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公开(公告)号：CN203298741U
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201320347944.7
申请日：2013-06-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于测量IGBT模块基板拱度的结构，包括IGBT模块，所述IGBT模块基板正面朝下固定在固定支座上，所述IGBT模块基板背面压装在一块带有若干个通孔的金属板上。利用本实用新型的装置获得的IGBT基板拱度数据，可以真实反映IGBT模块压装后的基板拱度，为IGBT模块基板原始拱度的设计提供指导，进而改善IGBT模块与散热器的接触，提升模块的散热性能。
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公开(公告)号：CN201174378Y
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200720064858.X
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶模具，所述的灌胶模具是一种金属与塑料复合结构的模具，模具包括下模和上模，下模和上模的模芯与模座是一个整体件，且模芯是由金属材料与塑料软体材料复合结构构成的。模芯的机体为金属材料，模芯的机体与模座是连接在一起的金属材料一体结构，在模芯的机体的外表覆盖有一层塑料软体材料，其塑料软体材料可以是喷镀或刷镀在模芯的机体金属材料表面上的，塑料软体材料可以是氟树脂(FR)类工程塑料，如聚四氟乙烯塑料等，也可以是尼龙(PA)类工程塑料，如尼龙66、PPA、PA6T等。
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公开(公告)号：CN200962424Y
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200620052551.3
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 本实用新型公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述门电极为门极管，两根或两根以上的门极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
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公开(公告)号：CN203390797U
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201320495175.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种机械冲击试验中固定IGBT模块的工装，包括矩形固定板，所述矩形固定板上开设有IGBT模块安装孔和用于对IGBT模块进行Z方向上的冲击试验时将工装固定在试验台安装台面上的固定安装孔，所述矩形固定板四个侧边上分别固定有用于对IGBT模块进行X方向和Y方向上的冲击试验时将工装固定在试验台安装台面上的固定块。本实用新型的工装结构简单，使用方便；在进行机械冲击试验时，完成一个方向上的冲击试验后，不需要将IGBT模块从工装上拆卸下来，只要转换工装的方向即可，即本实用新型的工装可以满足IGBT模块六个方向上的机械冲击试验需求。
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公开(公告)号：CN202502994U
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201220047568.5
申请日：2012-02-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/102 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型实施例公开了一种IGBT模块，包括：衬板，所述衬板为十字形结构，该衬板具有两两相对的四个翼；位于衬板上的一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排；其中，一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排分别位于所述衬板的不同翼上，两组IGBT芯片分别位于十字形衬板相对的两翼上，所述FRD芯片和母排分别位于剩余相对的两翼上。本实用新型实施例将两组IGBT芯片对称的分布在十字形衬板的相对的两翼，并将FRD芯片和母排分别设置于剩余相对的两翼上，以使母排远离各个芯片，即母排转弯处下方的磁通密集区域内，没有设置任何芯片，从而避免了杂散电感对IGBT芯片或FRD芯片的干扰，保证了整个IGBT模块的稳定运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201084711Y
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200720064503.0
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/08 , C23F1/02
Abstract: 半导体芯片串压腐蚀的芯片夹持装置，包括芯片、隔片及压紧机构，其中芯片和隔片采取一片芯片一片隔片串接式排列在一起，并由压紧机构把串接式排列在一起的芯片和隔片组件压紧成一体。所述的隔片为单面防护式串压腐蚀隔片，由能抗酸的塑料或橡胶制成，其尺寸形状需与芯片相配套。隔片的两面为不等直径的环状面；其中，直径大的一面为台面防护面，其直径等于芯片的外径，紧贴在芯片不需要腐蚀的一面，以保证所覆盖的芯片台面在腐蚀过程中不会受到酸腐；直径小的一面为台面腐蚀面，其直径小于芯片的直径，紧贴在芯片台面需要腐蚀的一面，使芯片的台面外露，以保证所外露的芯片台面能受到酸腐。工作时将芯片夹持装置置于“浸泡式酸腐蚀”设备中使用。
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公开(公告)号：CN200965883Y
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200620052552.8
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧形成插头。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的直列插入式半导体器件。
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公开(公告)号：CN203390459U
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201320466008.8
申请日：2013-08-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: B23K37/04
Abstract: 本实用新型公开了一种用于将片状焊料固定在IGBT模块基板上的焊接工装，包括焊片定位工装和衬板固定工装，所述焊片定位工装和衬板固定工装均为矩形，且大小与IGBT模块基板大小匹配；所述矩形的两条侧边上开设有若干个定位孔；所述矩形通过N条压条分隔为N+1个定位框，所述定位框通过设置在所述定位框侧边上的定位块分隔为与焊片大小匹配的焊接区。本实用新型结构简单，安装方便，定位准确，能保证焊片材料与基板被焊接区域相对固定，保证衬板在组装及焊接时，衬板、焊片材料及被焊接区域位置相对固定。
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公开(公告)号：CN203351573U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320449726.4
申请日：2013-07-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本实用新型涉及一种抓取机构，具体为一种IGBT衬板抓取机构，包括铰接的两个卡脚，每个卡脚的底部分别设有夹持部，所述夹持部包括顶板、与顶板一端相连并设在顶板下方的侧板；两个卡脚的夹持部合围形成可夹持IGBT衬板的开口向下的夹持槽，两个夹持部的顶板对接形成夹持槽的顶壁，而两个夹持部的侧板相对形成夹持槽的侧壁。本实用新型为一种IGBT衬板抓取机构，通过两个卡脚夹持IGBT衬板的边缘，抓取衬板时保证衬板在一个平面内，不接触芯片或引线，不会损伤衬板；操作简便，适用于各种尺寸的IGBT衬板。
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公开(公告)号：CN201576671U
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200920259630.5
申请日：2009-12-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32
Abstract: 一种功率半导体器件管壳封装装置，包括左卡环1和右卡环2，连接装置和锁紧装置，左卡环1和右卡环2的端部之间用连接装置进行活动连接，左卡环1和右卡环2的另一端部设置有锁紧装置，对功率半导体器件6的管座和管盖裙边进行闭合锁紧。通过应用本实用新型所描述的封装装置，由于封装的接触面积增大，不易损坏功率半导体器件管壳和管盖的裙边，使得对功率半导体器件进行临时封装测试变得更加方便快捷，大幅提高了操作的效率。
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