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公开(公告)号：CN1190529C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02151128.4
申请日：2002-12-02
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B27/00
Abstract: 本发明公开的氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法包括多晶硅的融化，种籽晶，放肩、生长、收尾、冷却全过程，其特征是：先将多晶硅在高纯氩气保护下，升温融化，待多晶硅融化后，将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气，高纯氮气的压力为5～200Torr，流量在1～200 l/min，在氮气通入1～600分钟后，再转换为高纯氩气保护，直至硅晶体生长完成。采用本发明方法生产微氮硅单晶成本低，质量好，可以控制大直径硅单晶中氮的浓度，能够实现大规模生产，特别适用于8～12英寸以上微氮硅单晶的制备。
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公开(公告)号：CN1422988A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN01139098.0
申请日：2001-12-06
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B15/04
Abstract: 本发明的微量掺锗直拉硅单晶,它含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或锑,浓度为1×1013～1×1020cm－3的锗。这种直拉硅单晶,由于掺杂微量的锗,锗元素的最外层电子数和硅元素一样,都是4个,不会影响硅材料的电学性能,而利用锗和点缺陷(自间隙硅原子、空位)作用,可抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是空洞缺陷,能有效提高硅单晶的质量和成品率,利于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1190525C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01139098.0
申请日：2001-12-06
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B15/04
Abstract: 本发明的微量掺锗直拉硅单晶，它含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或锑，浓度为1×1013～1×1020cm-3的锗。这种直拉硅单晶，由于掺杂微量的锗，锗元素的最外层电子数和硅元素一样，都是4个，不会影响硅材料的电学性能，而利用锗和点缺陷(自间隙硅原子、空位)作用，可抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是空洞缺陷，能有效提高硅单晶的质量和成品率，利于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1282231C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410053864.6
申请日：2004-08-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/322 , H01L21/324
Abstract: 本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600-800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1-3℃/分的速度逐渐上升到1100-1200℃之间，并在该温度保温热处理2-16小时，最后，硅单晶片随热处理炉冷却至850℃温度以下，被缓缓取出热处理炉。本发明的直拉硅片内吸杂工艺与集成电路工艺相兼容，与通常的内吸杂工艺和MDZ工艺相比，它的热处理过程相对简单。同时形成的洁净区是真正的无缺陷区。
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公开(公告)号：CN1588628A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053864.6
申请日：2004-08-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/322 , H01L21/324
Abstract: 本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600－800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1－3℃/分的速度逐渐上升到1100－1200℃之间，并在该温度保温热处理2－16小时，最后，硅单晶片随热处理炉冷却至850℃温度以下，被缓缓取出热处理炉。本发明的直拉硅片内吸杂工艺与集成电路工艺相兼容，与通常的内吸杂工艺和MDZ工艺相比，它的热处理过程相对简单。同时形成的洁净区是真正的无缺陷区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1422991A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02151128.4
申请日：2002-12-02
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B27/00
Abstract: 本发明公开的氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法是:先将多晶硅在高纯氩气保护下,升温融化,待多晶硅融化后,将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气,高纯氮气的压力为5～200Torr,流量在1～200l/min,在氮气通入1～600分钟后,再转换为高纯氩气保护,直至硅晶体生长完成。采用本发明方法生产微氮硅单晶成本低,质量好,可以控制大直径硅单晶中氮的浓度,能够实现大规模生产,特别适用于8～12英寸以上微氮硅单晶的制备。
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公开(公告)号：CN1688015A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510050218.9
申请日：2005-04-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的以Ge－B共掺的直拉硅片作为衬底的P/P+硅外延片，其衬底中硼的浓度为3×1018～1×1020/cm3，Ge的浓度为1×1019～1×1021/cm3，在衬底上生长的硅外延层的厚度为0.5～150微米，电阻率在1～100欧姆厘米。本发明的硅外延片在重掺硼衬底直拉硅片中掺入适量的半径比Si原子大的Ge原子，可以减少衬底硅片中的晶格畸变，从而有效地消除了P/P+硅外延片中的失配位错。
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公开(公告)号：CN1519398A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN03150806.5
申请日：2003-09-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的硼，浓度为1×1013～1×1021cm－3的锗。用它作为硅外延的衬底，由于锗的原子半径大于基体硅原子，形成晶格补偿，使得晶格失配不再出现，能有效提高硅单晶的质量和成品率，从而能有效改善重掺硼硅外延片的质量。利于降低生产成本。而锗元素的最外层电子数和硅元素一样，都是4个，因此不会影响重掺硼硅单晶衬底和外延层的电学性能。
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公开(公告)号：CN1109778C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN00122075.6
申请日：2000-08-16
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B15/04
Abstract: 本发明公开了一种直拉硅单晶生长的重掺杂方法。其步骤如下：1)用高纯硅做成“伞形”掺杂器，“伞柄”即为籽晶；2)将“伞形”掺杂器倒夹在籽晶夹头上；3)掺杂剂倒入掺杂器内；4)待多晶硅熔化后，下降籽晶，使掺杂器浸入硅熔体内。本发明是通过掺杂器缓慢地进入熔硅内，避免了掺杂剂骤热而引起的爆炸，使掺入量能得到更好的控制，同时保证单晶炉膛干净，有利于单晶生长。进行重掺磷、重掺砷和重掺锑硅单晶的生长，有显著的经济效益。
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公开(公告)号：CN1337476A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN00122075.6
申请日：2000-08-16
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B15/04
Abstract: 本发明公开了一种直拉硅单晶生长的重掺杂方法。其步骤如下:1)用高纯硅做成“伞形,,掺杂器,“伞柄”即为籽晶;2)将“伞形”掺杂器倒夹在籽晶夹头上;3)掺杂剂倒入掺杂器内;4)待多晶硅熔化后,下降籽晶,使掺杂器浸入硅熔体内。本发明是通过掺杂器缓慢地进入熔硅内,避免了掺杂剂骤热而引起的爆炸,使掺入量能得到更好的控制,同时保证单晶炉膛干净,有利于单晶生长。进行重掺磷、重掺砷和重掺锑硅单晶的生长,有显著的经济效益。
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