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公开(公告)号：CN112707433A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011526473.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铈掺杂氧化镓纳米材料的制备方法，包括如下步骤：准备硅衬底；充分研磨氧化镓、氧化铈和碳粉，获得混合粉末；所述混合粉末放入管式炉内，通入氩气并升温预反应；在氩氧混合气体作用下，冷却后获得稀土铈掺杂氧化镓纳米材料。通过碳热还原法，在不添加表面金属催化剂的条件下，制备稀土铈掺杂的氧化镓纳米材料，该方法工艺步骤简单,成本低廉，设备要求不高，有利于工业化生产，解决了现有技术中的稀土铈掺杂氧化镓纳米材料制备工艺复杂，制作设备要求高的技术问题。
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公开(公告)号：CN112558209A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011495449.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于H型阵列的全介质超表面颜色滤波器。所述滤波器结构为：在衬底上刻蚀介质纳米阵列，其中纳米阵列的单元结构为H型介质纳米结构。该结构由两个长度宽度相等且对称平行的介质矩形块，一个垂直于两个平行矩形块正中且宽度与之相等的介质矩形块构成。在本发明实例中，衬底材料为二氧化硅，介质纳米阵列材料为硅，厚度为75nm，阵列x方向填充因子为0.55，y方向填充因子为0.9。利用光激发硅纳米结构的电与磁的Mie共振，以及共振波长与硅纳米结构形状尺寸的强相关特性，本发明可通过按比例缩放结构大小、改变H型介质纳米结构中矩形块的长与宽来调控滤出颜色，其滤出的颜色具有极高的饱和度。
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公开(公告)号：CN112130238A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011057874.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关，解决的是法诺共振频率不可控和通过几何参数调节法诺共振时出现的可调自由度小的技术问题，从而使得光开关能够在不改变结构几何参数的情况下实现共振峰的连续动态可调，实现多阈值光开关，通过采用包括厚度小于工作波长的超表面，超表面为规则的几何形状，超表面内平行等间距分布有至少3个等离子体柱；等离子体柱的材质为包层石英管和填充的惰性气体；利用米氏散射理论获得单个等离子体柱的米氏散射系数以确定米式共振频率，再阵列等离子体柱获得布拉格散射，使米氏散射与布拉格散射相干涉产生法诺共振现象的技术方案，较好的解决了该问题，可用于光开关领域中。
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公开(公告)号：CN106876441B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710087046.5
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种具有固定界面电荷场限环的功率器件，包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上。场氧层内设有至少1个固定界面电荷区，该固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。本发明能够克服现有功率器件的FLR区中的杂质扩散而导致的击穿电压下降和器件失效的问题，并有效提高了器件的击穿电压和改善了有源层表面的电场分布，使得电场分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN111293187A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010112026.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/054 , H01L31/0445 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池，所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层，所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面，所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面，所述吸收层位于所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅之间，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅具有不同侧壁轮廓，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅中的纳米结构按照自组装AAO模板的排列方式，降低成本，提高效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110888189A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911291223.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微纳集成光学器件技术领域，公开了一种超薄无衬底颜色可调谐的表面等离子体滤波器。所述滤波器结构包括：波导层，缓冲层和矩形金属纳米盘阵列。其中波导层上覆盖有缓冲层，缓冲层上刻蚀有均匀排布的矩形金属纳米盘阵列，矩形金属纳米盘阵列x方向周期为Px，y方向周期为Py。当x与y相等，通过改变x(y)方向周期，可实现对滤出颜色的静态调制，当x与y不相等，可通过改变周期以实现对滤出颜色的静态调制，改变光的偏振以实现对滤出颜色的动态调制。本专利有着体积小，传输效率高，结构设计简单，能够同时实现对颜色的静态调制以及动态调制，可固定TE(TM)偏振滤出颜色，单独调制TM(TE)偏振下滤出的颜色等优点。本发明在未来光电器件集成，超高分辨率成像，LCD液晶显示系统等领域都有重要的应用。
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公开(公告)号：CN110579826A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910820221.6
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于MIM矩形腔阵列结构的表面等离子体滤波器。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成，整体为矩形的金属薄膜，主要包括金属膜以及开设在金属膜上的矩形阵列结构。该矩形腔阵列由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔由单元结构为矩形的阵列构成，每个矩形腔可以形成一个F-P腔。通过调控矩形个数n、波导的宽度W、矩形腔的长度L等几何参数，实现对光波进行一个或者多个不同波长的光波滤波，和阻带宽度的有效调节。对比与其他结构的SPPs滤波器而言，这个结构拥有着更简洁的工艺以及较小的能量损耗，可以作为简单的光学设备应用于高集成的光电集成电路中。
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公开(公告)号：CN109932775A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910205522.8
申请日：2019-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/28
Abstract: 本发明提供的是一种基于MIM结构的内嵌对称耦合金属块组滤波器，属于微纳光电子领域，滤波器包括金属膜和空气层，在金属膜上刻蚀有波导管1，在该波导管1内侧对称刻蚀两个金属块3，这两个金属块3在波导管1的上下两侧成对称耦合分布。在波导管1与金属块3间填充空气形成空气层2。本发明可以提高微纳集成光学器件在集成光电路中的集成密度，同时提高此滤波器的耦合效率,从而改变它的滤波特性获得较小的半波宽。
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公开(公告)号：CN105070681B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510522304.9
申请日：2015-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN108821331A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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