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公开(公告)号:CN114264374B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN202111614276.5
申请日:2021-12-27
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种金属线快速加热设备测温校准的方法,包括以下步骤:A、将双色红外测温仪探头光路正对金属线高温区间,调整焦距使其和金属线直径配合并固定测温仪;B、将已知熔点的金属线缓慢加热至熔化前的相变潜热平台,调整双色红外测温仪接收信号的发射率及比值使该平台温度测量值接近实际值;C、将已知熔点的样品金属线快速加热至熔化,进一步调整双色温红外测温探头接收信号的比值使熔化温度测量值准确;该方法校准后可以在金属线快速加热设备测温时得到准确温度值及时间‑温度曲线,其绝对误差小,可重复性高。
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公开(公告)号:CN116200690A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310044213.3
申请日:2023-01-29
Applicant: 西南交通大学
IPC: C22F1/18 , B22F5/12 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/24 , C22C27/02 , C22C1/04 , H01B12/00 , B23P23/04 , B21C47/02
Abstract: 本发明公开了一种多次瞬时高温热处理制备高载流Nb3Al超导线材的方法,涉及超导材料制备技术领域。包括如下步骤:(1)将Nb/Al前驱线夹持在瞬时高温热处理装置上,进行瞬时高温热处理,而后立即在液Ga池中淬冷,完成第一次后,再重复进行1~5次瞬时高温热处理,直至得到微结构和局域成分高度均匀的过饱和固溶体Nb(Al)ss线材;(2)将过饱和固溶体Nb(Al)ss线材置于真空管式炉中,在750~850℃低温热处理10h,使Nb(Al)ss线材有序化并转变成高度均匀的Nb3Al超导线材。本发明制备出的超导线材具有稳定一致的宏观载流性能。
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公开(公告)号:CN115641997B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202211671159.7
申请日:2022-12-26
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及超导材料制备技术领域,公开了一种掺杂纳米氧化物的Nb3Al超导线材及其制备方法,将纳米尺度的氧化物粉末、微米尺度的Nb粉和Al粉在氩气保护的手套箱中称取,然后经行星球磨混合均匀后,把粉体装入Nb管中,进行旋锻加工,制备出掺杂纳米氧化物的Nb/Al前驱线材;随后将前驱线材进行多次RHQ处理,经低温退火后得到高度均匀的A15相Nb3Al超导线材;制备出的Nb3Al超导线材临界电流密度(Jc)显著提高,其原因是纳米氧化物在Nb3Al A15相中形成弥散分布的二次相粒子,成为超导线材中有效的磁通钉扎中心。纳米氧化物掺杂可以应用到Nb3Al超导长线材制备中,改善磁通钉扎特性,提高超导性能。该方法操作简单,成本低,适用于工业化生产。
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公开(公告)号:CN115641997A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211671159.7
申请日:2022-12-26
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及超导材料制备技术领域,公开了一种掺杂纳米氧化物的Nb3Al超导线材及其制备方法,将纳米尺度的氧化物粉末、微米尺度的Nb粉和Al粉在氩气保护的手套箱中称取,然后经行星球磨混合均匀后,把粉体装入Nb管中,进行旋锻加工,制备出掺杂纳米氧化物的Nb/Al前驱线材;随后将前驱线材进行多次RHQ处理,经低温退火后得到高度均匀的A15相Nb3Al超导线材;制备出的Nb3Al超导线材临界电流密度(Jc)显著提高,其原因是纳米氧化物在Nb3Al A15相中形成弥散分布的二次相粒子,成为超导线材中有效的磁通钉扎中心。纳米氧化物掺杂可以应用到Nb3Al超导长线材制备中,改善磁通钉扎特性,提高超导性能。该方法操作简单,成本低,适用于工业化生产。
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公开(公告)号:CN114264374A
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202111614276.5
申请日:2021-12-27
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种金属线快速加热设备测温校准的方法,包括以下步骤:A、将双色红外测温仪探头光路正对金属线高温区间,调整焦距使其和金属线直径配合并固定测温仪;B、将已知熔点的金属线缓慢加热至熔化前的相变潜热平台,调整双色红外测温仪接收信号的发射率及比值使该平台温度测量值接近实际值;C、将已知熔点的样品金属线快速加热至熔化,进一步调整双色温红外测温探头接收信号的比值使熔化温度测量值准确;该方法校准后可以在金属线快速加热设备测温时得到准确温度值及时间‑温度曲线,其绝对误差小,可重复性高。
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公开(公告)号:CN106340381B
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201610812376.1
申请日:2016-09-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温超导磁悬浮列车用超导磁体的制作方法,其做法是:A、在高温超导带材(1)的表面涂覆固化剂;涂覆的同时,将高温超导带材(1)从内至外缠绕形成一个空心的圆环或实心的圆饼,并将带材(1)的内端(1a)露出;B、将高温超导带材(1)的内端(1a)和高温超导带材(1)的外端(1b)连接成超导接头(2),形成闭合成块的超导环或超导饼,即得。该方法制成的超导磁体临界电流密度高,且磁性轨道上方区域内集中的磁力线能密集、集中地进入超导磁体而被集中钉扎,产生的悬浮力和导向力强。
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公开(公告)号:CN116230316A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202310148057.5
申请日:2023-02-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01B12/00
Abstract: 本发明公开了一种轧制结合快热急冷提高Nb3Al超导线材载流性能的方法,涉及超导线材制备技术领域。本发明提出采用室温轧制结合快热急冷(RHQ)提高Nb3Al超导带材的载流性能。本发明通过室温轧制把RHQ制备得到的韧性Nb(Al)ss塑形变形,引入晶格畸变、位错缺陷,为800℃热处理转变为Nb3Al超导相提供额外的形核功,使得生成的超导相晶粒变小、尺寸分布范围变窄,进而提高Nb3Al超导带材的临界电流密度(Jc);本发明与传统RHQ仅有120℃的温区相比,第一次和第二次RHQ的温度范围得到扩展,有助于降低线材RHQ热处理过程的工艺参数控制精度,有利于超导长线的制备和生产。
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公开(公告)号:CN112217079B
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202011076902.5
申请日:2020-10-10
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种稀土钡铜氧超导带材的低阻连接方法,其步骤主要是:A、预处理:将两根带材靠近超导层一侧的端部划定接头区域,通过丝网印版在接头区域涂敷纳米银膏;然后将两根金属保护层只有银层的超导银带材的接头区域搭接形成预接头;再将该预接头进行加热干燥,形成干预接头;B、焊接:将接头夹具以1‑5℃/min升温速率升温至150‑200℃,保温15‑40min;再将干预接头置于接头夹具中,通过接头夹具向干预接头施加10‑40MPa的压力,保温保压5‑30min,形成焊接接头;C、封装:在焊接接头及两根带材的外表面包覆Cu金属层,即实现带材的连接。该法操作简单、效率高,且连接得到的带材,其接头电阻低,机械性能好。
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公开(公告)号:CN111318713A
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN202010146462.X
申请日:2020-03-05
Applicant: 西南交通大学
IPC: B22F9/04 , B22F1/00 , B21C1/00 , B22F3/24 , B22F3/10 , B22F5/12 , B22F7/08 , H01B13/00 , H01B12/02
Abstract: 一种铜掺杂制备铌三铝超导线材的方法,包括以下步骤:A、将Nb粉、Al粉和Cu粉,按照Nb3(Al1-xCux),0.02≤x≤0.03的化学计量比称量,然后在行星球磨罐中充分混合,得混合粉末;B、将混合粉末装入直径8-12mm的Nb管中,并用铜块将两端密封,得到线材前驱体;C、将线材前驱体冷拉拔至直径1.5~1.7mm,得到拉拔后的线材前驱体;D、将拉拔后的线材前驱体用真空快热快冷装置进行快热快冷处理,得到超导线材初品;E、将超导线材初品放入石英管中进行退火烧结,烧结后随炉冷却,即得到掺杂铜的铌三铝超导线材。该方法制得的铌三铝超导线材,其临界电流密度大,不可逆场高、转变温度高。
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公开(公告)号:CN110128131A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910529839.7
申请日:2019-06-19
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 一种促进镝钡铜氧超导膜外延生长的方法,其操作主要是:在镝钡铜氧的前驱溶液中掺入微量钴离子;将掺入微量钴离子的前驱溶液溶液涂覆于基片,热分解后形成镝钡铜氧非晶前驱膜;该非晶前驱膜在740-750℃、55-65分钟的条件下,或者800-805℃、10-30分钟的条件下,完成外延生长成相;最后通过低温氧气退火处理形成具有正交晶体结构的镝钡铜氧超导膜。获得的镝钡铜氧超导膜具有优异的织构、平整致密的微结构和高临界电流密度。该方法的外延生长成相的温度低或时间短,其制备成本低、制备效率高,有利于镝钡铜氧超导材料的批量化生产和规模化应用。且其制得的镝钡铜氧超导膜具有优异的织构、平整致密的微结构和高临界电流密度。
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