箔片电容器和用于生产箔片电容器的方法

    公开(公告)号:CN106935404A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201610896244.1

    申请日:2016-10-14

    CPC classification number: H01G4/012 H01G4/232 H01G4/32 H01G4/33

    Abstract: 本发明涉及箔片电容器和用于生产箔片电容器的方法,所述箔片电容器具有包括非导电第一膜和第二膜以及导电第一金属层和第二金属层的层布置,其中第一金属层形成第一齿,其中第二金属层形成第二齿,其中层布置被布置成在层布置的纵向方向上卷起并且第一齿和第二齿以及第一切口和第二切口被布置成使得第一金属层的相互堆叠地布置的部分的第一齿以及第二金属层的相互堆叠地布置的部分的第二切口在第一金属层的法向方向上延伸的至少一个第一行中以对齐方式相互堆叠地布置,并使得第二金属层的相互堆叠地布置的部分的第二齿以及第一金属层的相互堆叠地布置的部分的第一切口在第一金属层的法向方向上延伸的至少一个第二行中以对齐方式相互堆叠地布置。

    用于测定半导体开关的温度的方法和设备

    公开(公告)号:CN103033275B

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201210376118.5

    申请日:2012-09-29

    Abstract: 本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备,其中该半导体开关(1)具有集成的栅极电阻(RGint),该方法具有如下方法步骤:-通过经与半导体开关(1)的栅极电阻端子GA)连接的外部电阻(Rext)提高半导体开关(1)的栅极-发射极电压(UGE)来接通半导体开关1),-测定在提高半导体开关(1)的栅极-发射极电压(UGE)期间栅极-发射极电压(UGE)从第一电压(U1)上升到第二电压(U2)需要的持续时间dt),以及-借助所测定的持续时间(dt)来测定半导体开关(1)的温度(T)。此外,本发明涉及一种用于测定半导体开关(1)的温度(T)的相关设备。本发明使高动态地测定半导体开关(1)的温度成为可能。

    用于功率半导体模块的连接装置

    公开(公告)号:CN102386148B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201110264086.5

    申请日:2011-09-01

    Abstract: 一种用于功率半导体模块(34)的连接装置(10),该功率半导体模块具有用于至少一个电路基板(48)的壳体(60)和用于连接元件的压力接触连接的压力体(32),该连接元件构造为带有第一接触部分(42)和第二接触部分(38)以及在第一接触部分(42)与第二接触部分(38)之间的弹簧区段(50)的接触弹簧(18),连接装置(10)具有配属于壳体(60)的第一弹簧井状体(12)和配属于压力体(32)的第二弹簧井状体(14),第一弹簧井状体与第二弹簧井状体在轴向上相互对齐地连接成弹簧井状部(16)且能相对彼此在轴向上受限制地运动,接触弹簧(18)不会失去地设置在弹簧井状部(16)内。根据本发明的连接装置可以可靠地消除合成材料腐蚀。

    开关柜
    130.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105375741A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510494671.2

    申请日:2015-08-12

    CPC classification number: H02B1/30 H05K7/1432

    Abstract: 本发明涉及一种开关柜,该开关柜具有柜架、第一和第二电流转换装置以及电连接夹紧装置,其中,第一电流转换装置具有第一直流电压正电位联接元件和第一直流电压负电位联接元件,其中,第二电流转换装置具有第二直流电压正电位联接元件和第二直流电压负电位联接元件,其中,连接夹紧装置具有导电的第一夹紧元件、布置成与第一夹紧元件电绝缘的导电的第二夹紧元件以及压力产生装置,该压力产生装置被构造成用于产生将第二夹紧元件朝着第一夹紧元件的方向挤压的压力,其中,第一夹紧元件经由不导电的绝缘体与柜架电绝缘地与柜架机械地连接。本发明还涉及一种带电流转换装置的开关柜,在该开关柜中,可以快速且简单地更换电流转换装置。

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