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公开(公告)号：CN102318152B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980156981.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的III族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。III族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。
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公开(公告)号：CN102959736A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032436.3
申请日：2011-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。
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公开(公告)号：CN102782809A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012720.4
申请日：2011-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/30 , C30B25/10 , C30B29/40 , H01L31/10
CPC classification number: H01L21/0262 , B82Y20/00 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02387 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L31/035236 , H01L31/105 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种包含含锑层，能够以减少导致良率大幅下降的凸状表面缺陷而被有效率地生产，并且能够抑制导致性能降低的杂质污染的外延晶片、光电二极管等。该生产方法特征在于其包括全金属有机气相沉积方法在衬底（1）上生长含锑层（Sb）的步骤；以及在含锑层上生长包括窗口层的无锑层，并且，从含锑层的生长到窗口层的生长结束，在425℃或更大且525℃或更小的生长温度下完成生长。
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公开(公告)号：CN102474076A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031731.2
申请日：2010-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺杂剂。p型GaN基半导体层17的碳浓度为2×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。
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公开(公告)号：CN102473805A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002448.1
申请日：2011-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/34333
Abstract: GaN基半导体发光器件11a包含：由GaN基半导体构成的衬底13，其具有以63度以上且小于80度的倾斜角α从c面向m轴倾斜的主面13a；GaN基半导体外延区域15；有源层17；电子阻挡层27及接触层29。有源层17由含铟的GaN基半导体构成。衬底13的位错密度为1×107cm-2以下。在具有含铟的有源层的GaN基半导体发光器件11a中，能够减轻在电流注入高的情况下的量子效率的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102422497A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020695.X
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。结(78a)～(78c)的位错密度大于其它结的位错密度。
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公开(公告)号：CN102414796A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019145.6
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN102326231A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008691.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。
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公开(公告)号：CN102308370A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007182.5
申请日：2010-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN101984774A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200980104006.0
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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