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公开(公告)号：CN118399776A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410477518.8
申请日：2024-04-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H02M7/217 , H02M1/42 , H02M3/335 , H02M7/5387 , G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种通信电源、MOS器件测评方法及系统，属于电源技术领域。通信电源包括前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，前级电路与移相全桥电路连接，移相全桥电路与模式切换电路连接，模式切换电路与变压器连接，变压器与输出电路连接，模式切换电路与控制模块连接；前级电路将输入的交流电源转换为直流电源，并将直流电源输入至移相全桥电路；移相全桥电路获取PWM信号，并通过PWM信号控制移相全桥电路中MOS管的通断状态；控制模块控制模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，避免了拆卸MOS器件。
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公开(公告)号：CN118248739A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410669075.2
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN115948100B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211651282.2
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 天津大学 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国家电网有限公司
IPC: C09D163/02 , C09D5/08 , C09D109/00 , C09D115/00
Abstract: 本发明涉及芯片封装材料领域，公开了一种复合材料组合物及复合材料的制备方法及复合材料和应用。该组合物包含环氧树脂、液体橡胶、固化剂和溶剂；其中，所述环氧树脂、所述液体橡胶、所述固化剂和所述溶剂的重量比为1：(0.1‑0.5)：(1‑3)：(1‑5)。本发明提供的复合材料在3.5％(w/v)的盐水环境下浸泡60天后，阻抗值在6.35E+07Ω以上，静态接触角在60°以上，硬度在60D以上，落重冲击测试的直接抗冲击强度在48cm以上，500g负载下，经1000目砂纸摩擦2000圈后的厚度损失在31％以下，具有良好的防腐性能，同时具有良好的机械性能和耐磨性能。
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公开(公告)号：CN117476468B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311799050.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种超结结构及其制造方法、超结半导体器件和半导体结构。所述超结结构的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；形成多个沟槽，沟槽至少包括位于第二外延层中的第一部分，从而形成多个第二外延柱；在多个沟槽中填充第一外延层材料以形成多个第一外延柱，从而得到第一外延柱和第二外延柱交替排列的超结结构。本公开通过在一个超结结构内实现高度一致的第二外延柱，提高了每个超结结构的耐压能力，使得所述超结结构可以承受更高的电压，保持更低的导通电阻和更高的效率，在电力转换或传输过程中能更好地保持稳定性。
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公开(公告)号：CN115904915B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310068013.1
申请日：2023-02-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片功能验证系统、方法、存储介质及处理器，属于芯片测试技术领域。所述芯片功能验证系统包括：一个或多个分布式处理器，分别位于一个或多个测试位处，且分别被配置有被测芯片接口，用于测试经由该被测芯片接口接入的被测试芯片的功能；主控处理器，经由第一CAN总线与所述一个或多个分布式处理器相连，用于经由该第一CAN总线发送控制所述一个或多个分布式处理器执行测试的指令以及接收并汇总各分布式处理器发送的测试结果。本发明的芯片功能验证系统可以支持多芯片并行测试，且能够有效消除测试指令和测试信号的传输时延。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116953336B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311221481.4
申请日：2023-09-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种电流传感器芯片、制作方法和电路，涉及半导体领域，制造方法包括：基板；待测电路层，形成于所述基板上表面，待测电流电路呈之字形形成于所述待测电路层；检测电路层，形成于所述待测电路层上表面，所述检测电路层上形成有惠斯通全桥电路，所述惠斯通全桥电路包括四个互连的隧穿磁阻，相邻两个隧穿磁阻之间的金属线接入上电极或接入下电极，每一隧穿磁阻均与待测电流电路在芯片纵向方向重合设置。通过本发明提供的芯片，能够将电流电路引入电流传感器芯片内部，与惠斯通全桥电路形成一体化设计，避免外部机械封装引线等工艺带来的性能干扰，降低噪声影响，提升电流传感器灵敏度。
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公开(公告)号：CN117050298A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310903035.5
申请日：2023-07-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及电磁屏蔽材料技术领域，公开了一种尼龙改性树脂及其制备方法、电磁屏蔽材料及电子设备。所述尼龙改性树脂中含有含氟原子和/或全氟烷基的苯基，可以显著改善电磁屏蔽材料的机械性能、耐温性能、吸水性能和屏蔽性能。
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公开(公告)号：CN116953336A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311221481.4
申请日：2023-09-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种电流传感器芯片、制作方法和电路，涉及半导体领域，制造方法包括：基板；待测电路层，形成于所述基板上表面，待测电流电路呈之字形形成于所述待测电路层；检测电路层，形成于所述待测电路层上表面，所述检测电路层上形成有惠斯通全桥电路，所述惠斯通全桥电路包括四个互连的隧穿磁阻，相邻两个隧穿磁阻之间的金属线接入上电极或接入下电极，每一隧穿磁阻均与待测电流电路在芯片纵向方向重合设置。通过本发明提供的芯片，能够将电流电路引入电流传感器芯片内部，与惠斯通全桥电路形成一体化设计，避免外部机械封装引线等工艺带来的性能干扰，降低噪声影响，提升电流传感器灵敏度。
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公开(公告)号：CN116736089B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311026936.7
申请日：2023-08-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种芯片高低温可靠性测试设备及方法。设备包括温控装置、顶板、电路板以及连接于顶板与温控装置之间的升降杆和伸缩返流管；温控装置的顶面开设有若干第一气流口；顶板的底面开设有若干第二气流口，顶板的内部开设有气流通道；电路板其中一面的面板上设有若干用于放置待测芯片的安装槽，安装槽与第二气流口适配；安装槽的槽底壁开设有气孔；所述电路板的另一面上与安装槽所在位置相对应处设有与所述第一气流口相适配的对接口；电路板上预先焊接有测试所需的连接线路以及测试板卡。采用该装置可延长测试板卡的使用寿命，并实现批量准确的高低温可靠性测试。
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公开(公告)号：CN116646251B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310928110.3
申请日：2023-07-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，涉及半导体领域，制造方法包括：提供具有外延层的衬底；依次在外延层上形成栅氧化层、占位层和硬掩膜层；占位层的厚度与待形成的多晶硅栅结构的厚度相同；在硬掩膜层上形成刻蚀窗口；利用硬掩膜层，在栅氧化层和占位层形成刻蚀窗口，在外延层形成超级结填充区；利用硬掩膜层，通过自对准工艺在超级结填充区顶部掺杂形成具有第二导电类型的体区；在占位层和栅氧化层的刻蚀窗口内形成停止层；利用停止层和占位层，通过自对准工艺在外延层表面形成多晶硅栅结构和栅氧结构。通过本发明提供的方法，能够降低工艺成本，保证超级结填充区左右两侧的沟道长度一致。
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