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公开(公告)号：CN1679380A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819972.6
申请日：2003-08-25
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4676 , H05K3/4688
Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。
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公开(公告)号：CN1217390C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02800921.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。
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公开(公告)号：CN1630030A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410098703.9
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/50
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。
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公开(公告)号：CN1205504C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02142050.5
申请日：2002-08-23
IPC: G02F1/136 , G02B6/12 , C03C15/00 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , H01L29/41733 , H01L29/78633
Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN1532613A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410031748.4
申请日：2004-03-25
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 大见忠弘
IPC: G02F1/13357 , H05B33/00
CPC classification number: G02F1/133385 , G02F1/133603 , H01L23/38 , H01L27/14658 , H01L51/529 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 一种液晶显示器，包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件，及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果，有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1144896C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN00137365.X
申请日：2000-12-07
IPC: C23C16/00 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有向处理室12内放射等离子体的电介质板5和支承该电介质板5的电介质支承部件6A～6D。在电介质支承部件6A～6D上设置向处理室内部12供给反应气体的多个气体导入孔6a。该气体导入孔6a的吹出口朝着基板8的表面开口，且被配置在电介质板5的外周区域上。容器盖1及电介质板支承部件6A～6D施加接地电位，基板8上施加偏电位。从而，可以得到使用均匀的等离子体均匀地处理大面积基板，且成本低的等离子体处理装置。
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公开(公告)号：CN1478296A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02803238.1
申请日：2002-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 一种基片处理装置，它具有：处理空间，设有用于支承被处理基片的支承台；氢催化部件，与所述被处理基片正对着设置在所述处理空间中，用于将氢分子分解成氢基H*；气体供给口，设置在所述处理空间内、相对于所述氢催化部件与所述被处理基片正对的一侧，用于导入至少含有氢气的处理气体；其中，将所述氢催化部件和所述支承台上的被处理基片之间的间隔，设定在所述氢基H*能够到达的距离以内。
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公开(公告)号：CN1402066A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02142050.5
申请日：2002-08-23
IPC: G02F1/136 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , H01L29/41733 , H01L29/78633
Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN1399720A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN00809901.4
申请日：2000-06-05
IPC: G01N25/32
CPC classification number: G01N25/32 , G01N33/0013
Abstract: 本发明的主要目的是简化气体检测传感器的构造，并且在有H2O和O2存在的条件下，可高精度地检测被检测气体内的可燃性气体的浓度、和含有可燃性气体的被检测气体内的氧气的浓度。为了达到上述目的，本发明的气体检测传感器是通过可燃性气体的接触反应而使传感器发热，通过该发热而发出可燃性气体的检测信号的气体检测传感器，由以下部分构成：膜片，该膜中在被检测气体所接触的接气面上具有白金镀层薄膜；第1检测传感器，该检测传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成，通过可燃性气体的接触反应而被加热；具有与被检测气体相接触的接气面的膜片；对被检测气体的温度进行检测的第2检测传感器，该传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成。
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公开(公告)号：CN1398661A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN01123256.0
申请日：2001-07-23
Abstract: 一种化学气相沉积(CVD)排气的处理回收方法及装置，是将化学气相沉积排气中所含有的原料气体或中间产物转化反应成高挥发性的卤化物，以防止排气系统管路的附着、堆积、可将具有再利用价值的资源进行分离回收、以及减少保养维护。将化学气相沉积排气中所含有的原料气体与中间产物进行分解处理或转化反应处理，待一部分分解后，即进行氢卤化硅气体与氯化氢的分离回收。又，原料气体及中间产物也可完全分解成氯化氢再进行回收。
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