一种硫系恶臭气体声表面波气敏传感器

    公开(公告)号:CN103487505A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310449927.9

    申请日:2013-09-27

    Abstract: 一种硫系恶臭气体声表面波气敏传感器,属于传感器件技术领域。本发明以聚[甲基(4-羟基-4,4-双-三氟代甲基)-丁基]-硅氧烷为聚合物气敏材料,将所述聚合物气敏材料成膜于声表面波器件表面,得到硫系恶臭气体声表面波气敏传感器。本发明具有对硫系恶臭气体的灵敏度高、选择性好、响应速度快、解吸彻底和重复性好的特点。

    基于深度学习的优化导频位置和信道估计的端到端系统

    公开(公告)号:CN117978588A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410081525.6

    申请日:2024-01-19

    Abstract: 本发明属于通信网络技术领域,公开了一种基于深度学习的优化导频位置和信道估计的端到端系统及设计方法,通信系统模块,用于构建通信系统模型,实现端到端通信系统流程;神经网络模块,用于设计基于深度学习的调制解调模块,设计基于深度学习的导频插入位置模块;导频插入位置选择模块,用于选择导频插入的最佳位置。本发明通过在基础的端到端系统上引入导频插入位置选择模块,提供了一种自适应信道的导频插入方案,提升了信号传输接收的准确率,同时精简信道估计过程,大幅度降低了通信系统复杂度。

    有机光电探测器用金属电极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN113675344B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202110961017.3

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器用金属电极材料及制备方法,金属电极材料包括基底、基底表面的金属电导层、金属电导层上方的界面修饰层,金属电导层和界面修饰层通过真空原位溅射工艺或离子源辅助溅射工艺制备。本发明采用真空原位溅射工艺或离子源辅助溅射工艺制备有机光电探测器用金属电极材料,既保留了高纯铝或铜等金属材料与CMOS电路兼容性好的特性,又减小了环境因素带给金属电极材料的消极影响;本发明在金属电导层上制备界面修饰层,使有机光电探测器用金属电极材料的功函数更匹配电子传输层的功函数,同时提高了有机光电探测器用金属电极材料的电导率,利于金属电极材料的电子收集。

    双方向入光双偏压工作的有机光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN116437673A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310476576.4

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种双方向入光双偏压工作的有机光电探测器及制备方法,归属于有机半导体薄膜光电探测器领域。探测器包括衬底、四层堆叠结构,四层堆叠结构从下至上依次包括ITO阴极、电子传输层、光活性层、ITO阳极,器件结构中没有空穴传输层,有机光电探测器在顶层入光和底层入光时都能够对光电流进行探测,ITO阴极和ITO阳极材料相同、功函数相同,在正向偏置时也能对暗电流进行抑制、对光电流进行探测,因此能够同时在正向偏压和反向偏压下实现对入射光信号的放大和探测。本发明器件结构简单,光活性层选择了PBDB‑T给体和ITIC‑Th受体的体异质结结构,材料的响应波段宽,体异质结结构响应速度快,探测效率高。

    基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法

    公开(公告)号:CN116156904A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310164910.2

    申请日:2023-02-24

    Abstract: 本发明提供一种基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法,包括透明基底层和五层材料结构,五层材料结构包括透明底电极层、第一阻挡层、有机光敏层、第二阻挡层和顶电极层;正向偏压下,阻挡层与光敏层界面处的载流子陷阱引发外电路载流子隧穿注入,器件以PM模式工作,外量子效率高,适用于弱光探测,可避免前置放大电路的使用。反向偏压下,光敏层两侧的阻挡层可阻止外电路载流子的注入,器件以PV模式工作,外量子效率有限,适用于强光探测,可避免高功耗造成的器件散热和击穿等问题。本发明提出了一种通过调控阻挡层界面来制备双模器件的方法,优化了双模器件的光电性能,从而为双模有机光电二极管的制备提供了解决方案。

    有机光电场效应晶体管的测试设备
    116.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115932531A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202310164912.1

    申请日:2023-02-24

    Abstract: 本发明提供一种有机光电场效应晶体管的测试设备,用于测试底栅顶接触型有机光电场效应晶体管,包括暗箱、滑台、PCB测试板、器件固定装置、双排弹簧电极PCB测试板;器件固定装置为上盒体和下盒体,与现有的探针台测试装置相比,该测试装置在更换测试光源的速度远超探针台测试装置,探针台测试装置每次更换光源都需要调整光斑照射区域,因此更换光源时间很长且存在每次对准区域有误差导致测试误差,该装置的激光头更换装置上夹持有激光头,可以通过转动来更换光源,即提升了更换速度又提升了更换稳定性,使每次更换激光头光斑可以对准同一片区域。

    一种导电胶用银粉的改性方法

    公开(公告)号:CN114653962A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210305436.6

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域,具体涉及一种导电胶用银粉的改性方法。本发明通过将表面改性剂络合在银粉表面达到改性银粉表面的目的,并提供了银粉直接改性,以及将表面改性剂在用银盐制备银粉的过程中直接络合在银粉表面达到改性银粉表面的两种方式,均制备出兼具分散性与导电性的导电胶用银粉。本发明制备银粉的原料组分来源广泛,降低了生产成本,所得改性银粉结晶度高,且无杂质,形貌粒径均一性高,导电性优良,比现有的改性银粉小分散性好,性能稳定,质量优异;且制备方法工艺简单、省时,成本低廉,产率高,适于工业化生产。

    一种双脉冲快速制备高频基板用铜箔的方法

    公开(公告)号:CN114622253A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202210305422.4

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 本发明涉及高频印制电路板技术领域,具体涉及一种双脉冲快速制备高频基板用铜箔的方法。本发明通过配制含有氯化锌的电解液,并调制其PH值,然后采用双脉冲法进行电镀电解。本发明通过短时间双脉冲,利用铜锌单质在高温条件下实现相互扩散,腐蚀掉锌单质时形成了稳定的粗化铜箔,而且在粗糙面的铜牙尖出能形成晶状体,能确保当铜箔与树脂结合时的结合能力非常强不易脱落。实现了增大铜箔的粗糙度,达到了快速制备粗化铜箔,且与树脂有良好的结合力、稳定性。

    一种求解三相界面离子电导率的方法

    公开(公告)号:CN114609220A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210166235.2

    申请日:2022-02-23

    Abstract: 本发明属于离子电导率的求解领域,具体为一种求解三相界面离子电导率的方法,基于第一性原理分子动力学,可应用于固体电解质气体传感器。本发明从固体电解质离子电导率定义出发,在原子级模型基础上,模拟仿真运动离子的迁移过程,使三相界面的微观结构演变真实可见。首先构建三相界面模型,然后利用AIMD仿真三相界面的微观结构演变,同时结合计算机语言Python使微观结构演变进一步进化为离子电导率数值。本发明既真实还原了固体电解质气体传感器三相界面的微观结构,同时真实模拟了气体分子在三相界面的反应过程,解决了当前求解固体电解质离子电导率建模难、无法适用于三相界面、以及求解结果分析处理难的问题。

    一种基于复杂功率分配的集成微流道的优化方法

    公开(公告)号:CN114386218A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111415033.9

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明提供的一种基于复杂功率分配的集成微流道的优化方法,通过对三维集成微流道划分网格,构建单个网格计算单元的等效热导率的数学模型,基于层内功率分布和微流道几何参数的协同优化,计算有效降低层内峰值温度和微流道体积占比的最优几何参数,以优化微流道尺寸得到准确的微流道尺寸。本发明可以解决已有的三维集成电路层内功率分布复杂导致的峰值温过高和传统微流道过大的体积占比的问题,提高微流道优化的适用性。

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