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公开(公告)号：CN117668241A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311406508.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
IPC: G06F16/36 , G06F16/35 , G06F16/332 , G06F18/25 , G06F18/2431 , G06F40/242 , G06F40/295 , G06N5/022 , G06Q50/12
Abstract: 本申请实施例涉及一种厨房系统的数据处理方法、系统、设备及介质，该方法包括：基于厨房系统用户所拥有的厨房设备进行数据收集，得到厨房系统用户对应的原始数据；依据原始数据进行实体识别处理，得到至少两个知识实体，并确定知识实体的实体类型；基于实体类型，对各个知识实体之间的实体关系进行抽取，得到厨房实体关系；基于厨房实体关系，采用知识实体进行融合处理，得到厨房系统用户的设备知识图谱，从而可以通过设备知识图谱将来自不同源的数据关联起来，即将各个厨房设备对应的数据点关联起来，形成一个统一的、全局的视角，由此解决数据碎片化问题。
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公开(公告)号：CN117457746A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311769736.0
申请日：2023-12-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种沟槽栅型碳化硅功率器件、其制作方法和半导体结构。该器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；沟槽栅，至少位于外延层中；第一注入区，位于沟槽栅至少一侧的外延层中，与沟槽栅的部分侧壁接触，第一注入区远离衬底的表面与外延层远离衬底的部分表面重合；第二注入区，位于沟槽栅至少一侧的外延层中，与沟槽栅的部分侧壁接触，第二注入区还与第一注入区靠近衬底的表面接触；第三注入区，位于外延层中，与沟槽栅的部分底部、沟槽栅的部分侧壁和第二注入区靠近衬底的部分表面分别接触；外延层、第一注入区和第三注入区的导电类型相同，且不同于第二注入区的掺杂离子的导电类型，第三注入区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN117393489A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311349100.0
申请日：2023-10-17
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆快速热退火用导热衬片及其制备方法和载具，导热衬片用于对碳化硅晶圆进行辅助加热，导热衬片包括：衬片基体(1)，衬片基体(1)的至少一侧的表面上设置有槽结构，槽结构至少包括第一凹槽结构(10)，第一凹槽结构(10)包括多个第一凹槽(100)，多个第一凹槽(100)沿第一方向间隔地设置于衬片基体(1)上，相邻的两个第一凹槽(100)之间形成第一凸起(101)，第一凹槽结构(10)用非透明淀积层及保护层填充覆盖至表面平整。采用本申请的技术方案，解决了现有技术中的导热衬片在热退火过程中易变形导致其需频繁更换的问题。
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公开(公告)号：CN117329656A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311407960.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种控制方法、装置、设备及存储介质，通过获取目标区域的温湿度信息和红外信息；将所述温湿度信息和红外信息输入至神经网络模型中，确定所述目标区域对应的空调的控制参数；基于所述控制参数控制所述目标区域对应的空调的运行，能够实现对空调进行灵活调节。
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公开(公告)号：CN117260123A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311311071.9
申请日：2023-10-10
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: B23K37/04
Abstract: 本申请涉及功率模块焊接定位技术领域，尤其涉及一种焊接治具，该焊接治具用于定位底板和位于底板上的基板，焊接治具包括定位座、定位组件、定位滑块和压板，定位座设置有用于定位底板的定位槽以及沿定位槽的深度方向延伸的滑动槽；定位组件活动设置于定位座上，用于定位基板的一端；定位滑块滑动设置于滑动槽内；压板设置于定位滑块上，用于压紧底板的远离定位组件的一端，压板具有第一定位部，当压板将底板压入定位槽内时，第一定位部与基板的远离定位组件的一端抵接，该焊接治具可以对基板进行自适应定位，操作简便，提高作业效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116884997B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311149652.7
申请日：2023-09-07
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该绝缘栅双极型晶体管结构包括：集电层，具有第一掺杂类型；漂移层，设置于集电层的一侧，且漂移层具有第二掺杂类型；栅极结构，设置于漂移层远离集电层的一侧；第一掺杂层，接触设置于漂移层远离集电层的一侧，第一掺杂层包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域，第一间隔区域位于栅极结构靠近漂移层的一侧，且第一掺杂层具有第一掺杂类型；第二掺杂层，第二掺杂层在第一掺杂层上的投影位于第一间隔区域两侧，分别与栅极结构和第一掺杂层接触设置，且第二掺杂层具有第二掺杂类型；发射层，接触设置于第一掺杂层远离漂移层的一侧，且发射层具有第一掺杂类型。
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公开(公告)号：CN117214649A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311464979.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种功率器件测试装置和方法，包括待测的功率器件、电流源、电压表和探针组，每组探针组包括多个并联的探针，每个探针接触连接功率器件的源极或漏极上的测点，并串联有均流电阻；每个探针上连接的均流电阻的阻值远大于探针接触电阻；2组探针组接触连接功率器件漏极、并分别引出第一激励线和第一检测线，2组探针组接触连接功率器件源极、并分别引出第二激励线和第二检测线；将第一激励线、第一检测线、第二激励线和第二检测线两两连接，分别构成激励回路和检测回路，在激励回路和检测回路上分别设置电流源和电压表，构成探针接触性测试电路或功率器件电流性能测试电路。本发明实施例保证了功率器件的测试顺利进行。
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公开(公告)号：CN116864379B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311137558.X
申请日：2023-09-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请涉及半导体领域，公开了一种欧姆接触电极的制备方法。本申请所述制备方法使用Ti/Ni双金属依次淀积，然后采用三次独立退火后形成欧姆接触电极。由于Ti可与C反应避免了C原子会积累在界面附近和金属表面形成碳膜或碳团簇，使得欧姆接触电极的表面形貌平整，具有较低的比接触电阻并提高了SiC欧姆接触性能。三次独立退火增强接触界面粘附性并且使用温度较低从而降低了点缺陷和扩展缺陷的发生概率，提高了器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN117116760A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311357453.5
申请日：2023-10-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅器件的制作方法和碳化硅器件，该方法包括：步骤S1：提供衬底，并在衬底的裸露表面上形成外延层；步骤S2：在衬底和凹槽之间的部分的外延层形成掺杂部；步骤S3：在凹槽的侧壁上形成侧墙结构，并在掺杂部的裸露表面和侧墙结构的裸露表面上形成第一预备金属层；步骤S4：对第一预备金属层进行退火处理，生成欧姆接触金属部；步骤S5：在步骤S4形成的结构的第一部分裸露表面上形成氧化部，在步骤S4形成的结构的第二部分裸露表面上以及氧化部的至少部分裸露表面上形成肖特基接触金属层；步骤S6：在肖特基接触金属层远离衬底一侧的裸露表面上形成电极层。该方法解决了碳化硅器件导通压降升高的问题。
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公开(公告)号：CN117059673A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311313707.3
申请日：2023-10-11
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制作方法以及半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一注入区，位于外延层中，外延层与第一注入区的掺杂类型不同；第二注入区，位于第一注入区中，外延层与第二注入区的掺杂类型相同；栅极区域，位于外延层的部分表面上，且与第一注入区以及第二注入区分别接触；导电层，覆盖在栅极区域上以及外延层上。本申请解决了现有技术中SiC结势垒肖特基二极管的过流能力较差的问题。
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