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公开(公告)号：CN114999920A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210682332.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种内侧墙制作方法，该方法包括：提供一衬底；衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；刻蚀牺牲层、沟道层和衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；形成沿第二方向排列的若干假栅结构；刻蚀每个鳍结构形成若干源/漏空腔；刻蚀每个鳍结构中牺牲层的沿第二方向上的两端，形成内墙空腔；以牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内墙；电介质材料填充于内墙空腔中；在源/漏空腔中外延源/漏层。本发明提供的技术方案通过在牺牲层的表面选择性生长电介质材料，解决了刻蚀附带损伤无法避免的问题，从而减少了附带损伤。
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公开(公告)号：CN113421964B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110677823.8
申请日：2021-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了1S1R型存储器集成结构的制备方法，包括制备选通器和阻变存储器，以及将所述选通器和所述阻变存储器串联。所述制备方法使用元素组成相同浓度不同的两份旋涂液和所述反溶剂分别配合使用并通过低温旋涂工艺沉积于两个柔性导电衬底，实现了所述两个柔性导电衬底的导电面覆盖的阻变层具有同种元素组成且厚度不同，然后通过所述步骤S3在不同厚度的阻变层表面分别沉积不同金属材料形成不同顶电极就能够得到选通器和阻变存储器，工艺简单且通过所述步骤S4在所述选通器的顶电极施加正向电压刺激后，将所述选通器和所述阻变存储器串联得到所述1S1R型存储器集成结构从而实现了1S1R结构的柔性集成。本发明还提供了一种1S1R型存储器集成结构。
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公开(公告)号：CN114639606A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210199870.0
申请日：2022-03-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
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公开(公告)号：CN114256075A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111437261.6
申请日：2021-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开一种高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管及其制备方法。该高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管的衬底中形成有U形沟槽，半浮栅和控制栅均嵌入在该U形沟槽中，分离栅形成在半浮栅和控制栅上方，并且控制栅和分离栅均采用金属。能够有效提高器件集成密度，提升器件的开关速度，减小器件的漏电，降低器件工作功耗，有利于器件的后续电路设计及芯片集成。
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公开(公告)号：CN114246709A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011013804.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学附属华山医院
IPC: A61F2/42
Abstract: 本发明提供一种人工踝关节假体组件，包括：距骨植入件、胫骨组件和内衬块；距骨假体本体的内侧部包括相连接的内侧前部和内侧后部，外侧部包括相连接的外侧前部和外侧后部；内侧后顶圆弧面的半径等于内侧前顶圆弧面的半径；内侧后顶圆弧面的半径大于外侧前顶圆弧面的半径；内侧后顶圆弧面的半径大于外侧后顶圆弧面的半径；内弧形凹陷部的曲率半径等于内侧后顶圆弧面的半径，外弧形凹陷部的曲率半径等于外侧后顶圆弧面的半径；内弧形凹陷部的外侧壁与外弧形凹陷部的内侧壁相交处形成底部凸出边沿；内衬块的底部凸出边沿插入距骨顶部凹缝中；衬块顶面与板体底面接触。本发明的人工踝关节假体组件用于在踝关节置换手术中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113889413A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111070721.6
申请日：2021-09-13
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
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公开(公告)号：CN113813091A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111101191.7
申请日：2021-09-18
Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院
IPC: A61F2/90
Abstract: 本发明涉及一种主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架，所述的主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架包括支架主体；所述的支架主体顶端设有左颈总动脉开窗和左锁骨下动脉开窗；所述的左颈总动脉开窗和左锁骨下动脉开窗底部通过涤纶材料分别缝制有呈“裤管形”的左颈总动脉分支和左颈总动脉分支；所述的左颈总动脉分支和左颈总动脉分支末端均通过编织型支架构建。其优点表现在：用于主动脉瘤累及左颈总动脉和左锁骨下动脉时，重建弓部分支动脉，维持分支动脉的血流灌注，改善头颈部和上肢血供情况，减少患者的缺血性并发症。
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公开(公告)号：CN113421965A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110680038.8
申请日：2021-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种选通器，包括底电极、阻变层和顶电极。所述选通器的阻变层固定于底电极上，顶电极固定于阻变层上，底电极的组成材料为ITO导电玻璃，阻变层为钙钛矿薄膜，顶电极的组成材料为银，选通器结构简单，生产效率高，选通器开启速度快，具有较高开关比，通过简单的电场扫描刺激，可以促使银元素进入阻变层，进而提高选通器的阈值开关速度，具有稳定的双向阈值开关性能。本发明还提供了所述选通器的制备方法，包括清洗ITO导电玻璃；配制有机无机杂化钙钛矿溶液；通过旋涂工艺将有机无机杂化钙钛矿溶液旋涂于ITO导电玻璃上，形成钙钛矿薄膜；通过真空蒸发工艺在所述钙钛矿薄膜上沉积银电极。所述选通器的制备方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN112992895A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110111817.6
申请日：2021-01-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/085 , H01L21/8252 , H02M3/155
Abstract: 本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法，其中的制备方法，包括：在所述P型衬底上形成若干N阱；在所述P型衬底上依次外延多个外延层；基于所述多个外延层，形成每个GaN基开关管的器件层；其中的第一GaN基开关管的器件层形成在所述N阱上，第二GaN基开关管的器件层形成在所述N阱外的所述P型衬底上；在所述第一GaN基开关管的器件层与所述第二GaN基开关管的器件层上分别形成第一衬底连接部与第二衬底连接部。本发明兼顾了高侧管、低侧管的集成需求，以及高侧管、低侧管衬底电压变化的一致性。
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公开(公告)号：CN110416287A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910618158.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L27/108
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明的半浮栅晶体管包括：衬底，具有第一掺杂类型，并有第二掺杂类型的重掺杂区；第一栅氧化层，部分覆盖重掺杂区；轻掺杂硅层，在重掺杂区表面上并延伸覆盖部分第一栅氧化层；第一多晶硅层，具有第一掺杂类型，在第一栅氧化层上，并覆盖部分所述轻掺杂硅层；第二栅氧化层，在第一多晶硅层和轻掺杂硅层上；第二多晶硅层，具有第二掺杂类型，在第二栅氧化层上；栅极侧墙；源区和漏区，在衬底中、栅极侧墙两侧。本发明提高了沟道和漏端电场随位置变化的斜率，使得TFET的隧穿从点隧穿变为面隧穿，从而大大提高半浮栅晶体管的隧穿几率，提高器件的速度。
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