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发明公开
超级结半导体器件的制造方法失效

公开(公告)号：CN102194701A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110058206.6

申请日：2011-03-08

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 大井明彦 , 岩谷将伸 , 矢嵨理子 , 栗林均

IPC: H01L21/336 , H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种超级结半导体器件的制造方法。本发明的课题在于，提供降低n型柱和p型柱的电荷平衡偏差、耐压合格品率高的超级结半导体器件的制造方法。在高浓度的第一导电型半导体基板(1)上，形成由第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)构成的超级结构造部(10)作为漂移层，在该超级结半导体器件的制造方法中，使得向上述第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)中分别注入离子的总杂质量相等，并且以加速能量分别注入离子，上述加速能量使得刚注入离子后的深度方向的杂质浓度峰值位置在上述第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)中大致一致。

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