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公开(公告)号：CN108615810A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810315222.0
申请日：2018-04-10
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，包括以下步骤：S1：以植物的干燥果皮、根、茎或叶中的至少一种为原料，采用分离法获得植物粉末；S2：将步骤S1获得植物粉末溶解于N-甲基吡咯烷，制成胶体；S3：将步骤S2获得的胶体在导电基片的导电面制成薄膜作为介电层，将带有介电层的导电基片进行干燥处理；S4：经步骤S3处理后，在介电层表面沉积上电极，获得具有上电极/植物粉末/基片结构的忆阻器件，所述忆阻器件为室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。
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公开(公告)号：CN109244235A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810852173.4
申请日：2018-07-30
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供了一种石蕊作为忆阻器件介电层的应用，涉及有机材料应用技术领域。将干燥的石蕊粉碎，研磨，通过筛网过滤获得微米级的石蕊粉末，使用去离子水稀释浓盐酸(HCl)溶液，或者氢氧化钠(NaOH)固体用去离子水溶解并稀释溶液；制备混合溶液：取石蕊粉末，然后将质量百分比为50％～55％的石蕊粉末与质量百分比为45％～50％的稀释溶液充分搅拌，配制成混合溶液；采用导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤四得到的混合溶液分别在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将步骤五中制备的带介电层的基片，放进40℃的干燥箱里干燥12小时以上；通过直流溅射工艺在基片介电层的表面沉积金属银作为器件的上电极，得到具有银/石蕊/FTO结构的忆阻器件。
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公开(公告)号：CN108831994A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810659893.9
申请日：2018-06-25
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于蒜的生物忆阻器的制备方法，包括如下步骤：S1、以蒜为原料制备获得粒径为0.5～2μm的蒜粉末；S2、将蒜粉末与聚偏氟乙烯粉末按质量比4：1混合均匀，再将混合粉末溶解于高氯酸钠电解液中，制得胶体；S3、将胶体在导电基片的导电面上制成薄膜作为介电层，再进行干燥处理；S4、将带有介电层的导电基片置于PH溶液中片刻取出，再进行干燥处理，PH溶液的PH值为5～7；S5、经步骤S4处理后，在介电层表面沉积上电极，即获得具有顶电极/蒜粉末/基片结构的生物忆阻器。该制备方法能够有效解决当前电子产品的污染问题，降低成本，而和其它植物相比较，蒜不仅可食用且可用于治疗相关疾病，制备成忆阻器具有良好的忆阻效应。
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公开(公告)号：CN109888090B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910051937.4
申请日：2019-01-21
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器括顶电极、氧化铒薄膜以及底电极，所述氧化铒薄膜位于顶电极和底电极之间，其中，顶电极和底电极的材料分别为氧化铟锡或银。一种上述基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底；S2：采用磁控溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在基片上溅射沉积底电极；S3：采用射频溅射法，以氧化铒靶材为溅射源，在底电极上沉积功能层Er2O3薄膜；S4：采用直流溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在氧化铒薄膜表面沉积上电极。器件结构简单、性能优异、稳定、重复性好，制备方法步骤简单，在新型存储器、振荡器等电子器件领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109888090A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910051937.4
申请日：2019-01-21
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器括顶电极、氧化铒薄膜以及底电极，所述氧化铒薄膜位于顶电极和底电极之间，其中，顶电极和底电极的材料分别为氧化铟锡或银。一种上述基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底；S2：采用磁控溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在基片上溅射沉积底电极；S3：采用射频溅射法，以氧化铒靶材为溅射源，在底电极上沉积功能层Er2O3薄膜；S4：采用直流溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在氧化铒薄膜表面沉积上电极。器件结构简单、性能优异、稳定、重复性好，制备方法步骤简单，在新型存储器、振荡器等电子器件领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108666418A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810393589.4
申请日：2018-04-27
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1608
摘要： 本发明公开了一种忆阻器件的制备方法，其步骤包括：将干燥的红薯皮用粉碎机粉碎，过滤获取微米级的红薯皮粉末，备用；制备混合溶液：将体积百分比为50％～55％的红薯皮粉末与体积百分比为20％～25％的聚偏氟乙烯混合均匀，再加入体积百分比为20％～25％水充分搅拌，制成混合溶液；用掺杂氟的SnO2透明导电玻璃FTO做基片，基片的电阻是20，利用旋涂法将步骤三得到的混合溶液在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将制备好的带介电层的基片，在30℃的干燥箱里干燥12小时以上；将干燥之后的基片放入真空沉积设备，抽真空；通过直流溅射在介电层的表面沉积金属银(Ag)作为器件的上电极，工作气压为2pa，溅射电流为0.1A，溅射时间为10分钟，得到具有Ag/红薯皮/FTO结构的忆阻器件。
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公开(公告)号：CN108447985A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810315095.4
申请日：2018-04-10
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于香蕉皮的生物忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：以香蕉皮为原料，采用分离法获得粒径为10μm以下的香蕉皮粉末，备用；S2：将香蕉皮粉末与聚偏氟乙烯、N-甲基吡咯烷酮均匀混合，制得稀泥状前驱胶体备用；S3：采用磁控溅射法在基底上溅射沉积下电极；S4：采用旋涂法，将步骤S2获得的前驱胶体均匀涂覆在钛基膜上形成生物膜；S5：待生物膜干燥后，在生物膜上制备上电极，即获得的基于香蕉皮的生物忆阻器，该忆阻器具有上电极/香蕉皮粉末/下电极结构。该方法制备过程简单，制备成的忆阻器件结构简单、性能优异，稳定性好，且制备成本低，适合工业化生产。
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