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公开(公告)号:CN106927804B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201710152015.3
申请日:2017-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/195 , C04B35/63 , C04B35/16
CPC classification number: C04B35/16 , C01B33/24 , C04B35/195 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/445 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , H05K1/0306
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷温频特性调节剂及其LTCC材料,微波介质陶瓷包括主晶相,主晶相的化学式是BaSixO2x+1(1.56≤x≤1.85)。该陶瓷具有低介电常数(εr=7.1~7.9)、较高的品质因数(Q×f=10973~20350GHz)、较宽的烧结温度(750℃~1250℃),同时主晶相在还原性气氛N2‑1vol%H2中烧结后仍具有优异的微波介电性能,是一种具有良好抗还原性的微波介质陶瓷材料,该微波介质陶瓷可以作为一种微波介质陶瓷温频特性调控剂,其在还原性气氛中能保持稳定的相结构和良好的微波介电性能(抗还原性),较传统调节剂有明显的优势,是一种能应用于BME‑MLCC的新型温频特性调节剂。
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公开(公告)号:CN109066065A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201810808799.5
申请日:2018-07-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种低剖面LTCC毫米波双极化天线,包括:基片集成腔下表面设置十字交叉的第一缝隙和第二缝隙;上层波导的下表面设置第三缝隙;过渡结构下表面设置第四缝隙;由第一端口输入的电磁波在上层基片集成波导传输,通过第一缝隙耦合进入基片集成腔,并产生第一方向极化;由第二端口输入的电磁波通过下层波导传输,通过第四、第三缝隙耦合进入上层波导,通过第二缝隙耦合进入基片集成腔,并产生第二方向极化;当天线接收第一方向电磁波时,电磁能量通过第一缝隙进入上层波导;当天线接收第二方向电磁波时,电磁能量通过第二缝隙进入上层基片集成波导,并且通过第三、第四缝隙耦合进入下层波导。本发明实现双极天线的高增益、宽频带和高隔离度。
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公开(公告)号:CN109066063A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201810790330.3
申请日:2018-07-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种低剖面LTCC毫米波双极化阵列天线,包括:由端口1输入的电磁波在中间层功分结构传输,通过缝隙3耦合进入上层功分结构,通过缝隙1耦合进入天线单元,并产生方向1的极化;由端口2输入的电磁波在下层功分结构传输,通过缝隙5耦合进入中间层功分结构,通过缝隙4耦合进入上层功分结构,通过缝隙2耦合进入天线单元,并产生方向2的极化;当接收方向1极化电磁波时,电磁能量通过缝隙1进入上层功分结构,并通过缝隙3进入中间层功分结构;当接收方向2极化电磁波时,电磁能量通过缝隙2进入上层功分结构,并通过缝隙4耦合进入中间层功分结构,再通过缝隙5耦合进入下层功分结构。本发明实现天线高增益、宽频带和双端口的高隔离度。
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公开(公告)号:CN107134638A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710290395.7
申请日:2017-04-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基片集成腔体毫米波天线,包括基片集成腔体和寄生单元,基片集成腔体用于接收电磁波并让电磁波在腔体内产生高次模谐振;寄生单元用于调整高次模的场分布,使得腔体内中高次模的辐射方向变为沿着基片集成腔体法线方向。本发明中通过扩大腔体辐射面积引入高次模,高次模的方向不沿着基片集成腔体的法向,通过寄生单元调整高次模的场分布,使得基片集成腔毫米波天线正常工作,由于辐射面积被扩大,使得基片集成腔毫米波天线的增益得到提高。
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公开(公告)号:CN106927804A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201710152015.3
申请日:2017-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/195 , C04B35/63 , C04B35/16
CPC classification number: C04B35/16 , C01B33/24 , C04B35/195 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/445 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , H05K1/0306 , C04B35/6303 , C04B2235/602 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/94
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷温频特性调节剂及其LTCC材料,微波介质陶瓷包括主晶相,主晶相的化学式是BaSixO2x+1(1.56≤x≤1.85)。该陶瓷具有低介电常数(εr=7.1~7.9)、较高的品质因数(Q×f=10973~20350GHz)、较宽的烧结温度(750℃~1250℃),同时主晶相在还原性气氛N2‑1vol%H2中烧结后仍具有优异的微波介电性能,是一种具有良好抗还原性的微波介质陶瓷材料,该微波介质陶瓷可以作为一种微波介质陶瓷温频特性调控剂,其在还原性气氛中能保持稳定的相结构和良好的微波介电性能(抗还原性),较传统调节剂有明显的优势,是一种能应用于BME‑MLCC的新型温频特性调节剂。
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公开(公告)号:CN105948723A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610505162.X
申请日:2016-06-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝微波介质陶瓷及其制备方法。该氧化铝微波介质陶瓷包括氧化铝、氧化钇、氧化锆和CMS混合物,氧化铝的质量百分比为95%~98%,氧化钇的质量百分比为0.25%~0.75%,氧化锆的质量百分比为0%~3%,CMS混合物的质量百分比为1.25%~3.25%;CMS混合物包括氧化镁、氧化钙和氧化硅,氧化镁的质量百分比为18.6%,氧化钙的质量百分比为50.1%~56.0%,氧化硅的质量百分比为25.4%~31.3%。制备方法为:按配比将氧化铝、氧化钇、氧化锆和CMS混合物混合,球磨烘干、造粒并压成坯片,排胶烧结制得陶瓷。通过添加组合氧化物,使陶瓷有高微波介电性能和高耐击穿强度。
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公开(公告)号:CN104129976A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201410337434.0
申请日:2014-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。用化学通式(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2-uH3BO3-wZBG表示所述陶瓷材料的组成,其中,(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2为基体陶瓷粉体,ZnO、MnO2和TiO2的摩尔比为(1-x-y):x:y,u为H3BO3占所述陶瓷材料的质量百分比,ZBG表示锌硼玻璃,w为锌硼玻璃占所述陶瓷材料的质量百分比,0
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公开(公告)号:CN104098337A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201410320880.0
申请日:2014-07-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/634 , B28B3/00
Abstract: 本发明公开了一种连体式同轴介质滤波器坯体的成型方法,包括:轧膜法制备陶瓷膜片,将陶瓷膜片叠层并加热加压处理使膜片紧密结合成为密实生坯块,对生坯块按所设计的滤波器结构进行切割打孔等机械操作,最后对陶瓷生坯进行排胶及烧结。本发明与干压成型相比,不需要复杂结构的钢制模具,避免了模具加工难、成本高、成型后脱模困难、坯体易碎的缺点。本发明制作的介质滤波器生坯由于聚乙烯醇含量较高,使得生坯韧性高,不易破碎,而且烧结前容易进行机械加工,可以灵活制作复杂结构的陶瓷器件生坯,能够有效的提高生产率、成品率。与凝胶注模成型相比,本发明使用的聚乙烯醇、甘油等有机物,廉价安全,对人体和环境均无害,满足绿色化生产的要求。
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公开(公告)号:CN101870581A
公开(公告)日:2010-10-27
申请号:CN201010209136.5
申请日:2010-06-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备Ba1-xSrxTiO3-MgO铁电陶瓷坯体的方法,属于无机非金属材料领域。本发明的工艺步骤是:配料、配制预混液、混合球磨、除气、加入催化剂、加入引发剂、注模凝胶、脱模干燥。本发明采用以去离子水和与水互溶的醇类有机物作为溶剂的半水基凝胶注模成型工艺制备Ba1-xSrxTiO3-MgO铁电陶瓷坯体,克服了用传统干压法难以制备出复杂形状、大尺寸的陶瓷坯体,特别是难以保证陶瓷部件内部的均匀性的难题。同时,用该方法制备的Ba1-xSrxTiO3-MgO铁电陶瓷坯体强度高、塑性好,可进行机械加工和等静压等后续处理,有利于制备复杂形状和高致密性的陶瓷,适用于工业化生产。
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公开(公告)号:CN100361932C
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200610019081.5
申请日:2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷,属于压电陶瓷材料,目的在于降低矫顽场,提高压电性能。本发明基料摩尔比和成分表达式为:(1-x-y)(Bi1/2Na1/2)TiO3-x(Bi1/2K1/2)TiO3-yKNbO3,式中0≤x<1,0<y<0.2,0<(x+y)<1;并采用下述方法制备:(1)按所述表达式的化学计量比称取Bi2O3、Na2CO3、(COOK)2·H2O、TiO2、Nb2O5为原料,用纯酒精作为介质球磨;(2)球磨后的粉料烘干后在800℃~850℃预烧2h,加粘合剂成型;(3)在1100℃~1180℃之间烧结2~3小时;(4)烧结后的陶瓷片上制备银电极,在30℃~60℃的硅油中,在4~5kV/mm的电压下极化10~15分钟;本发明压电陶瓷组合物的d33可达190pC/N以上,Kp可达0.37以上,且工艺稳定,适合应用于压电振子和超声换能器等领域。
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