公开(公告)号：CN101231910A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008929.3

申请日：2008-01-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 岛内岳明 ,  今井雅彦 ,  米泽游 ,  宓晓宇 ,  上田知史

IPC: H01G5/16

CPC classification number: H01G5/16 ,  H01G5/01 ,  H01G5/04 ,  H01G5/18

Abstract: 本发明提供一种可变电容器，其适于抑制驱动电压特性的波动并用于实现静态电容量的更大变化率。该可变电容器包括固定电极和可动电极。该固定电极包括第一相对面，同时该可动电极包括面对该第一相对面的第二相对面。该可动电极进一步包括朝向该固定电极突出的弯曲部分。该可变电容器还包括设置在该第一相对面上的介电图案。

公开(公告)号：CN101136397A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147162.8

申请日：2007-08-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宓晓宇 ,  松本刚 ,  上田知史

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种电子部件模块及其制造方法。该电子部件模块包含：布线衬底；形成于布线衬底上的多个无源器件的无源器件组；以及安装于布线衬底上的器件芯片。上述电子部件模块以如下方式制造：首先，制造包含多个电子部件模块形成区域的布线衬底晶片；随后，在布线衬底晶片上的每一个电子部件模块形成区域中形成多个无源器件；随后，在布线衬底晶片上的每一个电子部件模块形成区域上安装器件芯片；最后，分割布线衬底晶片。

公开(公告)号：CN100373210C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510125068.3

申请日：2005-11-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高马悟觉 ,  壶井修 ,  曾根田弘光 ,  上田知史 ,  佐胁一平

IPC: G02B26/08 ,  G02B26/00

CPC classification number: G02B26/0841

Abstract: 本发明提供一种微振荡元件，其由材料衬底一体地形成，该材料衬底由第一导电层、第二导电层以及置于第一导电层和第二导电层之间的绝缘层制成。该微振荡元件包括：振荡部件、振荡部件支撑框架以及扭转接合部件。该振荡部件包括可移动操作部件。该扭转接合部件将该振荡部件与该框架接合，还限定用于该振荡部件作振荡运动的振荡轴。该可移动操作部件是形成在该第一导电层中的一部分，而该框架是形成在该第二导电层中的一部分。

公开(公告)号：CN101034623A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085687.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 岛内岳明 ,  今井雅彦 ,  上田知史

IPC: H01G5/16 ,  H01G5/00

Abstract: 一种可变电容器及其制造方法，该制造方法提供在温度变化影响下电容保持稳定的可变电容器。这种可变电容器包括：固定电极；活动电极膜，其面对该固定电极；以及锚定部，其在该固定电极与该活动电极膜之间提供部分连接。为了制造这种可变电容器，形成第一电极以用作固定电极。然后，在固定电极上形成锚定部，并形成牺牲膜以覆盖固定电极但部分地暴露出锚定部。在牺牲膜上形成第二电极以用作活动电极膜，并接合至锚定部。最后，去除牺牲膜。

公开(公告)号：CN1322352C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200410078620.3

申请日：2004-09-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 壶井修 ,  高马悟觉 ,  奥田久雄 ,  曾根田弘光 ,  上田知史 ,  佐胁一平 ,  中村义孝

IPC: G02B26/08 ,  G02B26/00

CPC classification number: G02B26/0841

Abstract: 一种微振荡元件包括框架、可动功能部件、驱动机构、从该功能部件延伸到该驱动机构的横梁、以及使该框架和该横梁相互连接的扭转接头。该接头限定了一个旋转轴，该功能部件绕该旋转轴旋转。该旋转轴与该横梁的纵向垂直。在该旋转轴纵向上该横梁比该功能部件短。

公开(公告)号：CN1821830A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610009215.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高马悟觉 ,  壶井修 ,  曾根田弘光 ,  上田知史

IPC: G02B26/08 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0062 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/058

Abstract: 一种微摆动元件包括框体、可移动功能部分以及用于连接框体与可移动功能部分的扭转连接部分。微摆动元件还包括第一和第二梳齿电极，用于产生使可移动功能部分绕扭转连接部分摆动运动的驱动力。第一梳齿电极包括多个第一电极齿，每个第一电极齿具有在摆动运动方向上叠置的第一导体、绝缘体和第二导体的叠层结构，其中第一导体和第二导体相互电连接。第二梳齿电极包括多个第二电极齿，在非工作状态下，第二电极齿不面向第一电极齿的第二导体，但是面向第一导体。第二电极齿在摆动运动的方向上长于第一导体。

公开(公告)号：CN1771191A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03826364.5

申请日：2003-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宓晓宇 ,  高马悟觉 ,  壶井修 ,  岩城匡郁 ,  奥田久雄 ,  曾根田弘光 ,  上田知史 ,  佐胁一平

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00547 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G02B26/0841

Abstract: 用于制造具有薄壁部(T1～T3)的微型结构体的方法，包含如下工序：通过对包含由第一导体层(11)以及具有与薄壁部(T1～T3)的厚度相当的厚度的第二导体层(12)构成的层叠结构的材料基板，从第一导体层(11)侧进行第一蚀刻处理，从而在第二导体层(12)中形成了在该第二导体层(12)的面内方向上具有间隔开的一对侧面并与第一导体层(11)连接的预备薄壁部(T1’～T3’)的工序；通过从第一导体层(11)侧起的第二蚀刻处理，除去在第一导体层(11)中与预备薄壁部(T1’～T3’)连接的地方并形成薄壁部的工序。