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公开(公告)号：CN103361601B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310307061.8
申请日：2013-07-22
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种制作超高性能SERS基底的方法。首先，选取蝉翼、蝴蝶翅膀、金刚鹦鹉羽毛等生物微结构作为基板，对生物微结构基板进行简单的清洗、晾干和整形处理。然后，通过磁控溅射或者离子束溅射等精确镀膜方法在生物微结构基板上镀金、银等贵金属膜制作出SERS基底。通过控制镀膜厚度达到精确控制微纳结构间隙尺寸的目的，微纳间隙尺寸可控制到小于10nm。制作出的SERS基底具有大面积、低成本、均匀、环保、超灵敏且间隙精确可控等突出优点。本发明选取环保材料作为基板，用一种非常简单、成熟且低成本的方法制作出了符合实际应用需要和理论研究需要的高性能SERS基底，为SERS效应的理论研究和实际应用提供了强大工具和坚实基础。
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公开(公告)号：CN104310403A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410539525.2
申请日：2014-10-14
Applicant: 南开大学
IPC: C01B33/021 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种窄带发光黄色纳米硅颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片及收集装置置于加工腔内，在一定气压范围的氮气或惰性气体气氛环境下，飞秒激光辐照硅片制备窄带发光黄色纳米硅颗粒。实验表明收集物中不含制备环境中的气体元素杂质，主要为粒径1-4nm的单晶硅纳米颗粒，其间夹杂一些粒径为40-240nm的硅单晶大颗粒，室温可见光范围内表现出窄带发光性质。本发明方法简单易行，绿色环保；在飞秒激光辐照硅片过程中调控气压，优化了在气相中对纳米颗粒的收集，同时能够将颗粒粒径控制于很小范围内且不引入杂质，提高了收集的硅纳米颗粒的纯度。
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公开(公告)号：CN103995394A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410108057.3
申请日：2014-03-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K26/355 , B23K26/359 , B23K2101/36 , B23K2103/42 , B23K2103/56 , G02F1/133377 , G02F1/133711 , G02F1/1341 , G02F2001/133776 , G02F2202/023
Abstract: 本发明公开了一种基于激光直写的微纳区域液晶定向方法及其系统。本方法利用通过激光直写系统构建微纳结构；微纳结构区域内的液晶分子实现自定向；液晶的定向源于构成微纳结构的聚合物条带侧壁上的精细结构；所述微纳区域的尺寸从微米量级一直到超衍射极限的纳米量级。本发明方法及系统操作简单，不需要使用机械或光诱导的方式在基板上形成定向诱导膜，能在微纳区域内实现液晶的自定向，定向方向可微区域调控，有利于基于液晶器件的小型化和复杂三维液晶结构的定向，可广泛的推广应用。
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公开(公告)号：CN103361601A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310307061.8
申请日：2013-07-22
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种制作超高性能SERS基底的方法。首先，选取蝉翼、蝴蝶翅膀、金刚鹦鹉羽毛等生物微结构作为基板，对生物微结构基板进行简单的清洗、晾干和整形处理。然后，通过磁控溅射或者离子束溅射等精确镀膜方法在生物微结构基板上镀金、银等贵金属膜制作出SERS基底。通过控制镀膜厚度达到精确控制微纳结构间隙尺寸的目的，微纳间隙尺寸可控制到小于10nm。制作出的SERS基底具有大面积、低成本、均匀、环保、超灵敏且间隙精确可控等突出优点。本发明选取环保材料作为基板，用一种非常简单、成熟且低成本的方法制作出了符合实际应用需要和理论研究需要的高性能SERS基底，为SERS效应的理论研究和实际应用提供了强大工具和坚实基础。
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公开(公告)号：CN102206092B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110064158.1
申请日：2011-03-17
Applicant: 南开大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性。本发明解决了现有发光多孔材料发光波段范围不足，可选用泵浦光波长范围小以及能应用于上转换发光的多孔材料极少的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102534777A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210045148.8
申请日：2012-02-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钕磷酸钆钾激光晶体，分子式为Nd:KGdP4O12，属于单斜晶系，具有C2/c空间群结构，其中钕离子作为掺杂离子，取代钆离子的晶格位置，钕的掺杂浓度为1-20at.％；其制备方法是，以Gd2O3、Nd2O3、K2CO3和NH4H2PO4混合物为原料，以K2CO3和NH4H2PO4反应得到的偏磷酸钾为助熔剂，采用自助熔剂法制备。本发明的优点是：该激光晶体制备工艺简单、易于操作，制得的晶体不易解理，硬度适中，具有良好的机械性能、热学性能和光学光谱特性，用于固体激光器中作为工作物质，使用闪光灯或LD作为泵浦源，激发产生1.06μm波长的激光输出，可广泛用于光谱学、生物医学和军事领域。
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公开(公告)号：CN101550598B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910068819.0
申请日：2009-05-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN102206092A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110064158.1
申请日：2011-03-17
Applicant: 南开大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性。本发明解决了现有发光多孔材料发光波段范围不足，可选用泵浦光波长范围小以及能应用于上转换发光的多孔材料极少的问题。
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公开(公告)号：CN101266320A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710151177.1
申请日：2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B6/28
Abstract: 一种自泵浦延迟可调光脉冲群速延迟器。解决现有大可调范围群速延迟器对条件要求比较苛刻，比如超低温环境，独立的泵浦光源等问题。本发明延迟器包括一个平移台，位于平移台前方入射方向上的聚焦透镜，平移台上的非线性介质，及位于平移台后方出射方向上的小孔光阑构成。本发明对于光束的低空间频率部分产生延迟，通过非线性介质的色散，自泵浦即可达到要求，不需额外的泵浦源。由于是通过调节介质位置连续调节其色散，所以延迟连续可调。低空间频率的光既可以产生减慢效应，也可以产生加快效应，这样就可以产生以往常规方法所不能产生的群速加快结果，其功能相当于使被延时的信号产生时间上的提前量，拓展了延迟器的应用前景。
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公开(公告)号：CN101165228A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710058844.1
申请日：2007-08-16
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种铌酸锂pn结及其制备方法。铌酸锂pn结是将两种不同载流子类型的铌酸锂晶体结合在一起，其结晶化学式可表示为：p:LiNbO3/n:LiNbO3，其中，p是镁、铟、锌、铪、锆等抗光折变掺杂元素中的一种或几种的组合，n是铁、铜、猛、铈等光折变掺杂元素中的一种或几种的组合。制备方法是，用提拉法生长p:LiNbO3晶体，切成p:LiNbO3晶片，作为液相外延的衬底；配制n:LiNbO3粉料，先升温熔融，再降至熔点；将第一步中的衬底焙烧，放入熔体中外延生长，将外延晶片抽离熔体，降至室温；外延晶片单面抛光，可得铌酸锂pn结。本发明铌酸锂pn结具备有正向导通、反向截至的整流特性。它将铌酸锂优良的电光性能与pn结有机地结合起来，可作为集成光电子学的平台，具有突破性的意义及巨大的市场前景。
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