公开(公告)号：CN112397388B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201910760385.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种二极管及其制备方法。该二极管的制备方法包括以下步骤：提供表面形成有外延层的衬底，所述外延层的表面包括主结区和包围所述主结区的非主结区；在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽；对所述主结槽的底面进行扩铂处理；在所述扩铂处理后的所述主结槽的底面形成电阻层，得到中间器件；其中，所述电阻层在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极；在所述中间器件的背面形成阴极。利用该制备方法以解决主结区扩铂不完全，且电阻层电阻值难以控制的问题。

公开(公告)号：CN112310226B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201910691503.0

申请日：2019-07-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  史波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种快恢复二极管，涉及二极管领域。该快恢复二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层表面；P型注入区，位于所述衬底层表面，且设置于所述N型外延层的侧部；扩散区，位于所述N型外延层的顶部区域，与P型注入区分隔设置。利用该快恢复二极管能够解决现有技术中采用扩铂工艺降低快恢复二极管反向恢复时间时容易导致其正向导通压降高的问题，通过改变快恢复二极管的结构达到降低快恢复二极管反向恢复时间的目的。

公开(公告)号：CN113725191A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110961329.4

申请日：2021-08-20

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 秦明柳谦 ,  史波 ,  江伟 ,  杨景城 ,  黄玲

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/49 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本申请涉及半导体封装技术，本申请提供了一种芯片模块以及功率芯片封装，芯片模块包括基板、芯片以及连接板；所述基板设有外接焊盘，所述芯片包括第一面以及第二面，所述第一面电连接于所述基板的外接焊盘，所述连接板贴合连接于所述基板，一个或多个所述芯片固定于所述连接板与所述基板之间；所述连接板包括印制连接线、第二焊盘以及第三焊盘，所述芯片的第二面电连接于所述第三焊盘；所述连接线连接于所述第二焊盘与所述第三焊盘之间，所述第二焊盘电连接于所述基板。其中连接板以印制电路取代键合线，以印制连接线连接芯片并传递电信号，以此方式替代了键合线工艺，极大提升了生产过程中的效率，同时解决了金线易冲线的问题。

公开(公告)号：CN113437132A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010206337.3

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  马颖江

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率二极管及其制备方法，该碳化硅功率二极管包括衬底、漂移层和第一欧姆金属层，漂移层形成于衬底一侧的表面，漂移层远离衬底的表面具有有源区，有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各第一P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深，且漂移层上各第一P+注入区背离衬底的一侧均为豁口结构；第一欧姆金属层与第一P+注入区一一对应，各第一欧姆金属层位于对应的豁口结构中，并与对应的第一P+注入区欧姆接触。该碳化硅功率二极管及其制备方法能够提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流能力。

公开(公告)号：CN113437033A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110718033.X

申请日：2021-06-28

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种封装结构、其制备方法及电子器件，该封装结构包括至少一个球栅阵列组件，所述球栅阵列组件处具有石墨烯导热层，所述球栅阵列组件中的焊球嵌于所述石墨烯导热层中。基于本发明的技术方案，由多层二维石墨烯薄膜堆叠而成的石墨烯导热层，不仅可以有效提高封装结构的散热效率，而且其多层堆叠结构可以在高机械应力的界面起到缓冲作用，能够避免界面处应力过大导致封装结构的组件产生翘曲和破裂。

公开(公告)号：CN113394114A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202010164755.0

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  曹俊 ,  马颖江

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L25/18

Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。

公开(公告)号：CN113284871A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202010102198.X

申请日：2020-02-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 杨景城 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及DBC基板封装技术领域，提出了一种DBC基板框架结构，包括基板，所述基板上方设置有相互正对的第一侧框架与第二侧框架，第一侧框架连接固定在所述基板上，基板倾斜设置且倾斜方向为沿所述第二侧框架到所述第一侧框架方向斜向上，用于补偿封装过程中所述第一侧框架挤压导致所述基板翘起；还提出了一种DBC基板框架结构的成型治具，包括基座和设置在所述基座上的成型腔，成型腔用于制造上述的DBC基板框架结构；还提出了一种DBC基板框架结构的成型方法，其采用了上述成型治具。本发明具有封装成功率高、封装成本低和加工效率高的优点。

公开(公告)号：CN113141122A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010064223.X

申请日：2020-01-20

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈茂麟 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H02M7/00 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明提出了一种智能功率模块，包括上桥逆变桥、下桥逆变桥以及连接所述上桥逆变桥和所述下桥逆变桥的控制器，所述上桥逆变桥及所述下桥逆变桥分别垂直设置在所述控制器的相对的两侧，且所述上桥逆变桥与所述下桥逆变桥对称设置，本发明的智能功率模块为立体结构，减少了模块所占的面积，增加模块的散热效率。同时其类似插片式的散热器的外观结构，既提高了散热效果，又免去了散热器，解决了IPM模块和散热器热粘合不好的问题，同时节约了散热器的成本。本发明提出了上述智能功率模块的制备方法，不仅可以制备DIP封装，还可以制备SOP的封装形式。

公开(公告)号：CN113066720A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110296226.0

申请日：2021-03-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备，一种碳化硅衬底退火工艺，具体包括：将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽碳化硅衬底表面，且双层掩蔽层与碳化硅衬底之间的距离D满足：0μm＜D≤300μm；对碳化硅衬底进行退火处理。碳化硅衬底和双层掩蔽层之间的间距可以调整，进而达到改善碳化硅衬底表面粗糙度的目的。因此，碳化硅衬底退火结束后无需复杂的掩蔽层去除工艺，只需直接将双层掩蔽层拿走即可，从而在保证相同效果的情况下优化工艺来实现工艺成本的降低。

公开(公告)号：CN113035947A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911343001.5

申请日：2019-12-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 栾宁 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开涉及一种功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法。功率器件包括:N型半导体衬底；P型阱层，位于N型半导体衬底的前侧；N型发射层，位于P型阱层的前侧；沟槽，穿过N型发射层和P型阱层并延伸至N型半导体衬底的内部；栅结构，填充于沟槽内，包括第一部分和第二部分，第一部分更加靠近沟槽的底壁，第一部分的材料包括绝缘氧化物，第二部分的材料包括掺杂多晶硅；第一介质层，覆于沟槽的侧壁，将第二部分与P型阱层间隔，及将第二部分与N型发射层间隔。