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公开(公告)号:CN108831835A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201810651307.6
申请日:2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件的形成方法,包括:提供第一类型掺杂的半导体层,所述半导体层表面形成有栅极结构;在所述栅极结构两侧的半导体层内形成第二类型掺杂的体区;在所述体区之间的半导体层内形成载流子吸收区。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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公开(公告)号:CN110055577B
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN201910373874.4
申请日:2019-05-07
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种轴向引线电子元器件的电镀方法,包括:电镀容器,用于盛放包含金属阳离子的电镀液;传送机构,用于传送待镀器件和引导待镀器件翻转;所述传送机构包括传送带和导向组件,所述导向组件用于引导待镀器件翻转及引导待镀器件浸入电镀容器的电镀液中;所述传送带上设置有用于浸入电镀液中进行电化学反应的电极;本发明极大地提高了生产效率,保证了电镀效果,消除了引线弯曲。
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公开(公告)号:CN110055577A
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201910373874.4
申请日:2019-05-07
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种轴向引线电子元器件的电镀方法,包括:电镀容器,用于盛放包含金属阳离子的电镀液;传送机构,用于传送待镀器件和引导待镀器件翻转;所述传送机构包括传送带和导向组件,所述导向组件用于引导待镀器件翻转及引导待镀器件浸入电镀容器的电镀液中;所述传送带上设置有用于浸入电镀液中进行电化学反应的电极;本发明极大地提高了生产效率,保证了电镀效果,消除了引线弯曲。
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公开(公告)号:CN208315553U
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201820977290.9
申请日:2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本实用新型涉及一种功率半导体器件,包括:第一类型掺杂的半导体层;位于所述半导体层表面的栅极结构;位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区;位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区,所述载流子吸收区包括多个阵列排列的子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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