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公开(公告)号：CN117535790A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410033428.X
申请日：2024-01-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法。本发明的分子束外延生长台包括声表面波发生器和供电支架；本发明的分子束外延生长台能够直接应用于真空分子外延生长设备中生长半导体晶体，供电支架为表面波发生基底以无线射频形式提供设定频率的交流电信号，在分子外延生长的过程中原位产生声表面波，从而实现声表面波辅助的半导体晶体的分子束外延生长；并且，压电半导体薄膜采用具有良好耐热性的材料，能够在高温正常工作；本发明设计的结构能够很好与当前商用分子外延生长设备兼容，在无需改装生长腔体的情况下原位产生声表面波，从而辅助分子外延生长。
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公开(公告)号：CN116031277B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310082708.5
申请日：2023-02-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。本发明的显示芯片单元包含红光、绿光和蓝光微型发光二极管显示像素，极大地简化三基色微型发光二极管向显示面板的转移工艺，提高了显示面板的成品率；三基色微型发光二极管显示像素集中分布在同一芯片单元上，便于缩小三基色像素之间的间距，增强混光效果；同时单片集成芯片提高了发光区域的面积占比，有利于提高微型发光二极管显示器的分辨率；三基色微型发光二极管由相同材料构成，并在同一衬底上外延制备获得，三基色微型发光二极管独立可控，有利于提高芯片间的发光一致性和显色性能；与现有的发光二极管的芯片工艺流程兼容，易于将本发明直接应用到大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN114318307B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
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公开(公告)号：CN115910782B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211708231.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
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公开(公告)号：CN112531015B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011387036.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氮化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116759502A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311069998.6
申请日：2023-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/28 , H01L33/34 , H01L25/075
Abstract: 本发明提供了一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片，包括：至少一个芯片单元；所述芯片单元包括：依次排布的第一N型导电层、红光II型超晶格层、第一P型导电层、绿光II型超晶格层、第二N型导电层、蓝光II型超晶格层和第二P型导电层，所述第一N型导电层在最底层，所述二P型导电层在最上层；所述红光II型超晶格层、绿光II型超晶格层和蓝光II型超晶格层由第一半导体材料和第二半导体材料周期排列构成。本发明解决了II型异质结作为发光二极管有源区时电子空穴复合效率较低的问题，扩充了全彩微型发光二极管显示芯片的材料选择范围。
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公开(公告)号：CN114551654B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210065490.8
申请日：2022-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro‑LED通信性能的方法及器件。该蓝绿光Micro‑LED器件包括：衬底、AlN缓冲层、u‑GaN外延层、n型电子提供层、n型电子传输层、InGaN/GaN晶格过渡层、量子阱发光层、spacer外延层、电子阻挡层、复合p型空穴注入层、p型欧姆接触层和接触电极，其中复合p型空穴注入层由p‑AlGaN/p‑GaN超晶格和极化诱导p‑AlGaN组成。相比于传统p‑GaN，复合p型空穴注入层可以提高膜层空穴浓度和电导率，且空穴浓度的增加可以加速电子空穴复合速率，降低量子阱中的载流子寿命，从而增大Micro‑LED的调制带宽。此外，输出光功率及调制带宽的增加进一步提高了Micro‑LED的数据传输速率。
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公开(公告)号：CN116607217A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310518226.X
申请日：2023-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了大尺寸低应力的氮化物外延材料和制备方法，该制备方法包括采用物理气相沉积法在C面蓝宝石衬底上沉积生成第一三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第一三维柱状结构上生成氮化铝外延结构；采用物理气相沉积法在氮化铝外延结构上沉积生成第二三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第二三维柱状结构上生成外延功能层；本发明外延结构的厚度远小于传统外延材料的厚度，极大地节约了外延结构的制备时间和制备成本，且由于外延结构厚度小，无需设计应力释放层和高耐压调控层，进一步减少制备工序和制备成本。
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公开(公告)号：CN116153244B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310180268.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种用于LED驱动的PWM和PAM复合型显像方法。本发明合成的电流驱动信号用于图像灰度数据的显示，高位灰度数据的循环显示提升了显示刷新率；在低灰度图像显示时，设定最小脉宽阈值，当输入图像的灰度数据小于幅值调整阈值脉宽对应的灰度数据时，不再减小电流脉冲宽度，而是调整电流脉冲幅值；通过对低灰度图像数据的电流脉冲幅值和电流脉冲宽度的混合调制，提高了低灰度图像的显示刷新率，并避免了低灰度图像显示时的“麻点”效应，提高了显示效果；本发明通过电流脉冲宽度和电流脉冲幅度的混合调制方式，提高了在显示低灰度图像时的刷新率，使得显示效果稳定；避免了在显示低灰度图像时的“麻点”效应，使得显示效果良好。
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公开(公告)号：CN116497455A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310781440.4
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法。本发明利用氮化物铁电半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异，通过在氮化物铁电半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构，实现铁电畴尺寸可调制的高效氮化物铁电半导体，并避免了失效层的形成；同时利用二维晶体的层间范德瓦尔斯力作用结合力弱的特点，有效释放单个铁电畴中的应力，同时释放铁电畴与衬底之间异质界面的强耦合作用，进一步提升铁电性的稳定性和可靠性；更进一步，采用本发明的方法外延生长的氮化物铁电半导体，能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等。
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