-
公开(公告)号：CN115436847A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210974923.1
申请日：2022-08-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本申请适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了金刚石色心微波激射器及其制备方法，该金刚石色心微波激射器包括：铜腔体；蓝宝石谐振体，蓝宝石谐振体位于铜腔体中部；金刚石色心，金刚石色心位于蓝宝石谐振体中部；粗光纤，粗光纤的第一端与金刚石色心连接，粗光纤的第二端用于与激光器连接；第一磁通量聚集器和第二磁通量聚集器；第一铜线圈和第二铜线圈；第一磁通量聚集器的第一端与第一铜线圈连接，第一磁通量聚集器的第二端与金刚石色心下表面连接，第二磁通量聚集器的第一端与第二铜线圈连接，第二磁通量聚集器的第二端与金刚石色心上表面连接。本申请减小了激射器的体积、质量和功耗，解决了传统的激射器偏执强磁场施加困难的难题。
-
公开(公告)号：CN110676311B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910841413.5
申请日：2019-09-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明适用于半导体晶体管制备技术领域，提供了一种柔性晶体管的制备方法，包括：将获取的六方氮化硼h‑BN薄膜转移至预设衬底表面；在所述h‑BN薄膜上制作导电沟道、源漏电极、栅介质层以及栅电极，获得晶体管样品；在所述晶体管样品上旋涂柔性衬底溶液并经过干燥处理，获得在所述晶体管样品上形成的柔性膜；将所述晶体管样品与所述柔性膜从所述预设衬底上剥离，获得柔性晶体管。本发明中的柔性晶体管的制备方法，避免了直接在柔性衬底上制备晶体管具有对准偏差且性能退化的问题，同时采用柔性膜包覆晶体管样品，解决了柔性晶体管在弯折过程中电极易脱落的问题。
-
公开(公告)号：CN115219961A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210712626.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁力探测器及探测系统。该金刚石NV色心磁力探测器包括：包括金刚石NV色心系综薄片、第一磁通量聚集器、第二磁通量聚集器和抛物面透镜；金刚石NV色心系综薄片包括NV色心层和与NV色心层边缘集成的高纯衬底层；高纯衬底层的色心浓度小于预设阈值；金刚石NV色心系综薄片，上表面与第一磁通量聚集器边缘接触集成，下表面与第二磁通量聚集器边缘接触集成；高纯衬底层远离NV色心层的一侧与抛物面透镜边缘接触集成；其中，NV色心层在外部激发源的激发下产生荧光，经过高纯衬底层的荧光传输，从抛物面透镜中射出。本发明能够提高磁探测的探测灵敏度。
-
公开(公告)号：CN115172342A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210876663.4
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种太赫兹倍频器芯片、制备方法及通信装置。该太赫兹倍频器芯片，包括：第一晶圆芯片及第二晶圆芯片；第一晶圆芯片的正面设置有第一集成电路，第二晶圆芯片正面设置有第二集成电路，第一集成电路和第二集成电路电连接，用于倍频；第一晶圆芯片的背面和第二晶圆芯片的背面背靠背设置。本发明将太赫兹倍频器电路制备在两个背靠背的晶圆芯片上，有效减小了太赫兹倍频器芯片的体积，合成效率高，且提高了芯片的耐受功率和输出功率。
-
公开(公告)号：CN114975637A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210471231.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/812 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/16 , H01L29/06
Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了高频场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在金刚石衬底上形成氢终端；在氢终端上表面形成源极与漏极金属层，源极与漏极间隔设置，形成源漏欧姆接触；在氢终端上表面形成第一钝化层，在第一钝化层与栅极对应的区域，形成有裸露氢终端的栅槽；在氢终端上和栅槽内形成栅金属层；在第一钝化层上形成第二钝化层，在第二钝化层与源极与漏极对应的区域，形成有裸露源极与漏极的刻蚀图形；根据刻蚀图形，刻蚀形成源极与漏极。本申请通过采用可控的介质代替不可控的空气气氛吸附，通过低损伤的湿法腐蚀实现介质的刻蚀，从而实现基于氢终端金刚石衬底高频场效应晶体管的低损伤制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114047556A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111348894.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该磁力探测头包括：金刚石NV色心系综样品，其为毫米级块状结构、内部阵列设置多个用于冷媒流通的微流道，各微流道的一端与用于冷媒入口的冷媒管密封连接、另一端与用于冷媒出口的冷媒管密封连接；微波天线，设置在金刚石NV色心系综样品表面，用于与微波源连接；光纤，与金刚石NV色心系综样品的一端面连接、且避开冷媒管所在的端面。本发明能够通过在毫米级的金刚石NV色心系综样品内部设置用于冷媒流通的微流道，可通过在微流道内部通入冷媒，降低金刚石NV色心系综样品的整体温度，提高探测灵敏度。
-
公开(公告)号：CN113933906A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111350561.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁力探测模块及磁力探测系统。该金刚石NV色心磁力探测模块包括：连接有光纤的金刚石NV色心系综薄片、分别设置在金刚石NV色心系综薄片上下表面的磁通量聚集模块以及微波天线模块；金刚石NV色心系综薄片的侧面设有凹槽，光纤设于凹槽内；在金刚石NV色心系综薄片的表面溅射有镜面全反射镀层、且镜面全反射镀层避开凹槽；微波天线模块至少设置两个，分别设于金刚石NV色心系综薄片与磁通量聚集模块之间，微波天线模块用于与微波源连接；其中，金刚石NV色心系综薄片在激光和微波源的激发下产生的荧光，经过镜面全反射镀层从光纤中射出。本发明提供的磁力探测系统体积较小，方便携带，且探测灵敏度高。
-
公开(公告)号：CN112174121B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011034039.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在金属衬底表面生长石墨烯层；采用电子束蒸发法在石墨烯层上形成可与石墨烯形成低范德华力结合的金属层；在所述金属层上形成光刻胶层；将含胶软膜粘附在所述光刻胶层表面，剥离所述金属层和光刻胶层。本发明提供的制备大尺寸清洁石墨烯的方法，无需特殊控制操作环境的，独创性地利用材料界面间的范德华力的差异，实现了大尺寸石墨烯表面无定形碳的剥离，将石墨烯表面处理至原子级的洁净，对于扩大石墨烯在光电领域的应用具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN109786256B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910044987.X
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件领域，包括：淀积第一金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；淀积第二金属掩膜层；制备第二光刻胶层，曝光、显影，形成至少一个栅区域图形，栅区域图形偏向源金属层；湿法腐蚀去除源金属层和漏金属层之间的第一金属掩膜层和第二金属掩膜层；在栅区域图形处淀积栅金属层；剥离去除第二光刻胶层。本发明提供的自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法，栅偏源制备，可以兼顾饱和电流，提高器件击穿电压，获得高功率密度。
-
公开(公告)号：CN109786498B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811503129.9
申请日：2018-12-10
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法，元件包括自下而上分布的衬底、沟道层和红外辐射吸收层，沟道层上分别设有源极、漏极、第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层采用具有热释电效应的介质层，第二栅介质层采用不具有热释电效应的介质层，沟道层为二维材料沟道层。本发明的红外辐射吸收层能吸收一定的红外辐射产生相应的温度变化，进而通过第一栅介质层的热释电效应产生极化电荷变化，配合第二栅介质层引起沟道电流变化，使得探测元件实现了放大功能，提高了灵敏度；以整个探测元件作为检测沟道电流变化的检测器件，提高了响应速度；沟道层利用了二维材料，降低了功耗，可广泛应用于半导体技术领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
157
records
(took 0.044 seconds)
