公开(公告)号：CN101916761A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010231684.8

申请日：2010-07-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明公开了一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述SOI包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。本发明可以将器件内部产生的热量通过导电层迅速排至外部，有效减小SOI的自热效应；而且使非绝缘性的衬底效果和完全绝缘的衬底一样；此外其可以释放界面积聚的多余电荷，缓解纵向电场对器件内部电荷分布的影响。

公开(公告)号：CN101916729A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010234273.4

申请日：2010-07-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有多层超结结构的SOI LDMOS器件的制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构；然后在形成有至少一层超结结构的SOI衬底上制备外延层，利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件制作另一层超结结构，且使上下层超结结构的n型柱区和p型柱区交错排列，得到至少由两层超结结构组成的多层超结结构；之后再制作体区、栅区、源区、漏区和体接触区完成器件。该方法通过外延及离子注入技术形成多层超结结构，且上下两层超结结构的p/n型柱区交错排布，能够进一步提高p/n型柱区间的接触面积，且不会带来显著的副作用，保证器件的抗击穿能力比传统的超结LDMOS更高。

公开(公告)号：CN101789435A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910200718.4

申请日：2009-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  俞跃辉 ,  肖德元 ,  王中健 ,  徐大朋

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/38 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的栅区、源区、沟道区、漂移区、漏区，所述栅区与埋氧层垂直并直接接触，沟道区和漏区之间设有pn柱区上下排列的漂移区，且漂移区中居于下方的柱区与漏区掺杂类型一致。本发明在垂直栅SOI CMOS器件的基础上，将单一掺杂类型的漂移区改造成pn柱区交错的漂移区，尽可能使得漂移区在达到击穿电压时全耗尽，各处电场分布得到优化，电场峰值在漂移区、漂移区与沟道区交界处、漂移区与漏区交界处降低并平坦化，在继承了垂直栅SOI CMOS器件消除浮体效应的基础上，大大提升了SOI LDMOS的抗高压击穿能力。

公开(公告)号：CN207938616U

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201820359523.9

申请日：2018-03-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 沈玲燕 ,  程新红 ,  郑理 ,  张栋梁 ,  王谦 ,  顾子悦 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本实用新型提供一种基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件，该器件包括层叠的GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区以及GaN外延层，所述GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区及GaN外延层的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，穿过n型导电的GaN外延层及p型导电的GaN阱区，并延伸至n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于栅沟槽的底部及侧壁，AlGaN层与p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p-GaN异质结沟道；栅介质层；栅极金属层；接触槽，接触槽中填充有金属接触层，金属接触层与GaN阱区形成欧姆接触；上电极以及下电极。本实用新型可有效提高沟道电子迁移率，减小器件导通电阻，同时提高阈值电压实现增强型的器件结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN203595959U

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201320827806.9

申请日：2013-12-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张正民 ,  董春雷 ,  李建朋 ,  金星 ,  宁振球 ,  俞跃辉

IPC: G05F1/10

Abstract: 本实用新型提供一种基于电流模的总线接收器，所述总线接收器至少包括参考电压产生单元，用于产生总线信号的参考电压；第一电压电流转换单元，与所述参考电压产生单元相连，用于将所述参考电压转换成参考电流；第二电压电流转换单元，用于将接收的总线信号转换成总线信号电流；电流模比较单元，与所述第一电压电流转换单元以及所述第二电压电流转换单元相连，用于接收所述参考电流和所述总线信号电流，输出总线读取电压信号。所述总线接收器还包括总线信号滤波单元用于对接收的总线信号进行滤波处理。所述基于总线接收器还包括输出信号滤波单元用于接收所述总线读取电压信号并进行滤波调整。所述总线接收器具有低功耗、高抗EMI的性能。