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公开(公告)号：CN1825634A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610049178.0
申请日：2006-01-19
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了制备氧化锌/p型硅异质结紫外电致发光器件的方法，步骤如下：1)将电阻率为0.005－0.02欧姆.厘米的P型重掺杂硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至1～5×10－3Pa，以Zn为靶材，以O2和Ar作为溅射气氛，在5～20Pa压强下，衬底温度为300℃～500℃，进行溅射生长，得到ZnO薄膜；2)在ZnO薄膜上溅射半透明电极，在P型硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明方法简单，不需要采用复杂的分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等手段。且所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。
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公开(公告)号：CN1234648C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200410016495.3
申请日：2004-02-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/624 , C04B35/04
Abstract: 本发明公开的制备镁硼氧纳米丝的方法，采用的是溶胶-凝胶法，步骤如下：1)将99%分析纯的硝酸镁、硼酸和柠檬酸，按摩尔比硝酸镁∶硼酸∶柠檬酸＝1∶1∶1到1∶10∶10的比例配成溶液，在10℃～500℃下烘干，得到凝胶状产物；2)将凝胶状产物在100℃～1300℃焙烧5分钟到200小时，生成白色的粉状物；3)将上述得到的白色粉状物溶于水，离心除去可溶的B2O3，制得镁硼氧(MgB4O7)纳米丝。本发明工艺简单，易形成大批量生产，制得的镁硼氧纳米丝性能优良。将制得的镁硼氧纳米丝与其他块体材料有机结合起来，有望改善陶瓷材料的力学性能，增强陶瓷材料的韧性和强度。
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公开(公告)号：CN1190525C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01139098.0
申请日：2001-12-06
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B15/04
Abstract: 本发明的微量掺锗直拉硅单晶，它含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或锑，浓度为1×1013～1×1020cm-3的锗。这种直拉硅单晶，由于掺杂微量的锗，锗元素的最外层电子数和硅元素一样，都是4个，不会影响硅材料的电学性能，而利用锗和点缺陷(自间隙硅原子、空位)作用，可抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是空洞缺陷，能有效提高硅单晶的质量和成品率，利于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1187289C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN03116449.8
申请日：2003-04-14
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626 , B28B1/26
Abstract: 本发明公开了静磁场中功能梯度材料凝胶注模的制备方法。其步骤为：1)浇注模具准备；2)将陶瓷粉末和强磁性的金属粉末按一定比例与水或非水溶剂混合后，在球磨机中搅拌制成均匀弥散的浆料；3)在磁场强度为0.1～5.0特斯拉的静磁场中浇注、固化；4)烘干、烧结成型。本发明方法的优点是：可以制备出成分连续变化的各种厚度的梯度材料；利用成熟的陶瓷凝胶注模法成形工艺使生产功能梯度材料的手续简化、成本降低、性能提高。
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公开(公告)号：CN1555072A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310122815.9
申请日：2003-12-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。1)把99.99％的铝箔退火；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化；3)清洗；4)二次氧化；5)除去未被氧化的铝；6)清洗；7)沉积铁、镍；8退火。本发明的优点是：1)制备简单，费用低廉；2)纳米孔道氧化铝模板的制备技术成熟。早在上个世纪60年代末，70年代初的时候氧化铝模板的制备研究已经开始，到现在，人们已经可以制备出孔道排列的更加有序的模板；3)沉积铁、镍容易。使用磁控溅射法很容易把铁或镍以原子、分子状态溅射下来，均匀沉积到氧化铝模板上；4)应用前景广泛。纳米磁性网络结构薄膜比平面磁性薄膜在高密度光和磁信息贮存方面具有更加广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1170293C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02136137.1
申请日：2002-07-18
Applicant: 浙江大学 , 宁波韵升(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米复相(Fe3B，α-Fe)/Nd2Fe14B磁性材料制备方法。其步骤为：1)制取合金蒸发靶材；2)蒸发合金，制取纳米粉末；3)收集粉末；4)原位加压制取高密度的纳米复相磁性材料，将合金粉末放入加压室内，先进行预热处理，然后升温并保温加压，降温并同时继续冷压直到合金材料的相对密度达到绝对密度的90%～95%。本发明的制备环境的真空度高，材料的含氧量低，制备装置对原材料的污染小，制备出的纳米颗粒圆滑，表面清洁，晶粒的完整性好，粒度的分布范围窄，颗粒比较的均匀，粒径大小较容易控制，能够控制软硬磁性相晶粒的大小与理论模型很好的符合，同时使用原位加压法能使材料的致密度很高。
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公开(公告)号：CN1519199A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN03150807.3
申请日：2003-09-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的硫化镉纳米棒的制备方法，包括以下步骤：1)在溶度为0.01M的含镉离子溶液中，按体积比1∶0.01～100比例加入巯基乙酸，充分搅拌后，再按体积比1∶0.01～100比例加入溶度为0.01M硫化钠；2)把上述配好的溶液放入高压釜中，在100～500℃温度范围内处理1～200小时，然后将溶液离心、干燥，得硫化镉纳米棒。本发明操作工艺简单，适于大批量生产，成本低，制造过程中对环境无污染。
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公开(公告)号：CN1519195A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN03150805.7
申请日：2003-09-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的制备纳米硒管的方法，步骤如下：1)将单质硒粉放入高压釜中，在高压釜里面加入水、酒精、氨水和肼，水∶酒精∶氨水∶肼的体积比为2～10∶1～10∶3～10∶6～10；2)把高压釜放置在100～500℃的温度下处理1～200小时；3)取出上述处理过的溶液，把它放置在超声波中超声1～10小时，然后将溶液离心、干燥，得到纳米硒管。发明制备方法简单，生产成本低，制造过程中对环境无污染。
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公开(公告)号：CN1491075A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03150557.0
申请日：2003-08-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种介孔网络电路的制作方法。其方法步骤如下：1)把99.99％的铝箔退火：把铝箔剪成适当大小，然后在500℃下退火3小时；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化：草酸浓度为0.3ml，氧化时间为3小时；3)清洗：放到6wt％H3PO4+1.8wt％H2CrO4中浸泡6小时，去掉一次氧化物；4)二次氧化：草酸浓度为0.3ml，氧化时间为10小时；5)用CuCl2溶液除去背面未被氧化的铝；6)清洗：放到磷酸中浸泡90min，取出后用去离子水冲洗干净就得到了氧化铝模板；7)镀金：用磁控溅射法在得到的氧化铝模板上镀金1－10分钟就得到介孔网络电路。本发明的优点是：工艺简单，并且在线度上能达到纳米尺度。
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公开(公告)号：CN1099027C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN00107135.1
申请日：2000-04-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N3/42
Abstract: 本发明公开的硅材料机械强度的测量方法是以测量硅材料的位错滑移长度来确定其机械强度的，依次包括如下步骤：首先将从硅材料上割取的试样硅片进行抛光，除去表面损伤层；然后用硬度计压头在硅片表面制造压痕，压痕四周引入位错；再在保护气中对硅片进行热处理，使位错发生滑移；接着冷却硅片，用化学腐蚀液腐蚀，显示位错的滑移；最后测量位错滑移长度。应用该方法简便易行，便于从微观角度确定杂质对硅材料机械强度的影响。
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