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公开(公告)号:CN1230854C
公开(公告)日:2005-12-07
申请号:CN02121694.0
申请日:2002-05-28
Applicant: 富士电机控股株式会社
IPC: H01H73/02
Abstract: 为了改进附属开关的致动件的结构,以便在断路器的激活状态中,主触头的接触压力不会因来自附属开关的反作用力而下降。一种容纳在断路器中的辅助开关(附属开关)由微型开关和致动杆所构成,该致动杆是由主杆和辅助杆组合而成的,其中主杆的杆端面向断路器主体的活动触头,辅助杆的支点位置与主杆的支点位置不同,并且辅助杆的杆端介于主杆与微型开关的致动件之间;它被构成为:动作位置和主杆与辅助杆之间的啮合角在辅助开关的切换动作之前和之后是不同的,并且当断路器激活时从微型开关经由辅助杆施加到主杆上的力的矢量方向在开关的切换动作之前和之后从P变化到Q,以便自附属开关作用在使断路器主体的主触头的接触压力降低的方向上的反作用力在微型开关的切换动作之后保持较低。
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公开(公告)号:CN1656857A
公开(公告)日:2005-08-17
申请号:CN03811685.5
申请日:2003-05-21
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 铃木键
IPC: H05B33/24
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/322 , H01L27/3272 , H01L51/5234 , H01L51/5271 , H01L2251/5315 , H01L2251/5353
Abstract: 提供了一种有机EL发光元件,包含:基板,在基板上形成的具有反射功能的薄膜,有机EL发光层和上部电极;具有所述反射功能的薄膜由非晶合金构成。该发光元件具有有反射功能、对晶体管的遮光功能和电极功能、而且表面凹凸小的反射膜。
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公开(公告)号:CN102194863A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110056957.4
申请日:2011-03-01
Applicant: 富士电机控股株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/306 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/308 , H01L21/302 , H01L21/78 , H01L29/06
Abstract: 所揭示的是能够防止电特性退化的半导体器件及制造半导体器件的方法,多个场限环(FLR)和沟道挡块在反向阻断IGBT的反向电源阻断结构中被设置在n型漂移区的正面的表面层上。p型集电区设置在n型漂移区的背面表面的表面层上。在元件端部设置用于获取反向阻断能力的p+型隔离层。此外,凹部设置成从n型漂移区的背面表面延伸至p+型隔离层。p型区被设置在侧壁的表面层上,且凹部的底部与p+型隔离层和p型集电区彼此电连接。p+型隔离层与沟道挡块相接触。此外,p+型隔离层被设置成包括解理面,该解理面将凹部的底部和侧壁之间的边界作为一条边。
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公开(公告)号:CN102194701A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110058206.6
申请日:2011-03-08
Applicant: 富士电机控股株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种超级结半导体器件的制造方法。本发明的课题在于,提供降低n型柱和p型柱的电荷平衡偏差、耐压合格品率高的超级结半导体器件的制造方法。在高浓度的第一导电型半导体基板(1)上,形成由第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)构成的超级结构造部(10)作为漂移层,在该超级结半导体器件的制造方法中,使得向上述第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)中分别注入离子的总杂质量相等,并且以加速能量分别注入离子,上述加速能量使得刚注入离子后的深度方向的杂质浓度峰值位置在上述第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)中大致一致。
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公开(公告)号:CN102113148A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN200980130902.4
申请日:2009-08-18
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 寺尾丰
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1458 , H01L51/0068 , H01L51/0081 , H01L51/5048 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供一种顶部发光有机EL元件或透明有机EL元件,其具有低驱动电压和高效率。本发明的有机EL元件依次包括:基板;阳极;有机EL层,其包括至少一个发光层、电子传输层和减轻破坏的电子注入层;以及透明阴极。所述透明阴极由透明导电性氧化物材料组成,所述减轻破坏的电子注入层与所述透明阴极接触,所述减轻破坏的电子注入层包含晶体低聚噻吩化合物。本发明的有机EL元件制造方法使用减轻破坏的电子注入层来防止在通过溅射法沉积透明导电性氧化物材料以形成顶部阴极的时候,所述发光层或电子传输层发生氧化劣化,所述减轻破坏的电子注入层是通过气相沉积法,由晶体低聚噻吩化合物形成的。
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公开(公告)号:CN102090142A
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200980106115.6
申请日:2009-09-29
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 安达和哉
CPC classification number: H05B33/04 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供一种有机EL器件,其包括:基板;形成在上述基板上的有机EL元件;和形成在上述有机EL元件之上的密封膜,其中,上述密封膜是含有H的氮化硅膜,上述含有H的氮化硅膜中的H含量为0.85~0.95at%。
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公开(公告)号:CN102067729A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200980122994.1
申请日:2009-07-27
Applicant: 富士电机控股株式会社
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1458 , H01L27/322 , H01L2251/558 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种色转换膜,该色转换膜能保持充分的转换光强度而无需增加其厚度,本发明还提供一种使用该色转换膜的发多色光的有机EL装置。本发明的色转换膜包括由第一染料单元和第二染料单元组成的聚合物染料。第一染料单元吸收入射到色转换膜上的光,并将吸收的入射光的能量转移到第二染料单元上。第二染料单元吸收来自第一染料单元的能量,并发光。
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公开(公告)号:CN102047758A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200980121252.7
申请日:2009-05-20
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 小林诚
CPC classification number: H05B33/04 , H01L27/322 , H01L51/5284 , H05B33/12
Abstract: 本发明涉及色彩转换型有机EL显示器,该有机EL显示器的总体显示效率通过在从发光部分发射出的光中增加入射到色彩转换过滤器上的光的比例提升。在玻璃衬底(10)上形成滤色片(20)和黑底(30),在该黑底(30)上形成色彩转换过滤器(40)。在单独的玻璃衬底(70)上形成透明电极,其上形成有机EL发射部分(60)。这两个衬底用位于其间的填充材料(50)接合在一起。确定开口面积比率以及有机EL发射部分(60)与色彩转换过滤器(40)之间的位置关系,以使从该有机EL发射部分(60)的开口的边缘部分发射出的最高强度的光在整个范围0≤φ≤360°上入射到该色彩转换过滤器(40)上。为此,该有机EL发射部分(60)的开口比该色彩转换过滤器(40)的开口窄。
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公开(公告)号:CN102044986A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN201010290011.X
申请日:2010-09-17
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 藤井干介
Abstract: 本发明提供一种单元逆变器系统。在包括多台单元的单元逆变器中,不给系统带来不利影响,根据要变换的功率大小来变更单元的运转台数,从而提高装置的部分负载效率。在将多台逆变器单元并联连接、根据要变换的功率大小选择运转台数的单元逆变器系统中,当减少台数时,在减少成为对象的逆变器的电流之后,使逆变器的半导体开关元件的栅极信号关断。
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公开(公告)号:CN102035420A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010276298.0
申请日:2010-09-01
Applicant: 富士电机控股株式会社
IPC: H02M7/483
CPC classification number: H02M7/483 , H02M7/487 , H02M2001/007
Abstract: 本发明提供一种能通过降低所产生损耗减少尺寸和降低成本的五级转换器。具有分为两组的三个端子的该转换器从具有包括零在内的三个不同的电压电平的输入直流电源产生五个电压电平,并随机地选择性输出该五个电压电平,该转换器由第一、第二和第三臂对以及交流开关构成,该第一、第二和第三臂对通过串联组合两个由半导体器件组成的臂而构成,该交流开关通过组合半导体器件构成。结果,通过相对于常规转换器减少电流流过的元件的数目来减少所产生损耗,由此能增加器件的效率并降低器件的成本。
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