分支线耦合器的射频信号输入接口均各通过一条连接微带线连接在上一个分支线耦合器的一个射频信号输出接口上；分支线耦合器的其余射频信号输出接口各通过一个π型等效传输线连接一条端口微带线；π型等效传输线的变容二极管上还并联有直流偏置电压接入模块。本发明的功率分配器分配路数和分配比同时可调，且分配比例在一定范围内连续可调，具有易于实现的优点，解决了传统功分器的难以实现分配路数和分配比同时可调的问题。
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公开(公告)号：CN112820775A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110018192.9
申请日：2021-01-07
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有电子积累效应的SOI‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括LDMOS结构、PNP结构、氧化隔离层、金属铝和衬底；LDMOS结构位于氧化隔离层前方，从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N+区；PNP结构位于氧化隔离层后方，从左至右依次是栅极P+区、栅极P区、漂移区、漏极N+区、漏极P+区；金属铝设置在氧化隔离层的右上角，连接着氧化隔离层前方的漏极N+区和氧化隔离层后方的漏极P+区；P‑body、栅极P+区、栅极P区、漂移区和氧化隔离层的正下方是衬底。本发明器件在降低比导通电阻Ron,sp的同时，还能保持较高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN111769159A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010658965.5
申请日：2020-07-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有多晶硅电子通道的SA-LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括P型衬底、SOI隔离层、阴极、P+阴极、P-body、N+电子发射极、栅极、栅氧化层、N型漂移区和阳极区域；阳极区域从左至右包括N-buffer、P+阳极、阳极、多晶硅层、N+阳极和阳极，还包括设置在多晶硅层左/右侧下表面的浮空层，以及设置在多晶硅层下表面的二氧化硅隔离层，其中浮空层与二氧化硅隔离层左/右接触。本发明器件正向导通时，通过调节多晶硅层的掺杂浓度改变电子流动路径上的电阻，进而抑制snapback效应。关断时，漂移区中的大量电子可通过多晶硅层电子通道被N+阳极迅速抽取，有效降低了器件的关断损耗。
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公开(公告)号：CN109547037B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811615635.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种能同时发射III波段和L波段的DMB发射系统，属于无线通信领域。该系统包括：COFDM编码器、上变频器、功分器、III波段滤波器、L波段变频模块、功放和发射天线；L波段变频模块包括低噪声放大器、锁相环频率源部分、直接上变频模块和L波段带通滤波器；锁相环频率源部分包括恒温晶振和PLL。L波段变频模块中，III波段信号先经过低噪声放大器放大后，接入直接上变频部分，同时将本振信号接入直接上变频部分，III波段信号和本振信号在直接上变频部分完成混频；将混频信号接入L波段带通滤波器进行滤波。本发明解决了实际应用中的信号覆盖问题，提升DMB产品的用户体验度，降低成本，简化结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106656054B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201610898618.3
申请日：2016-10-14
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有源非福斯特电路的高线性度多尔蒂功放，包括并联连接的主功放模块与辅助功放模块，主功放模块与辅助功放模块的输入端通过功分器与多尔蒂功率放大器的总输入端连接；辅助功放模块输入端与总输入端之间串联连接有相移模块；主功放输出端通过相移模块补偿后与辅助功放输出端合成后成为总输出，所述辅助功放模块输入端与相移模块之间还串联连接有源非福斯特电路，用于对辅助功放场效应管的输入电容进行调整。本发明在将传统的多尔蒂功放中辅助功放的输入源牵引匹配电路中加入有源非福斯特电路结构，实现高线性的Doherty功放；通过改变有源非福斯特电路，就能够调整辅助功放的输入电容值，实现对辅助功放的AM‑PM抑制。
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公开(公告)号：CN111131165A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911186947.5
申请日：2019-11-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多描述编码的DMB视频推送方法，属于DMB视频推送领域，包括以下步骤：S1：将源视频分解成一个低质量视频的描述和一个高质量视频的描述，并压缩打包；S2：采用高低质量视频交替推送的方式将步骤S1中处理后的视频文件推送到接收端；S3：接收端对发射端所推送的两个子信号进行校验解码，再重建出相应的视频进行播放。本发明将源视频分解成分辨率一高一低两个描述，通过DMB系统将两个视频进行分段交叉推送，使得接收端能够在短时间内播放一个画质粗糙但是可以接受的视频，等待高质量视频段接收后再与对应低质量段进行合成替换，以缩短接收端因等待接收高清且内存较大的视频而出现的一个较长的空白期。
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公开(公告)号：CN111027013A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911257971.3
申请日：2019-12-10
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种支持DAB和CDR的多模式可配置FFT处理器及方法，所述FFT处理器包括顶层控制模块、地址产生模块和可配置运算电路模块，所述可配置运算电路模块包括蝶形运算单元、输入控制模块、旋转因子生成单元和乘旋转因子单元，所述FFT处理器接收到的配置信息通过所述顶层控制单元进行解析得到工作模式、运算点数和蝶形运算层数，使用所述工作模式对所述蝶形运算单元进行可配置性的重构，通过重构蝶形运算结构进行DAB和CDR两种标准不同模式下的不同运算点数的任意配置和运算，所述FFT处理器兼容DAB和CDR两种标准且能快速重构具有不同运算功能处理单元，提高了运算效率、减少资源消耗且降低了电路面积。
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公开(公告)号：CN110190921A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910464100.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于DMB的考场同步信息接收及显示终端，包括天线、DMB接收模块、音频播放模块、LED显示模块和LED点阵屏。DMB接收模块将DMB信号经天线接收、RF调谐、模数转换、信道解码和解复用后，得到音频数据流与文本数据流；音频数据流经音频解码后，通过DAC和功放驱动喇叭播放；文本数据流经单片机读出后送入LED驱动卡；LED驱动卡将文本数据转化为像素信息，并通过扫描方式驱动LED点阵屏显示；音频数据流包含考场音频指令，文字数据流包含时间和文字指令，两类信息通过所述终端在所有考场同步播放和显示，保证了各考场的时间及指令的严格同步，避免了因时间或指令不同步导致的不公平情况。
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公开(公告)号：CN106532198B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201611034225.4
申请日：2016-11-22
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于铁电材料的可调六位数字移相器，包括依次串联连接的第一移相单元、第二移相单元、第三移相单元、第四移相单元、第五移相单元和第六移相单元，还包括上层介质基板和下层介质基板，所述第一移相单元、第三移相单元和第五移相单元设置于上层介质基板上，所述第二移相单元、第四移相单元和第六移相单元设置于下层介质基板上；所述第一移相单元、第三移相单元和第五移相单元在Rogers4350基片上，第二移相单元、第四移相单元和第六移相单元的材料为铁电材料。本发明可以替代传统的六位数字移相器的较复杂的移相单元；通过改变铁电材料的直流偏压，就能够调整移相单元的输出相位，实现对整个六位数字移相器的相位调整。
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