公开(公告)号：CN115420653B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202110525854.1

申请日：2021-05-14

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张金灿 ,  贾开诚 ,  林立 ,  刘晓婷 ,  陈恒 ,  张欣童

IPC: G01N13/02 ,  G01N23/22 ,  G01N23/2202 ,  G01N23/2206

Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。

公开(公告)号：CN118858778A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410916459.X

申请日：2024-07-09

Applicant: 北京化工大学 ,  中国航天科技创新研究院 ,  北京石墨烯研究院

Inventor： 杨卫民 ,  李梦竹 ,  王鹏飞 ,  罗燊 ,  孔娅 ,  迟百宏 ,  司道星 ,  詹瑾 ,  丁玉梅 ,  张辉 ,  王晓白 ,  亓月 ,  刘忠范

IPC: G01R29/08 ,  G01S7/40 ,  G01S7/41

Abstract: 本申请公开一种微波暗室在线高温测试系统及其方法，测试系统包括微波暗室、透波加热炉、龙门架、旋转试验台和控制单元；所述微波暗室设有聚氨酯吸波角锥、馈源、紧缩场和雷达测试仪器；测试开始时，打开微波暗室顶部活动开口，龙门架起吊装置进入微波暗室吊起炉盖，将目标体置于透波加热炉中，起吊装置将炉盖闭合并离开微波暗室，关闭微波暗室开口，通过控制单元对透波加热炉通电加热，待温度达到预设温度后开启雷达测试仪器并记录一次测试结果；连续加热并记录结果可得到目标体在高温状态下的连续电磁特性变化。本发明的方法可以实现微波暗室雷达测试过程中目标体的均匀加热和精准控温，获得目标体在高温状态下的电磁特性，测量结果具有可靠性。

公开(公告)号：CN118668174A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310281337.3

申请日：2023-03-20

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  王世伟 ,  贾开诚 ,  竺叶澍 ,  邵家新 ,  韦明月

IPC: C23C16/26 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开一种双层石墨烯晶圆的制备方法及该方法制备的双层石墨烯晶圆。该方法包括：将两片基底放置气相沉积装置中进行气相沉积；其中所述基底包括铜薄膜，所述铜薄膜为单晶Cu(111)薄膜，所述两片基底的铜薄膜相对且平行设置，所述铜薄膜之间的间距为≤25μm；所述气相沉积时通入的碳源气体的分压为0.08mbar至0.32mbar，H2分压为40mbar。本发明利用目前已较为成熟的Cu(111)单晶晶圆衬底，通过打破铜表面的自限制生长模式，发展石墨烯晶圆的层数调控方法，实现双层石墨烯晶圆的可控制备，具有重要的科学价值与应用价值。

公开(公告)号：CN118563275A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410484089.7

申请日：2024-04-22

Applicant: 苏州大学 ,  北京石墨烯研究院

Inventor： 孙靖宇 ,  周凯旋 ,  高翔 ,  刘忠范

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种原位氮掺杂石墨烯蓝宝石晶圆及其制备方法,包括以下步骤：S1、将经过清洗和干燥预处理后的蓝宝石晶圆置于管式炉，压强抽至设定压强；S2、升温至第一温度，然后通入氩气，继续升温至第二温度，通入氢气，继续升温至生长温度并稳定5‑60分钟，引入生长碳源和生长氮源，保持一定的生长时间；S3、待生长结束后，停止引入生长碳源和生长氮源，在氩气和氢气环境下降温，在降温过程中，先停止通入氢气，后停止通入氩气；S4、进行破真空处理，得到原位氮掺杂石墨烯蓝宝石晶圆。本发明能够制备得到高品质的原位氮掺石墨烯蓝宝石晶圆，具有均匀性高、平整度好的优点，且通过反应条件改变能够调控氮掺杂种类。

公开(公告)号：CN109285761B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201811094398.4

申请日：2018-09-19

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  慈海娜 ,  高鹏

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明一实施方式提供了一种氮化铝膜的制备方法，包括：提供垂直结构石墨烯纳米片；以及在所述垂直结构石墨烯纳米片上形成氮化铝膜。本发明一实施方式的制备方法，以垂直结构石墨烯纳米片作为氮化铝生长的缓冲层，再在石墨烯缓冲层上形成氮化铝薄膜，能够制得原子级平整、无应力的氮化铝薄膜。

公开(公告)号：CN118209388A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410353078.5

申请日：2024-03-26

Applicant: 北京石墨烯研究院

Inventor： 王程 ,  孙建波 ,  马正斌 ,  孙延龙 ,  刘忠范

IPC: G01N1/32 ,  G01N1/28 ,  G01N1/44 ,  G01N1/36

Abstract: 本发明涉及一种提高箔材样品处理合格度的方法以及通过该方法处理所得的箔材样品，包括以下步骤：1)预处理：对模具进行打磨抛光处理；2)静电喷涂处理：将离型剂细粉喷涂在模具表面，形成涂层；3)真空热压处理：在模具上放置薄材样品，进行真空热压操作。热压完成后样品可以直接从模具上取下，不会粘连，热压得到的样品表面平整度高，可以实现样品热压后的直接测量工作。

公开(公告)号：CN117328140A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311295004.2

申请日：2023-10-08

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  刘海洋 ,  孙禄钊 ,  孙晓莉 ,  强佳伟

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/18 ,  C01B32/186 ,  C01B32/188

Abstract: 本发明公开一种单晶石墨烯的制备方法及该方法制备的单晶石墨烯。所述制备方法包括：S1，在单晶铜箔材料表面镀镍形成铜‑镍复合箔材，将所述铜‑镍复合箔材在惰性气体氛围下进行退火处理得到铜镍合金单晶箔材；及S2，将所述铜镍合金单晶箔材作为基底气相沉积生长单晶石墨烯，其中所述气相沉积在惰性气体氛围下升温至700‑800℃，并进行退火处理，随后引入甲醇进行化学气相沉积生长。本发明所提供的制备方法利用更低的生长温度制备石墨烯薄膜，减少了应变能的积累，实现了石墨烯薄膜的无褶皱特性；利用易裂解碳源甲醇与高催化活性的铜镍衬底配合，有效地降低了低温下石墨烯薄膜的缺陷浓度，这也为石墨烯薄膜的有效应用提供便利。

公开(公告)号：CN116947029A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202210382014.9

申请日：2022-04-12

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  孙靖宇 ,  姜蓓

IPC: C01B32/186 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的生长方法，在目标衬底石英玻璃上直接生长石墨烯，避免了后续石墨烯转移带来的问题，将退火步骤与石墨烯生长步骤同步进行，制备得到了无岛状伴生结构、无褶皱的石墨烯，得到的石墨烯实现了原子级的平整，且制备方法简单，利于大规模生产。

公开(公告)号：CN114836828B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202110138724.2

申请日：2021-02-01

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 阎睿 ,  唐际琳 ,  杜音 ,  王雅妮 ,  曹轶森 ,  彭海琳 ,  刘忠范

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。

公开(公告)号：CN111847432B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202010725305.4

申请日：2020-07-24

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  陈步航 ,  孙禄钊 ,  李杨立志 ,  丁庆杰 ,  赵振勇 ,  梁宇 ,  王悦晨 ,  刘海洋

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提供一种大面积多层石墨烯及其制备方法，该制备方法包括：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底加热并进行退火处理；及通入碳源，于退火处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，还包括在化学气相沉积反应时引入水蒸气于反应腔室，生长石墨烯时的压强为20Torr～400Torr。本发明通过在化学气相沉积生长石墨烯时，精准调控体系压强，并于特定阶段在体系内引入适量水蒸气，实现了大面积多层石墨烯的制备。该方法工艺简单、成本低，所得多层石墨烯具有层数均一、面积大等优势，对于实现多层石墨烯的进一步拓展应用具有重要意义。