公开(公告)号：CN117566448A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311723685.8

申请日：2023-12-14

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 李春来 ,  谢茂 ,  陈家辉 ,  黄宏 ,  赵军权 ,  罗小龙 ,  易光绪

IPC: B65G59/02

Abstract: 本发明提供一种自动升降的放料工装，包括：支撑座；支撑杆，支撑杆设置在支撑座上，支撑杆第一端与支撑座连接，支撑杆第二端设置有弹性组件；放置板，放置板与弹性组件连接用于支撑物料，且放置板位于支撑座上方；其中，当物料放置在放置板上，放置板向下运动，当物料从放置板取下，放置板在弹性组件作用下向上运动，本发明中的技术方案带来的有益效果至少包括：通过设置弹性组件和支撑杆，将放置板与弹性组件连接，让放置板具备根据重力而自动调整本身位置的功能；当拿取一部分的物料后，在弹性组件的弹性力的作用下，放置板向上运动，带动放置板上的物料向上运动，让最上层的物料始终保持在同一高度，便于工作人员的拿取或放置。

公开(公告)号：CN117374037A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311333450.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 闫瑞东 ,  夏大权 ,  徐向涛 ,  马红强 ,  朱海燕 ,  杨鹏

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种PFC模块及封装方法，属于半导体封装技术领域。本发明引线框架包括多个框架单元，每个所述框架单元包括阳极引脚和位于所述阳极引脚上的基岛；MOS芯片设置在所述基岛上，并与所述引线框架键合；DBC基板设置在所述基岛上并位于所述MOS芯片的一侧，且与所述引线框架键合；GPP芯片设置在所述DBC基板上，并分别与所述阳极引脚和所述引线框架键合；封装体将所述MOS芯片、所述DBC基板和所述GPP芯片封装在框架单元。本发明通过将MOS芯片与GPP芯片集成到同一框架单元上，使得MOS芯片与GPP芯片的参数一致性好，降低寄生电感、减少信号波动和信号损失，提高整体电路相应速度，同时简化了电路的设计，降低了产品的封装难度，也减小了体积，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN117352558A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311407858.5

申请日：2023-10-26

Applicant: 重庆大学 ,  重庆溢哲渝科技有限公司 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  黄嘉伟文 ,  许豪杰 ,  徐向涛 ,  张澳航 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267

Abstract: 本申请提供一种鳍型异质结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底层；漏电极金属层；第一导电类型漂移层设置于第一导电类型衬底层背离漏电极金属层的一侧，第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧平面设置有凸出部以形成鳍型结构；厚氧化物屏蔽层设置于第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型导电层设置于厚氧化物屏蔽层背离第一导电类型漂移层的一侧；栅金属层，其设置于第二导电类型导电层背离第一导电类型漂移层的一侧；钝化层设置于栅金属层背离第二导电类型导电层的一侧；第一导电类型介质层设置于凸出部远离第一导电类型衬底层的一侧；源极金属层设置于第一导电类型介质层背离凸出部的一侧。

公开(公告)号：CN117352541A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311407846.2

申请日：2023-10-26

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆溢哲渝科技有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  陈文锁 ,  许豪杰 ,  俞齐声 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种注入增强型快速薄顶层硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：衬底层；基区，设置于衬底层上；漂移区，相邻基区设置于衬底层上；缓冲区，相邻漂移区设置于衬底层上；高阻区，相邻缓冲区设置于衬底层上；发射区，设置于基区背离衬底层的一侧；栅极区，设置于基区上；集电区，设置于缓冲区背离衬底层的一侧，集电区与高阻区接触。非平衡电子从发射区向集电区方向运动，并以直接导通的方式通过缓冲区和高阻区而被集电区收集，相较于IE‑LIGBT，本发明的电流拖尾现象基本得到消除，提高了关断速度，减小了关断损耗。

公开(公告)号：CN116960189A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310821634.2

申请日：2023-07-05

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  张澳航 ,  张成方 ,  陈文锁 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。

公开(公告)号：CN112885804B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202110250762.7

申请日：2021-03-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  马红强 ,  徐向涛 ,  周玉凤 ,  王兴龙 ,  李述洲

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H02S40/34 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。

公开(公告)号：CN107359133B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201710626742.9

申请日：2017-07-27

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 章发国 ,  李述洲 ,  王兴龙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/329 ,  B21F1/00 ,  B21F5/00 ,  B21F11/00 ,  B21F23/00

Abstract: 本发明公开了一种二极管送料、打扁、切筋整形一体机，包括沿着导轨从前到后依次设置的自动送料部分、打扁部分和切筋整形部分；所述自动送料部分包括导料槽送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构；所述打扁部分包括沿着导轨从前到后设置的一次打扁部分和二次打扁部分；所述切筋整形部分包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构。将打扁、切筋整形集成到一台设备上完成，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，最后成型好的产品自动落到收料盒中。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。

公开(公告)号：CN110744790A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201911082168.0

申请日：2019-11-07

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 章发国

IPC: B29C45/38 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种二极管成型产品去胶道装置，用于解决现有技术中去胶道比较困难的问题。本发明提供一种二极管成型产品去胶道装置，包括：上压组，所述上压组包括上压板和多个立刀，所述立刀固定在所述上压板的下表面，各个所述立刀之间间隔设置；下压组，所述下压组包括下压板和多个凸台，所述凸台固定在所述下压板的上表面，所述凸台沿长度方向上设有能够供所述立刀通过的第一通槽，所述第一通槽的位置和所述立刀位置对应，所述第一通槽贯穿所述凸台的上表面和所述下压板的下表面；所述下压板被悬空支撑，所述下压板的一边和所述上压板的一边铰接。能够快速去除胶道。

公开(公告)号：CN110055577A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910373874.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王建平 ,  王利军 ,  吴新 ,  陈家德

IPC: C25D17/28 ,  C25D7/06

Abstract: 本发明提出一种轴向引线电子元器件的电镀方法，包括：电镀容器，用于盛放包含金属阳离子的电镀液；传送机构，用于传送待镀器件和引导待镀器件翻转；所述传送机构包括传送带和导向组件，所述导向组件用于引导待镀器件翻转及引导待镀器件浸入电镀容器的电镀液中；所述传送带上设置有用于浸入电镀液中进行电化学反应的电极；本发明极大地提高了生产效率，保证了电镀效果，消除了引线弯曲。

公开(公告)号：CN109786472A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910156443.2

申请日：2019-03-01

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  嘉兴奥罗拉电子科技有限公司

Inventor： 李述洲 ,  晋虎 ,  孙永生 ,  高良

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括：衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层，具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，使得台面的峰值电场值得以降低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；另一方面，所述功率半导体器件在承受大电流冲击的过程中，第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，与肖特基势垒层相比，第二掺杂层能够承受更大的正向电流密度，因此能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。