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公开(公告)号：CN114737250A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210410043.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备，涉及GaN材料制备技术领域，包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统，通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域，使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度；利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度，以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数，使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长，确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴，不会出现裂解而影响晶体结构，进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外，通过集成激光提高晶体生长局域温度，在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场，从而有效降低设备制造成本。
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公开(公告)号：CN114569754A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210343633.7
申请日：2022-04-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种用于中药粉的紫外消毒灭菌装置及消毒灭菌方法，该紫外消毒灭菌装置包括支撑组件、消毒组件及控制器，支撑组件包括外壳、透明滚筒及转轴，透明滚筒转动连接于外壳内，透明滚筒用于装载中药粉，转轴穿设透明滚筒，转轴用于带动透明滚筒转动；消毒组件包括PCB板与多个UVC‑LED灯，PCB板安装于外壳内，各UVC‑LED灯电连接PCB板；控制器用于控制转轴与UVC‑LED灯的运作。本紫外消毒灭菌装置通过将中药粉放置于透明滚筒，在UVC‑LED灯的照射下，实现灭菌，且对多数细菌、病毒、微生物的消毒灭菌广谱有效，不会改变中药粉的物质特性或药性成分；通过转轴带动透明滚筒转动，使中药粉在透明滚筒中翻动，不会导致粉粒体结块、沉淀、堆积，达到完全消毒灭菌的作用，使用方便。
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公开(公告)号：CN114318521A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633010.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本申请公开了一种金刚石生长方法，所述生长方法包括如下步骤：S1、选取金刚石籽晶，S2、选取陪料，S3、金刚石籽晶转移，S4、抽真空，S5、金刚石生长，S6、取出金刚石成品。本申请中陪料包围金刚石籽晶，金刚石籽晶有一部分露出陪料，陪料的导热率比金刚石低，陪料的存在能减少金刚石生长面与非生长面之间的温差，避免金刚石在生长过程中由于局部温差过大而产生应力或生长出多晶，陪料与金刚石籽晶一起保持振动或转动，可以使得金刚石籽晶的不同表面都有机会接触包含碳源的等离子体，便于金刚石籽晶在三维方向连续生长。
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公开(公告)号：CN114300600A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111643828.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种无机封装180度出光的LED透镜结构及制作方法，该LED透镜结构包括透镜本体与连接层，连接层附着于透镜本体的底部，连接层为金锡合金层，连接层与封装基板的金锡合金层通过共晶焊接连接；透镜本体凹设有封装碗杯腔，封装碗杯腔用于容纳LED芯片。本无机封装180度出光的LED透镜结构通过将金锡合金的连接层与封装基板的金锡合金层共晶焊接连接，实现无机封装；通过透镜本体凹设有封装碗杯腔，在无机封装过程中，封装基板无需制作内腔碗杯或金属内框，可以进行平面封装基板封装，实现180度透明出光；本LED透镜结构无需有机胶进行化学键合粘接，实现了无机气密封装焊接，因为180度透明出光，既提高了LED光源的可靠性，又提升了LED的光效和光功率。
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公开(公告)号：CN113981444A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111211331.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤指一种薄层器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在衬底上利用PVD方法制备一层氮化铝薄膜；在衬底的氮化铝薄膜上利用MOCVD方法生长出器件功能层，即获得薄层器件，该薄层器件包括衬底及依次设置在衬底上的氮化铝薄膜及器件功能层。本发明采用技术方法不需要传统器件材料的缓冲层及掺杂层，直接通过氮化铝薄膜把器件功能层与衬底结合在一起，实现低成本、低应力、高均匀性的薄层器件材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113851923A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111217165.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及激光器封装技术领域，尤指一种激光器TO封装结构，包括管座、罩设于管座的管壳、设置在管座上的管舌、激光器芯片及过渡热沉；激光器芯片通过过渡热沉与管舌连接；管舌的外表面设有相变材料层。本发明可以通过管舌上的相变材料层进行相变潜热散热，提高了激光器的散热能力；另外由于激光器芯片与管舌之间通过过渡热沉连接，过渡热沉可以消除温度变化过快而导致产生应力的情况发生，使系统保持稳定工作状态。
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公开(公告)号：CN113571505A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110790367.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L25/075 , G02B30/52 , H01L33/00 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种立体显示装置及加工方法、立体显示屏，应用于电子显示技术领域。本发明提供的立体显示装置包括发光显示模块和控制电路模块，所述发光显示模块与所述控制电路模块电连接，其特征在于，所述发光显示装置包括多层发光层，每层所述发光层经过压制贴合构成所述发光显示装置；所述发光显示模块与所述控制电路模块通过柔性电路模块进行电连接；所述控制电路模块通过控制电路控制所述发光显示装置的工作状态。本发明提供的立体显示装置用以提高立体显示装置的成像效果。
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公开(公告)号：CN110616462B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910965282.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga‑Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。
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公开(公告)号：CN110504231B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910880306.3
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/14 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体功率器件，包括基板和功率芯片，还包括覆盖层，基板设有图形化单元，基板的厚度匹配功率芯片设置，功率芯片的高度低于基板的厚度，功率芯片对应图形化单元安装，覆盖层盖设于基板设有图形化单元的一面，功率芯片经覆盖层覆盖安装于基板，本发明结构简单，设计合理，图形化单元的高度匹配功率芯片的厚度设置，装设后，功率芯片的高度低于基板，便于覆盖层的设置，也便于散热，使用效果好；本发明的制备方法，其工艺简单，便于工业化生产制造，且制备的半导体功率器件散热效果好。
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公开(公告)号：CN112064111A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010830589.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法，该装置包括包括壳体、直径检测单元、升降式旋转支架和掩膜单元，壳体通过狭缝隔板分成上腔室和下腔室，上腔室内设有微波等离子体；本发明的方法通过升降式旋转支架带动金刚石圆片转动及升降，金刚石圆片一部分穿过狭缝隔板暴露在微波等离子体中，掩膜单元在金刚石圆片上涂布掩膜，抑制金刚石圆片的轴向生长，使得金刚石圆片只沿着径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片；并且根据直径检测单元的反馈，随着金刚石圆片直径生长变大，升降式旋转支架逐步降低，维持金刚石圆片的顶部高度不变，以便在微波等离子体下形成稳定的生长环境。
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