公开(公告)号：CN104521003A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380042132.4

申请日：2013-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高桥光人 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L31/18

Abstract: 一种生产率良好地形成钝化效果优良的由氮化硅构成的反射防止膜的太阳能电池的制造方法，其特征在于，使用具备成膜室(101)、具有使氨气激发的激发部(111a、112a)和对激发了的氨气导入硅烷气体而活性化的活性化反应部(111b、112b)的等离子体室(111、112)、以及针对每个等离子体室(111、112)调整氨气和硅烷气体的流量比的流量控制器(113)的远程等离子体CVD装置(100)，在成膜室(101)中输送半导体基板(102)的同时，通过来自第一等离子体室(111)的等离子体流，在半导体基板(102)上形成第一氮化硅膜，接着通过来自导入了流量比与第一等离子体室(111)不同的氨气和硅烷气体的第二等离子体室(112)的等离子体流，形成组成与第一氮化硅膜不同的第二氮化硅膜。

公开(公告)号：CN101800265B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201010116537.6

申请日：2010-02-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  大塚宽之 ,  坂井郁夫 ,  阿部贤治 ,  石川直挥

IPC: H01L31/18 ,  B41F15/08

CPC classification number: B41F33/0081 ,  B41F15/0881 ,  B41F15/26 ,  B41M1/12 ,  B41M1/26 ,  B41M3/00 ,  B41P2233/52 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18 ,  H05K1/0269 ,  H05K3/0008 ,  H05K3/1216 ,  H05K2201/09918 ,  H05K2203/1476 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及丝网印刷法。本发明提供了一种用于改善多个丝网印刷步骤期间的精度的方法。在将第一层和对准标记印刷在工件上之后，用照相机来形成所述对准标记的图像，以便将该对准标记作为图像数据存储在被配置为传输基准数据以供后续印刷的图像处理装置中，并且使用所述图像数据来更新图像处理装置中的基准数据。

公开(公告)号：CN103155165A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048928.1

申请日：2011-08-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大岩秀雄 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之 ,  原一雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种用于太阳电池的基板和太阳电池，其中，在平面图中具有正方形形状的硅基板的一个角部处形成平的斜切的部分，或者在角部或角部附近形成缺口。本发明使得能够很容易地在太阳电池制造步骤中检查基板的位置并确定基板的方向，并抑制由于基板方向产生的失败。

公开(公告)号：CN103059666A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210548232.1

申请日：2012-09-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 月形信太郎 ,  松冈敏文 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: C09D129/04 ,  C09D129/14 ,  C09D131/04 ,  C09D7/12 ,  H01L31/18

CPC classification number: C23C10/00 ,  C23C10/18 ,  C23C10/20 ,  C23C10/60 ,  C23C28/042 ,  C23C28/048 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种涂布液，其包括硼化合物、有机粘结剂、硅化合物、氧化铝前体，以及水和/或有机溶剂，该涂布液用于将硼扩散到硅衬底中以形成p型扩散层。将该涂布液旋涂到衬底上以形成具有足够量杂质的均匀涂层，由此在其上形成具有平面均匀性的p型扩散层。

公开(公告)号：CN102598308A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050384.8

申请日：2010-05-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了太阳能电池，其包括：具有受光面和非受光面的半导体基板；形成于半导体基板上的pn结；形成于受光面和/或非受光面上的钝化层；以及形成于受光面和非受光面上的电力提取电极。太阳能电池的特征在于，钝化层包括具有40nm或更少厚度的氧化铝膜。由于在基板表面上形成具有预定厚度的氧化铝膜，可以仅通过作为传统技术的烧成导电性糊获得优异的钝化性能以及在硅和电极之间的优异的电接触。此外，可省去过去为获得氧化铝膜的钝化效果所必需的退火步骤，由此显著地降低成本。

公开(公告)号：CN1498426A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN02806810.6

申请日：2002-03-19

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 生岛聪之 ,  大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  渡部武纪

IPC: H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。

公开(公告)号：CN303854420S

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201630047509.1

申请日：2016-02-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Designer： 大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  桥上洋 ,  三田怜 ,  森山隼 ,  森力

Abstract: 1、本外观设计产品的名称：太阳能电池。2、本外观设计产品的用途：本外观设计产品作为太阳能电池来使用。3、本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状等。4、最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1A部放大参考图。5、指定基本设计：设计1。6、在设计1主视参考图、设计2主视参考图、设计3主视参考图以及设计4主视参考图中，2表示太阳能电池的受光面的相反侧的面，3表示指状电极，5表示绝缘膜，6表示总线电极，在设计1使用状态立体参考图、设计2使用状态立体参考图、设计3使用状态立体参考图以及设计4使用状态立体参考图中，4表示引线。7、设计1A部放大参考图中用阴影线表示的部分，即设计1的绝缘膜5采用透明材质，设计3A部放大参考图中用阴影线表示的部分，即设计3的绝缘膜5采用透明材质。