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公开(公告)号:CN110419161B
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN201880017679.1
申请日:2018-03-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 提供一种即使在IDT电极的厚度大的情况下也能够充分降低边缘区域的声速的弹性波装置。在弹性波装置(1)中,在倒速度面为椭圆形的压电性基板(2)上设置IDT电极(3),并设置电介质膜(13)以使得覆盖IDT电极,在将IDT电极中的电极密度(%)设为y(%),将IDT电极的波长标准化膜厚100h/λ(%)设为x(%)的情况下,根据IDT电极的电极密度y,IDT电极的波长标准化膜厚x被设为满足下述的式(1)的x以上,y=0.3452x2‑6.0964x+36.262...式(1),IDT电极的交叉区域具有交叉宽度方向中央的中央区域、和设置在中央区域的交叉宽度方向一方外侧以及另一方外侧的第1、第2边缘区域,第1、第2边缘区域上的电介质膜的膜厚被设得比中央区域中的电介质膜的膜厚薄。
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公开(公告)号:CN110383688B
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN201880016518.0
申请日:2018-02-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制通带中的阻带响应并能够抑制纹波的陷波滤波器。陷波滤波器(1)具备:具有压电性的基板(12),由高声速构件(4)、设置在高声速构件(4)上的低声速膜(3)、以及设置在低声速膜(3)上的压电薄膜(2)构成;IDT电极(5),设置在压电薄膜(2)上;以及反射器(16、17),设置在IDT电极(5)的弹性波传播方向两侧。在将由IDT电极(5)的电极指间距规定的波长设为λ时,并在将IDT电极(5)的电极指中的位于最靠反射器(16、17)侧的电极指与反射器(16、17)的电极指中的位于最靠IDT电极(5)侧的电极指的电极指中心间距离设为IR间隙GIR时,IR间隙GIR在0.1λ≤GIR<0.5λ以及0.5λ<GIR≤0.9λ中的一个范围内。
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公开(公告)号:CN115039340A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202180012374.3
申请日:2021-02-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 大门克也
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够在宽频带中抑制高阶模的弹性波装置。弹性波装置(1)具备支承基板(2)、压电膜(7)和IDT电极(8)。在将由IDT电极(8)的电极指间距规定的波长设为λ时,压电膜(7)的厚度为1λ以下。压电膜(7)为钽酸锂膜或者铌酸锂膜。压电膜(7)具有晶轴[XP,YP,ZP]。支承基板(2)具有第1硅层(3)、第2硅层(4)。第1硅层(3)、第2硅层(4)的面方位为(100)、(110)以及(111)中的任一个。在将基于第1硅层(3)、第2硅层(4)的面方位以及压电膜的晶轴的关系规定的角度设为角度α1、α2时,角度α1以及角度α2为角度α100、角度α110以及角度α111这3种角度中的任一个。在角度α1以及角度α2中,种类以及值中的至少一者不同。
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公开(公告)号:CN114830533A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202080084520.9
申请日:2020-12-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 大门克也
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由高阶模引起的杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:支承基板(2);压电膜,直接或间接地层叠于支承基板(2);以及IDT电极(7),形成在压电膜上,压电膜具有:第1压电膜(5),支承基板(2)侧的面为正面,且IDT电极(7)侧的面为负面;以及第2压电膜(6),与第1压电膜(5)层叠,支承基板(2)侧的面为负面,且IDT电极(7)侧的面为正面,在将由IDT电极(7)的电极指间距决定的波长设为λ时,第1压电膜(5)的厚度和第2压电膜(6)的厚度的合计膜厚为1λ以下。
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公开(公告)号:CN114430886A
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202080066169.0
申请日:2020-09-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 大门克也
Abstract: 提供一种弹性波装置,能够更加可靠地抑制横模式。本发明的弹性波装置(1)具备高声速膜(14)、低声速膜(15)、包括钽酸锂的压电体层(16)和设置在压电体层(16)上的IDT电极(3)。IDT电极(3)具有第一、第二汇流条(4、5)和多个第一、第二电极指(6、7)。第一、第二电极指(6、7)在弹性波传播方向上重叠的部分是交叉区域(A)。交叉区域(A)具有中央区域(B)和第一、第二边缘区域(C1、C2)。IDT电极(3)具有位于第一、第二边缘区域(C1、C2)的外侧的第一、第二间隔区域(D1、D2)。第一、第二电极指(6、7)的第一、第二边缘区域(C1、C2)中的宽度比中央区域(B)中的宽度宽。第一、第二边缘区域(C1、C2)中的占空比为0.62以上且0.73以下。
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公开(公告)号:CN114424456A
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202080066319.8
申请日:2020-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种即使在推进了小型化的情况下也能提高Q值且能调整谐振频率的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电体层(4)和第1电极(51)及第2电极(52)。第1电极(51)及第2电极(52)在与压电体层(4)的厚度方向(D1)交叉的方向(D2)上对置。弹性波装置(1)利用厚度剪切一阶模的体波。弹性波装置(1)具备第1谐振器及第2谐振器。第1谐振器及第2谐振器各自具有第1电极(51)及第2电极(52)、和压电体层(4)之中包含设置了第1电极(51)及第2电极(52)的设置区域的设置部位(400)。第1谐振器及第2谐振器各自的厚度是除去了该谐振器所包含的第1电极(51)及第2电极(52)的厚度之后的厚度。第1谐振器的厚度和第2谐振器的厚度不同。
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公开(公告)号:CN113169725A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201980081386.4
申请日:2019-12-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够降低弹性波能量的损耗的弹性波装置。在弹性波装置(1)中,IDT电极(5)形成在压电体层(4)上。高声速构件(2)隔着压电体层(4)位于与IDT电极(5)相反侧。在高声速构件(2)中,传播的体波的声速与在压电体层(4)传播的弹性波的声速相比为高速。低声速膜(3)设置在高声速构件(2)与压电体层(4)之间。在低声速膜(3)中,传播的体波的声速与在压电体层(4)传播的体波的声速相比为低速。电介质膜(6)形成在压电体层(4)上,使得覆盖IDT电极(5)。在弹性波装置(1)中,电介质膜(6)的杨氏模量大于低声速膜(3)的杨氏模量。
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公开(公告)号:CN112997403A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201980073441.5
申请日:2019-11-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 大门克也
Abstract: 提供能够抑制谐振频率附近的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电性基板(2)和设置在压电性基板(2)上的IDT电极(7)。压电性基板(2)具有高声速层和压电体层(6)。IDT电极(7)具有第一、第二汇流条(14、15)和相互交替插入的多个第一、第二电极指(16、17)。通过连结多个第一、第二电极指(16、17)各自的前端而形成的假想线即第一、第二包络线(A1、A2)分别相对于弹性波传播方向倾斜地延伸。在位于多个第一电极指(16)与第二汇流条(15)之间的多个第一间隙(G1)及位于多个第二电极指(17)与第一汇流条(14)之间的多个第二间隙(G2)中的至少一个设置有第一电介质膜(9a、9b),第一电介质膜(9a、9b)的密度比氧化硅的密度高。
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公开(公告)号:CN112805919A
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN201980066065.7
申请日:2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能抑制由瑞利波造成的杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:压电性基板(2),包含压电体层(6),压电体层(6)包含钽酸锂;IDT电极(7),设置在压电性基板(2)上;以及一对反射器(8),设置在压电性基板(2)上的、IDT电极(7)的弹性波传播方向两侧。利用SH波作为主模,IDT电极(7)以及反射器(8)分别具有多个电极指,在将沿着与电极指延伸的方向正交的方向的长度设为宽度时,反射器(8)具有宽度不同的第1电极指(8a)和第2电极指(8b)。在反射器(8)的任意的部分中连续的4根电极指包含第1电极指(8a)以及第2电极指(8b)双方,且上述连续的4根电极指的电极指中心间距离相同。
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公开(公告)号:CN112534718A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN201980050917.3
申请日:2019-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 大门克也
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种相对带宽宽且抑制IDT电极的浪涌击穿的弹性波装置。弹性波装置(1),在压电体(2)上设置有IDT电极(3),IDT电极(3)具有第1汇流条(4a)、第2汇流条(5a)、和多根第1电极指(4b)以及第2电极指(5b),设置有第1电介质膜(6),使得从第1电极指(4b)的前端部与压电体(2)之间经过第1缝隙(9a)到达第2汇流条(5a)与压电体(2)之间,第2电极指(5b)在交叉宽度的中央与压电体(2)直接接触,第1电介质膜(6)的介电常数比压电体(2)的介电常数低。
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