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公开(公告)号：CN117348117A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311137175.2
申请日：2023-09-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了一种高海拔宇宙线观测站用雨雪传感器及其设计方法，所述雨雪传感器包括传感器主体和加热带，在传感器主体的顶部设有栅型电极，用于监测水的存在；加热带设于栅型电极上并与栅型电极连接，用于承接待监测物体并对待监测物体进行加热使之融化为水，加热带与传感器主体连通以使水能通过加热带流至栅型电极；传感器主体顶部的栅型电极设为圆锥形，加热带为上大下小的喇叭形，加热带具有连接底面和连接侧面，连接底面呈圆锥状并与栅型电极相适配，连接底面套设在栅型电极上，在连接底面上开设有若干镂空部，加热带内的水通过镂空部流至栅型电极。本申请能够实现雨雪天气的可靠监测，确保广角切伦科夫望远镜不会因雨雪而损坏。
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公开(公告)号：CN111318713B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010146462.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种铜掺杂制备铌三铝超导线材的方法，包括以下步骤：A、将Nb粉、Al粉和Cu粉，按照Nb3(Al1‑xCux)，0.02≤x≤0.03的化学计量比称量，然后在行星球磨罐中充分混合，得混合粉末；B、将混合粉末装入直径8‑12mm的Nb管中，并用铜块将两端密封，得到线材前驱体；C、将线材前驱体冷拉拔至直径1.5～1.7mm，得到拉拔后的线材前驱体；D、将拉拔后的线材前驱体用真空快热快冷装置进行快热快冷处理，得到超导线材初品；E、将超导线材初品放入石英管中进行退火烧结，烧结后随炉冷却，即得到掺杂铜的铌三铝超导线材。该方法制得的铌三铝超导线材，其临界电流密度大，不可逆场高、转变温度高。
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公开(公告)号：CN114296387A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111582205.1
申请日：2021-12-22
Applicant: 西南交通大学
Inventor： 祝凤荣 , 孙秦宁 , 陈龙 , 李新 , 郑应 , 王润娜 , 夏君集 , 王阳 , 刘虎 , 刘四明 , 辛玉良 , 郭晓磊 , 谢宁 , 张勇 , 张寿山 , 贾焕玉 , 李秀梅 , 何钰 , 耿利斯 , 母雪玲 , 王辉 , 毕白洋 , 姜文印
IPC: G05B19/05
Abstract: 本发明公开了一种激光器标定PLC慢控系统，包括PLC模块、三维角度控制模块、开关门控制模块、激光电源控制模块、通讯模块和电源模块；PLC模块一端与通信模块一端连接，PLC模块另一端与三维角度控制模块、开关门控制模块、激光电源控制模块和电源模块相连接，通信模块另一端与PLC模块相连接；PLC模块，用于对系统整体进行控制，对数据进行采集与传输；三维角度控制模块，用于控制激光转台实现水平转动、俯仰转动及角位调节；开关门控制模块，用于控制开关门实现激光器的遮挡或遮盖；激光电源控制模块，用于控制电源关断，实现激光器电源控制；通信模块，用于实现PLC模块与本地PC机的通信连接。本发明使用方便，编程简单、功能强，性价比高、可靠性高，抗干扰能力强，系统的设计、安装和调试工作量少，易于维护。
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公开(公告)号：CN114265129A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111681919.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 西南交通大学
Inventor： 刘虎 , 夏君集 , 陈龙 , 王阳 , 祝凤荣 , 李新 , 郑应 , 王润娜 , 孙秦宁 , 刘四明 , 辛玉良 , 郭晓磊 , 谢宁 , 张勇 , 张寿山 , 贾焕玉 , 李秀梅 , 何钰 , 耿利斯 , 母雪玲 , 王辉 , 毕白洋 , 姜文印
IPC: G01W1/18
Abstract: 本发明公开了一种气象监测激光器标准零点校准方法，包括：激光器发射光束；获取绝对零点；固定坐标纸的位置，控制激光器激光出射方向到坐标纸上；调整CCD相机位置获取光斑数据；对光斑数据进行处理；记录此时坐标纸上的位置坐标，以所述坐标纸上的位置坐标作为相对零点；激光转台多次巡航后，返回激光转台上标定的标准零点；控制激光器激光出射方向到坐标纸上；通过CCD相机位置获取光斑数据；对光斑数据进行处理；计算处理的光斑与标准零点的角度偏差，调整转台位置该角度至标准零点，并记录调整角度，并记录调整角度，重复调整激光出射方向，至确认光斑与标准零点重合。本发明能达到实时监测和校准激光发射方向的目的，精度高，偏差小。
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公开(公告)号：CN113691162A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111054145.6
申请日：2021-09-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳流体二极管的水伏器件，从下到上依次包括基底层、下电极和上电极，上电极与下电极之间设有敏感层；敏感层为两层具有相反ZETA电位的薄膜构成的PN结，或者为两层相反ZETA电位的薄膜中间再加一层ZETA电位近似为0的薄膜构成PIN结；敏感层各层均是连通的孔结构，其中至少有一层含有0.1‑100nm尺寸的纳米级连通孔。本发明通过将纳流体二极管引入水伏器件，使水伏器件的性能有很大提升，该器件无需额外能耗，绿色环保，且器件结构简单，制备方法中的制备工艺容易操作，所需材料容易获取并且价格低廉，适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107058964B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710480017.5
申请日：2017-06-22
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种拓扑绝缘体Bi2Se3/FeSe2异质结构薄膜的制备方法，其步骤主要是：a、FeSe基膜的制备：在基片上磁控溅射形成FeSe基膜；b、FeSe2退火成相：将a步得到的基片和硒粒一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，进行退火成相处理，即在基片上得到FeSe2薄膜；c、Bi2Se3基膜的制备：在b步得到的基片上，磁控溅射一层Bi2Se3膜，进而在基片上形成Bi2Se3/FeSe2基膜；d、Bi2Se3退火成相：将c步得到的基片和硒粒一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，进行退火成相处理，即得。该方法易控制镀膜量，形成的异质结构薄膜平整、性能好。且其制备成本低。
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公开(公告)号：CN108447985A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810315095.4
申请日：2018-04-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于香蕉皮的生物忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：以香蕉皮为原料，采用分离法获得粒径为10μm以下的香蕉皮粉末，备用；S2：将香蕉皮粉末与聚偏氟乙烯、N-甲基吡咯烷酮均匀混合，制得稀泥状前驱胶体备用；S3：采用磁控溅射法在基底上溅射沉积下电极；S4：采用旋涂法，将步骤S2获得的前驱胶体均匀涂覆在钛基膜上形成生物膜；S5：待生物膜干燥后，在生物膜上制备上电极，即获得的基于香蕉皮的生物忆阻器，该忆阻器具有上电极/香蕉皮粉末/下电极结构。该方法制备过程简单，制备成的忆阻器件结构简单、性能优异，稳定性好，且制备成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN107058964A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710480017.5
申请日：2017-06-22
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0623 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了一种拓扑绝缘体Bi2Se3/FeSe2异质结构薄膜的制备方法，其步骤主要是：a、FeSe基膜的制备：在基片上磁控溅射形成FeSe基膜；b、FeSe2退火成相：将a步得到的基片和硒粒一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，进行退火成相处理，即在基片上得到FeSe2薄膜；c、Bi2Se3基膜的制备：在b步得到的基片上，磁控溅射一层Bi2Se3膜，进而在基片上形成Bi2Se3/FeSe2基膜；d、Bi2Se3退火成相：将c步得到的基片和硒粒一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，进行退火成相处理，即得。该方法易控制镀膜量，形成的异质结构薄膜平整、性能好。且其制备成本低。
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公开(公告)号：CN106953009A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710291749.X
申请日：2017-04-28
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: H01L45/00 , G11C13/0002 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供了一种忆阻器的制备方法，涉及存储器制造技术领域。它能有效地解决半导体材料的负面影响的问题。包括步骤一、收集足够的干枯树叶；步骤二、将步骤一收集到的树叶通过分离法获取超细的树叶粉末，备用；步骤三、将步骤二得到的超细树叶粉末溶解在乙基纤维素溶液中，制备成胶体；步骤四、用掺杂氟的二氧化锡透明导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤三得到的胶体在基片导电的一面旋涂成薄膜作为介电层；步骤五、将步骤四中得到的带介电层的基片，在60℃的干澡箱里干燥12小时以上；步骤六、将步骤五中干燥之后的基片放入真空沉积设备；步骤七、通过真空沉积法将基片上介电层的表面沉积金属银做上电极，得到具有银/树叶/FTO结构的忆阻器件。
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公开(公告)号：CN102912332B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210318962.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法，其具体作法是：a、M2Zr2O7薄膜的制备：将M(NO3)3.6H2O和ZrO(NO3)3.2H2O按照离子浓度M+3：Zr+4为1：1溶于羟乙基甲基醚，加入氧化聚乙烯20000合成胶体；将胶体涂覆于Ni基合金基带上，干燥后放入H2/Ar还原气氛保护的热处理炉内分解成相；b、RexCe1-xOy薄膜的制备：按稀土离子（Re）与铈离子（Ce）比x：1－x，0≤x≤0.5配制稀土硝酸盐混合物，将混合物溶解于高分子有机溶剂合成胶体，将胶体涂覆于M2Zr2O7基底上，干燥后放入气氛烧结炉中,在H2/Ar还原气氛保护下分解成相。本发明采用全硝酸盐体系化学溶液沉积法，来制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层，该制备方法与物理法相比简单易行、成本低、无污染、可大规模工业化生产。
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