公开(公告)号：CN222927205U

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202421917492.6

申请日：2024-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余华鑫 ,  李哲安 ,  谢豪泰 ,  李政宏 ,  廖宏仁

IPC: G11C7/10 ,  G06F30/333

Abstract: 一种输入/输出电路及记忆体电路，输入/输出电路包含旁路电路、第一锁存器、第二锁存器、第一晶体管及第二晶体管。旁路电路用以直接地接收数据信号并间接地接收写入启动信号。第一锁存器耦接于第一数据接线与第二数据接线之间。第二锁存器耦接至第一锁存器，且用以基于存在于第二数据接线上的电压准位产生数据输出信号。第一晶体管耦接至第一锁存器，且由感应启动信号门控。第二晶体管耦接至第一锁存器，且由时脉信号门控。第一晶体管及第二晶体管在输入/输出电路的多个操作模式中的每一者中交替地启动。

公开(公告)号：CN222319757U

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202420843191.7

申请日：2024-04-22

Applicant: 台积电(南京)有限公司 ,  台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林姿均 ,  黄健羽 ,  李政宏 ,  刘俊丞 ,  周晏圻 ,  徐绍轩

IPC: G11C11/4063 ,  H10B10/00

Abstract: 一种集成电路装置包含多个静态随机存取记忆体(SRAM)单元、一第一位元线、一电容器、一写入驱动器晶体管及一负电压产生器电路。该第一位元线与所述多个SRAM单元的一行耦接，其中该第一位元线实质上沿着一第一方向延伸。该电容器包含一第一电极及与该第一电极间隔开的一第二电极。在一俯视图中，该第一电极具有实质上沿着该第一方向延伸的至少一条第一金属线，且该至少一条第一金属线的一长度小于该第一位元线的一长度。该写入驱动器晶体管耦接于该第一位元线与该电容器的该第一电极之间。该负电压产生器电路耦接至该电容器的该第二电极。