压电射频微机电系统装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN1975956A

    公开(公告)日:2007-06-06

    申请号:CN200610136623.7

    申请日:2006-10-31

    CPC classification number: H01H57/00 H01L41/094 H01L41/314 H01L41/33

    Abstract: 本发明涉及一种压电射频(RF)微机电系统(MEMS)装置及其制造方法,其中RF MEMS装置基于压电效应以低压向上驱动。所述压电RF MEMS装置包括:提供有RF输出信号线的上基板;设置于RF输出信号线下的压电致动器;和提供有空腔的下基板,从而压电致动器的一端固定到下基板且其另一端可移动且与上和下基板分开,其中压电致动器提供有在其上的RF输入信号线,且接触焊盘被提供以当压电致动器被向上驱动时将RF输出信号线与RF输入信号线连接。制造压电RF MEMS装置的方法包括:提供包括RF输出信号线的上基板;提供包括压电致动器的下基板,压电致动器具有对应于RF输出信号线的RF输入信号线;且组装上基板和下基板。

    半导体器件及其制造方法
    130.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111403387A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201910740640.9

    申请日:2019-08-12

    Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:第一半导体层,具有第一区域和第二区域;多个第一沟道层,在第一半导体层的第一区域上沿垂直方向彼此隔开;第一栅电极,围绕所述多个第一沟道层;多个第二沟道层,在第一半导体层的第二区域上沿垂直方向彼此隔开;以及第二栅电极,围绕所述多个第二沟道层,其中,所述多个第一沟道层中的每个具有第一晶向,并且所述多个第二沟道层中的每个具有不同于第一晶向的第二晶向,其中,所述多个第一沟道层中的每个的厚度不同于所述多个第二沟道层中的每个的厚度。

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