公开(公告)号：CN117328140A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311295004.2

申请日：2023-10-08

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  刘海洋 ,  孙禄钊 ,  孙晓莉 ,  强佳伟

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/18 ,  C01B32/186 ,  C01B32/188

Abstract: 本发明公开一种单晶石墨烯的制备方法及该方法制备的单晶石墨烯。所述制备方法包括：S1，在单晶铜箔材料表面镀镍形成铜‑镍复合箔材，将所述铜‑镍复合箔材在惰性气体氛围下进行退火处理得到铜镍合金单晶箔材；及S2，将所述铜镍合金单晶箔材作为基底气相沉积生长单晶石墨烯，其中所述气相沉积在惰性气体氛围下升温至700‑800℃，并进行退火处理，随后引入甲醇进行化学气相沉积生长。本发明所提供的制备方法利用更低的生长温度制备石墨烯薄膜，减少了应变能的积累，实现了石墨烯薄膜的无褶皱特性；利用易裂解碳源甲醇与高催化活性的铜镍衬底配合，有效地降低了低温下石墨烯薄膜的缺陷浓度，这也为石墨烯薄膜的有效应用提供便利。