-
公开(公告)号：CN115424953B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202211150534.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置，通过将包含截面的宽禁带半导体晶圆片结构检测片作为工作电极连接作为对电极的金属催化剂，并浸泡入刻蚀液，再采用特定波长的入射光照射到截面上，在所述截面上产生光生空穴‑电子对；再通过腐蚀液对所述非损伤层侧面区域进行刻蚀，而所述损伤层侧面区域不发生刻蚀，从而在刻蚀完成后根据所述截面的形态得到所述损伤层的厚度；本发明通过直接观测反应后晶圆片截面的形态，便可精确定量出宽禁带半导体晶圆片在不同加工过程中产生的损伤层厚度，从而降低宽禁带半导体材料的加工损失及加工成本。
-
公开(公告)号：CN119824516A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411998925.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及用于控制生长晶体直径的装置和方法、碳化硅晶体。该装置包括：籽晶杆，籽晶杆的沿第一方向的下端面用于设置籽晶；及控制环组件，控制环组件包括沿第一方向依次可拆卸地连接的多个环，每个环的内周壁具有预定内径；相邻两个环中，下侧环的预定内径大于上侧环的预定内径；多个环中，连接于籽晶杆的环套设于籽晶杆并套设于籽晶。该装置能够用于形成多种预定直径的晶体。
-
公开(公告)号：CN119371224A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411957499.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种利用熔盐法制备的多孔碳化钽及其制备方法与应用，结合熔融盐和固相烧结法，首先利用过量熔融钽前驱体粉末（例如氧化钽等）来使多孔碳基材料（例如多孔石墨）金属化形成多孔钽；随后钽原子热运动扩散渗透到石墨等碳材料的晶格中，得到高纯、高孔隙率的多孔碳化钽，但内部会有部分碳芯；最后在热处理炉中进行除碳，得到高纯、高孔隙率的多孔碳化钽。与现有技术相比，本发明制造的多孔碳化钽耐腐蚀性更强，可再生使用，孔隙率更高且无空隙堵塞现象的发生。
-
公开(公告)号：CN119224407A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411764373.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01R19/00 , G01R15/22 , G01R33/032 , G01R33/24
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置及电流测量方法。本发明的装置结构简单，成本相对较低，非常易于推广使用。本发明采用双传感器结构进行差分检测，有效避免了环境磁场噪声的影响，在很大程度上提高了测量灵敏度。本发明装置的检测灵敏度只依赖于碳化硅自旋缺陷的浓度、激发光的密度以及荧光收集效率，并且可以通过优化碳化硅自旋缺陷的浓度及自旋性质，进一步提高磁场/电流测量的灵敏度，拓宽了提高检测精度的空间。本发明将碳化硅与光纤集成于一体，不依赖共聚焦光路系统，使用的光纤只用于激发光和荧光的传输，其形状和长度对测试结果基本无影响，使用非常便利。
-
公开(公告)号：CN114264652B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111501114.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法，属于半导体技术领域，包括清洗烘干晶圆抛光片，按顺序置于晶片花篮中；将单个晶圆抛光片移动到显微镜的样品台上；将所述单个晶圆抛光片在显微镜视场进行面扫描，得到所述单个晶圆抛光片的形貌特征图片；根据所述形貌特征图片，对所述单个晶圆抛光片中的位错进行分类识别，并记录各个位错相对于晶圆平面的位置坐标，统计各类位错的数量；将所述单个晶圆抛光片置于置片花篮中。本发明通过三维追踪的方法，逆向分析了晶体生长过程中多型以及各类位错的起源以及相互之间的演化，这对于晶体生长工艺的改善以及晶体生长质量的提高，提供了极大的帮助。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117558750B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311262394.3
申请日：2023-09-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种适用于任意掺杂浓度的p型4H‑SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极，包括依次沉积于p型4H‑SiC基底上的第一电极层、第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％(±0.5％)～72％(±0.5％)；进一步的，所述SiC/Al/Ti欧姆接触电极还包括沉积于所述第二电极层之上的第三电极层，所述第三电极层的材料选自金属Ni、Au、W或Mo中的任意一种或多种。本发明的p型4H‑SiC欧姆接触电极具有与现有工艺水平相当甚至更好的比接触电阻率，可以适用于所有p型4H‑SiC的电子器件。
-
公开(公告)号：CN118064967A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410494355.4
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同时，配合第一加热器、第二加热器对第一坩埚、第二坩埚内的温度进行调控，从而实现对生长腔内的轴向温度和半导体晶体生长面的径向温度的调控；与此同时，热屏蔽环的配合，隔绝第二加热器对第一坩埚的热辐射，减少进入第一坩埚的热通量，减小半导体晶体生长面的径向温度梯度，进而提升半导体晶体的厚度和晶体生长质量。
-
公开(公告)号：CN117210934A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311297702.6
申请日：2023-10-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅生长技术领域，公开了一种碳化硅生长进料装置，通过手套箱的方式将初始原料混合进料，然后将其在碳化硅单晶生长装置的内部通过高温反应生成所需要的碳化硅原粉，再进行后续的长晶过程。由于生长碳化硅原粉和生长碳化硅单晶的整个过程是在手套箱和碳化硅单晶生长装置的内部完成，碳化硅原粉不会接触外部空气，因此所得到的碳化硅原粉内部不含有空气中的杂质成分，具备较高的纯度，从而可以得到高纯度的碳化硅单晶，且缺陷较少。
-
公开(公告)号：CN114940886B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210470448.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液，纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法合成球形的α‑Al2O3，该磨粒按以下制备方法制得：将含铝氧化剂和含氨基或羧基的有机物燃料溶于反应溶剂形成溶液；将溶液转移至坩埚内，将坩埚置于马弗炉内，将马弗炉按10～20℃/min升温速率加热至预定温度，保温，冷却，获得球形α‑Al2O3，碳化硅抛光液由以下重量百分比浓度的组分组成：纳米氧化铝磨粒1～50％、表面活性剂0.05％～5％、氧化剂0.2～10％、pH调节剂0.02％～2％和余量水性介质。本发明具有氧化铝磨粒粒径小，有较好的表面精度，提高抛光效率和精度，氧化铝磨粒制备快速高效节能等优点。
-
公开(公告)号：CN115926778B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211217178.2
申请日：2022-10-01
Applicant: 浙江大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/59 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B33/12 , G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种掺铒硅量子点晶体材料、其制备方法及应用。本发明的掺铒硅量子点晶体材料的尺寸为3～5nm，其表面包含烷烃配体，所述掺铒硅量子点晶体材料为金刚石结构的晶体，所述掺铒硅量子点晶体材料晶格内的Er3+浓度≥1×1018 cm‑3，所述掺铒硅量子点晶体材料晶格内的Er3+全部具有光学活性，所述掺铒硅量子点晶体材料（111）晶面的晶面间距为0.315～0.320 nm。对掺铒硅量子点晶体材料进行氢化硅烷化表面改性处理后，掺铒硅量子点晶体材料双发射的中心波长的差值Δλ≥710 nm，并实现了一种掺铒硅量子点晶体材料的晶体材料。本发明具有相对灵敏度高，发光波长位于近红外，无信号串扰且无自吸收的优势，在生物医疗、集成电路、航空航天等许多领域的温度探测都有巨大的应用潜力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
245
records
(took 0.026 seconds)
