公开(公告)号：CN106430985B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610644369.5

申请日：2016-08-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐华蕊 ,  余日光 ,  颜东亮 ,  赵昀云

IPC: C03C10/08 ,  C03C12/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃粉的水热制备方法。以质量百分比正硅酸乙脂︰氯化铝︰氯化镁=50~53:30~35:13~20的复合原料，溶解于去离子水，控制溶液浓度为0.5~1.5mol/L，并加入氨水调节pH值为7.0~9.5，反应生成沉淀物，再将沉淀物倒入水热反应釜，在180~240℃/12h的水热条件反应，待反应釜冷却后，出料并按复合原料的氧化物含量0.5~3%的比例加入氯化物掺杂剂，搅拌，静置1小时后，用常规方法过滤、洗涤、干燥，在1400~1500℃熔融，再按常规方法破碎、球磨、喷雾造粒，得到堇青石基微晶玻璃粉。本发明通过水热法制备微晶玻璃前驱体，可获得具有更好封装性能的玻璃粉体，可广泛应用于电子器件的封装。

公开(公告)号：CN109133030A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811114757.8

申请日：2018-09-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  洪先永 ,  徐华蕊 ,  赵昀云 ,  张秀云 ,  颜东亮

IPC: C01B32/05 ,  H01G11/32 ,  H01G11/24

CPC classification number: C01B32/05 ,  H01G11/24 ,  H01G11/32

Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂多孔碳材料的制备方法及其应用，其制备步骤包括：步骤1：将葡萄糖与含氮化合物加入到去离子水中，搅拌均匀后放入高压反应釜中在一定温度和时间下碳化反应，再经过滤、洗涤、干燥得到含氮前驱体；步骤2：将含氮前驱体和碱性无机物混合，经搅拌、干燥、煅烧、活化得到氮掺杂多孔碳材料；步骤3：将得到的氮掺杂多孔碳材料经过洗涤、过滤、烘干、研磨即得氮掺杂多孔碳材料，该材料的比表面积范围在1343‑1947m2g‑1，孔径分布均一，孔径分布为1‑2nm。该材料应用于超级电容器电极材料组装成超级电容器，当电流密度为0.5Ag‑1时，比电容值为320‑423F g‑1。在超级电容器、锂离子电池等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN104843976B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510150714.5

申请日：2015-04-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐华蕊

IPC: C03B23/03

CPC classification number: Y02P40/57

Abstract: 本发明公开了一种3D曲面超薄玻璃弯曲成型装置和制造方法。该装置包括：转盘、凹模、凸模、气缸、玻璃转移机构、隧道炉、真空系统以及电气控制操作系统，其中转盘上设有多个凹模。采用上述装置，分阶段快速加热凹模和凸模，将超薄玻璃依次置于转盘的凹模上，并进行预热，当超薄玻璃旋转到达凸模对应的工位后，压下凸模并利用远红外灯管快速加热到玻璃软化点，同时利用真空系统对凹模上的超薄玻璃抽吸和凸模加压，使超薄玻璃发生弯曲，经玻璃转移机构将超薄玻璃转到隧道炉进行降温，即可实现3D曲面超薄玻璃的制造。本方法具有批量化、自动化、高效制造的特点，特别适合用于曲面显示屏保护膜的3D曲面超薄玻璃的制造。

公开(公告)号：CN104465462B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201410781212.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐华蕊 ,  朱归胜 ,  颜东亮

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/35 ,  B23K26/364

Abstract: 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理；②将集成在磁控溅射仪上的激光刻蚀机与溅射台上的基片进行定位，并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上；③通过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件，并设置激光参数和运动参数；④启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀。本发明使薄膜在磁控溅射制备完成后即可在基片台上实现图案化，无需取出，具有工艺简单、易于工业化的特点，特别适合于制作各种多层薄膜元器件。

公开(公告)号：CN106854754A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201611166365.7

申请日：2016-12-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐华蕊 ,  陈一达 ,  赵昀云 ,  张秀元 ,  颜东亮

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/086

Abstract: 一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其步骤包括：1）安装溅射靶材；2）清洗玻璃基片并安装；3) 抽真空度至8×10‑4Pa以下；4）采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；5）生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过对基片温度、溅射气压、溅射功率等的控制先在玻璃基片上制备400主峰择优取向的ITO薄膜诱导层，然后再通过制备工艺参数的控制即可生长具有400主峰高度择择优的ITO薄膜。本发明采用同质诱导实现400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备，无需引入异质中间诱导层或经后续退火处理，具有工艺简单，易于实现工业化的特点，所制备的ITO薄膜具有高度400主峰晶面择优取向，光电性能优异。

公开(公告)号：CN103456983B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201310404223.X

申请日：2013-09-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐华蕊 ,  俞兆喆 ,  朱归胜

IPC: H01M10/0562

Abstract: 本发明公开了一种薄膜固体电解质材料及其制备方法，其结构为Li‑(Mn1‑xM1x)‑(Ti1‑yM2y)‑O表示，其中x满足0≤x＜1的关系，y满足0≤y＜1的关系，上述M1选自La、Sr、Na、Nd、Pr、Sm、Gd、Dy、Y、Eu、Tb、Ba中的至少一种，M2选自Mg、W、Al、Ge、Ru、Nb、Ni、Ta、Co、Fe、Zr、Hf、Fe、Cr、Ga中的至少一种。该薄膜固体电解质是经溶胶凝胶法或射频磁控溅射的方法制得。该薄膜固体电解质具有较高的Li离子导电率，较低的电子导电率和良好的热力学稳定性，特别适用于生产固体锂离子电池。

公开(公告)号：CN104465462A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410781212.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐华蕊 ,  朱归胜 ,  颜东亮

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/35 ,  B23K26/364

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理；②将集成在磁控溅射仪上的激光刻蚀机与溅射台上的基片进行定位，并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上；③通过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件，并设置激光参数和运动参数；④启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀。本发明使薄膜在磁控溅射制备完成后即可在基片台上实现图案化，无需取出，具有工艺简单、易于工业化的特点，特别适合于制作各种多层薄膜元器件。

公开(公告)号：CN103896578A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410102318.0

申请日：2014-03-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  朱归胜 ,  王华 ,  徐华蕊 ,  张小文

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是Bi2O3、B2O3和SiO2中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。

公开(公告)号：CN201829526U

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200920164899.5

申请日：2009-12-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐华蕊

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50

Abstract: 一种LED的封装结构，包括LED芯片、高导热的金属基座、连接支架、LED面罩，LED芯片固定于基座安装面上，LED芯片电极端与支架电路之间通过电极引线做电性导接，LED面罩设于出光口上；其特征在于：LED面罩的内面上有一层溅射的荧光薄膜层。由于将荧光薄膜溅射于LED面罩内面上，便于组装，简化了封装操作，去除了传统LED加工过程中的荧光材料调胶、涂布、烘烤等影响LED性能稳定的关键性作业，同时提高LED的亮度与辉度，避免光斑出现，减少光衰。

公开(公告)号：CN204303766U

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201420801750.4

申请日：2014-12-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐华蕊 ,  朱归胜

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/35 ,  B23K26/364

Abstract: 本实用新型公开了一种激光刻蚀与磁控溅射复合装置，本装置将激光刻蚀与磁控溅射融为一体，其特征在于：在基片台正对面通过玻璃透光镜（6）和激光透镜（7）导入外置激光器（10）发射的激光，并在玻璃透光镜的侧面安装可调角度的靶枪（5），基片台（1）与真空室（3）壁垂直，在基片台后方设有基片转动和定位装置（2）。在薄膜溅射完成后，通过基片台定位装置与激光器上的激光显微镜（9）进行定位，并调节光路使激光焦中正对于薄膜表面，再经计算机（11）控制三轴电机（8）沿设计图案快速循环运行刻蚀从而实现薄膜图案化。本实用新型在薄膜图案化过程直接在基片台上进行，无需取出，特别适合于金属或无机非金属氧化物的薄膜制备和图案制作。