-
公开(公告)号:CN100546098C
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200480042366.X
申请日:2004-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 后藤尚久
IPC: H01P5/12
CPC classification number: H01J37/32229 , H01J37/32192
Abstract: 一种分配器(30),包括连接到微波振荡器(20)的方形波导管(31)和具有多个在窄壁(41B)中形成的开口(43)的方形波导管(41)。方形波导管(31)是中空的。相对介电常数为εr的波延迟部件(53)被配置在方形波导管(41)中。两个方形波导管(31、41)的窄壁(31A、41A)互相接触,并且两个波导管(31、41)通过其相互连通的连通孔(32)形成于窄壁(31A、41A)中。即使连通孔(32)的宽度减小,两个波导管(31、41)的宽度也不在其连接部分处变窄。由此,可抑制能够通过连接部分的频带变窄。因此,能够减小在输入到分配器(30)的电磁波的频率改变时出现的反射损失。
-
公开(公告)号:CN100479109C
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200510077566.5
申请日:2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置,由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性,防止异常放电。
-
公开(公告)号:CN100473760C
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN00802778.1
申请日:2000-01-13
IPC: C23C30/00
CPC classification number: C23C8/02 , C23C26/00 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的是在任意金属材料上,形成不含其它金属氧化膜的、耐蚀性好的氧化铬膜。可低价地、在短时间内形成不含其它金属氧化膜的、耐蚀性好的氧化铬膜,可提供能安全地供给强腐蚀性流体的流体供给系统。在表面粗度(Ra)1.5μm以下的金属材料上,覆盖铬后,在氧化性环境中进行热处理,形成由氧化铬构成的非动态膜。
-
公开(公告)号:CN100468267C
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200380100257.4
申请日:2003-12-18
IPC: G05D16/02
CPC classification number: F16K47/02 , F16K47/023 , F16L55/043 , Y10T137/0324 , Y10T137/0379 , Y10T137/0396 , Y10T137/7761 , Y10T137/86389 , Y10T137/86461
Abstract: 通过极为简单的装置及操作,不会发生水击、而且在短时间内,可以将流体通路紧急关闭。为此,由以下部分构成无水击关闭装置:加装在流体通路上的致动器动作式阀;向致动器动作式阀供应两级阶梯状的致动器动作压力Pa的电-气变换装置;可自由拆装地固定到前述致动器动作式阀的上游侧管路上的振动传感器;输入由振动传感器检测出来的振动检测信号Pr、并且向电-气变换装置输出控制前述两级阶梯状的致动器动作压力Pa的阶梯动作压力Ps′的大小的控制信号Sc,通过该控制信号Sc的调整、从电-气变换装置输出振动检测信号Pr基本上成为零的阶梯动作压力Ps′的两级阶梯状的致动器压力Pa的调整箱。
-
公开(公告)号:CN101268411A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200580051600.X
申请日:2005-09-16
Applicant: 大见忠弘
IPC: G02F1/13 , H01L29/786 , G02F1/1333 , G09F9/30 , C23C8/14 , H01L21/31 , C23C4/10 , H05K3/28 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的目的在于发现由于电子装置制造时使用的加热处理装置中的气氛,制造的电子装置叠置材料特性受到坏影响,从而减轻该坏影响。为了实现该目的,利用氧化物钝态膜覆盖加热处理装置的内表面,并且将该内表面的表面粗糙度以中心平均粗糙度Ra设为1μm以下。在这样的加热处理装置中,减轻在固化热固化性树脂时,热固化性树脂的分解、离解引起的热固化性树脂的劣化。
-
公开(公告)号:CN100419385C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200480018993.X
申请日:2004-06-18
CPC classification number: G01F1/50 , G01F1/42 , G05D7/0635
Abstract: 本发明的课题在于使差压式流量计的构造简化而实现制造成本的降低,并且能够在100%~1%的较广的流量范围内实时地且以在线状态进行误差(E)为(1%SP)以下的高精度的流量计测。为此,在包括孔口测流计、孔口测流计上游侧的压力(P1)的检测器、孔口测流计下游侧的流体压力(P2)的检测器、孔口测流计上游侧的流体温度(T)的检测器、利用来自上述各检测器的检测压力(P1、P2)及检测温度(T)运算流过孔口测流计的流体流量(Q)的控制运算电路的差压式流量计中,根据见右下公式(其中,C1为比例常数,m和n为常数)来运算前述流体流量(Q)。
-
公开(公告)号:CN101263589A
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200580051562.8
申请日:2005-09-13
Applicant: 大见忠弘
IPC: H01L21/677 , H01L21/02 , H01L29/78 , B65G49/00 , B65G49/07 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/3003 , B65G2201/0247 , H01L21/31 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片,抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。
-
公开(公告)号:CN100405557C
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN03800685.5
申请日:2003-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/31 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244
Abstract: 一种等离子体处理装置,其具有:处理容器,由外壁围成,具有支承被处理衬底的支承台;排气系统,与所述处理容器相结合;微波透过窗,作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上面,并与所述支承台上的被处理衬底相对;等离子体气体供给部分,向所述处理容器中供给等离子体气体;以及微波天线,对应于所述微波设置在所述处理容器上面;其中,所述等离子体气体供给部分包括多孔介质,并通过所述多孔介质向所述处理容器供给所述等离子体气体。
-
公开(公告)号:CN100341775C
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN00801626.7
申请日:2000-07-21
IPC: C01B5/00
CPC classification number: B01J3/006 , B01J7/00 , B01J12/007 , C01B5/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种安全的减压型水分发生供给装置,该装置减压供给(例如数托)水分气体,较高地保持水分发生用反应炉的内压,这样,可防止氢的自燃,本发明的另一目的是提供一种水分发生用反应炉,是通过对水分发生用反应炉高效率地进行冷却,便可在不增大反应炉尺寸的情况下使水分发生量大幅度增加的水分发生用反应炉。因此,本发明的减压型水分发生供给装置的特征在于:由水分发生用反应炉和减压机构构成,其中水分发生用反应炉是由氢和氧通过催化剂反应而发生水分气体;减压机构设在该水分发生用反应炉的下流侧,水分气体通过该减压机构减压后供给下流侧,与此同时较高地保持反应炉内的内压。本发明的散热式水分发生用反应炉由将入口侧炉主体部件和出口侧炉主体部件组合起来而形成有内部空间的反应炉主体、和贴紧在上述各炉子主体部件的外壁面上的散热片底板、及立设在该散热片底板上的多个散热用散热片构成,利用上述散热用散热片对发生的热量进行强制性辐射,使反应炉的温度降低。并且,对散热用散热片进行氧化铝膜加工,使热辐射率大幅度提高,而使散热效率进一步提高。
-
公开(公告)号:CN1913956A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200580003361.0
申请日:2005-01-25
CPC classification number: B01J19/088 , B01J2219/0883 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894
Abstract: 在本发明的废气处理方法中,将在半导体装置的制造设备内处于激励状态的废气,以减压状态下导入到处理部的等离子处理部,由在等离子处理部中产生的等离子来维持激励状态的状态下,导入到反应除去部的反应器中,与填充在反应器中的由粒状氧化钙构成的反应除去剂发生反应而除去废气中的有害气体成分。也可以向等离子处理部供氧,在等离子的存在下,氧化分解有害气体成分之后,使之与反应除去剂发生反应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-