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公开(公告)号：CN1234139C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200310122815.9
申请日：2003-12-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。1)把99.99%的铝箔退火；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化；3)清洗；4)二次氧化；5)除去未被氧化的铝；6)清洗；7)沉积铁、镍；8退火。本发明的优点是：1)制备简单，费用低廉；2)纳米孔道氧化铝模板的制备技术成熟。早在上个世纪60年代末，70年代初的时候氧化铝模板的制备研究已经开始，到现在，人们已经可以制备出孔道排列的更加有序的模板；3)沉积铁、镍容易。使用磁控溅射法很容易把铁或镍以原子、分子状态溅射下来，均匀沉积到氧化铝模板上；4)应用前景广泛。纳米磁性网络结构薄膜比平面磁性薄膜在高密度光和磁信息贮存方面具有更加广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1555072A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310122815.9
申请日：2003-12-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。1)把99.99％的铝箔退火；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化；3)清洗；4)二次氧化；5)除去未被氧化的铝；6)清洗；7)沉积铁、镍；8退火。本发明的优点是：1)制备简单，费用低廉；2)纳米孔道氧化铝模板的制备技术成熟。早在上个世纪60年代末，70年代初的时候氧化铝模板的制备研究已经开始，到现在，人们已经可以制备出孔道排列的更加有序的模板；3)沉积铁、镍容易。使用磁控溅射法很容易把铁或镍以原子、分子状态溅射下来，均匀沉积到氧化铝模板上；4)应用前景广泛。纳米磁性网络结构薄膜比平面磁性薄膜在高密度光和磁信息贮存方面具有更加广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1491075A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03150557.0
申请日：2003-08-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种介孔网络电路的制作方法。其方法步骤如下：1)把99.99％的铝箔退火：把铝箔剪成适当大小，然后在500℃下退火3小时；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化：草酸浓度为0.3ml，氧化时间为3小时；3)清洗：放到6wt％H3PO4+1.8wt％H2CrO4中浸泡6小时，去掉一次氧化物；4)二次氧化：草酸浓度为0.3ml，氧化时间为10小时；5)用CuCl2溶液除去背面未被氧化的铝；6)清洗：放到磷酸中浸泡90min，取出后用去离子水冲洗干净就得到了氧化铝模板；7)镀金：用磁控溅射法在得到的氧化铝模板上镀金1－10分钟就得到介孔网络电路。本发明的优点是：工艺简单，并且在线度上能达到纳米尺度。
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