公开(公告)号：CN1282231C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200410053864.6

申请日：2004-08-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 马向阳 ,  杨德仁 ,  田达晰 ,  宫龙飞 ,  李立本 ,  阙端麟

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600-800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1-3℃/分的速度逐渐上升到1100-1200℃之间，并在该温度保温热处理2-16小时，最后，硅单晶片随热处理炉冷却至850℃温度以下，被缓缓取出热处理炉。本发明的直拉硅片内吸杂工艺与集成电路工艺相兼容，与通常的内吸杂工艺和MDZ工艺相比，它的热处理过程相对简单。同时形成的洁净区是真正的无缺陷区。

公开(公告)号：CN1588628A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410053864.6

申请日：2004-08-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 马向阳 ,  杨德仁 ,  田达晰 ,  宫龙飞 ,  李立本 ,  阙端麟

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600－800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1－3℃/分的速度逐渐上升到1100－1200℃之间，并在该温度保温热处理2－16小时，最后，硅单晶片随热处理炉冷却至850℃温度以下，被缓缓取出热处理炉。本发明的直拉硅片内吸杂工艺与集成电路工艺相兼容，与通常的内吸杂工艺和MDZ工艺相比，它的热处理过程相对简单。同时形成的洁净区是真正的无缺陷区。