-
公开(公告)号：CN113675261A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110678790.9
申请日：2019-05-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/66 , H01L29/808 , H01L21/02 , C23C14/06 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅基底上制备氮化硼薄膜；采用共溅射手段，在位碳掺杂得到n型氮化硼薄膜；然后在n型氮化硼薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过对氮化硼薄膜进行在位碳掺杂，得到电学性能优异的n型电导层，较比于未掺杂、硅掺杂的氮化硼薄膜的电学性能有显著提升；获得了整流特性良好的pn结原型器件。
-
公开(公告)号：CN109502588B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201811598055.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/914
Abstract: 此发明涉及一种马鞍状碳化铌微晶的制备方法，属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法；制备条件是高温低压；制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片，放入直流电弧反应腔室内，调整好阴阳两极距离，在特定条件(氮气、气压10‑40kPa和电流75‑85A等)下起弧、反应、冷却钝化后，既在阳极石墨锅下沿处获得马鞍状碳化铌微晶，其结构单元为片层状碳化铌堆积而成的三棱椎体，形似马鞍状。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高，同时又能保证样品产率与纯净度。此方法制备的马鞍状碳化铌微晶形状规则、尺寸均一，具有良好应用前景。
-
公开(公告)号：CN112850661A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110152414.6
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种硒化钛纳米线的制备方法。将钛粉、硒粉以化学计量比均匀混合后压制成片，放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下，将气压升至15‑25kPa、设置反应电流为90‑100A，阴阳两极起弧反应。在石墨锅下沿处收集到黑色粉末，其微观形貌为长度介于1.5‑3μm、直径为20‑100nm的硒化钛纳米线。测试硒化钛纳米线的荧光特性，荧光光谱(PL)的最大发射峰有蓝移现象。
-
公开(公告)号：CN109161844B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810875535.1
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法，属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材，在射频磁控溅射装置的沉积室内制备；其中基底温度为室温～600℃，工作气体为氩气和氮气，流量分别为50sccm和0～50sccm，工作气压为1～3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长，制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7～4.5eV之间，具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点，适宜工业大批量生产推广。
-
公开(公告)号：CN111710752A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010588559.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器及制备方法，包括：衬底；氮化硼缓冲层，位于所述衬底之上；立方氮化硼厚膜，位于所述氮化硼缓冲层之上；一对电极，分别叠置于所述立方氮化硼厚膜之上。本发明利用立方氮化硼超宽禁带的电子学特性和极端环境下的稳定性等显著的材料性能优势，将其作为光吸收层，能够直接获得器件在深紫外区的光电响应，暗电流低、灵敏度高、响应速度快；本发明的MSM型深紫外光电探测器可应用于高温高压、高能量辐射和腐蚀性的极端环境中，在航空航天，信息通讯领域有很高的实用价值；本发明可直接制作在硅基衬底上，可与现有硅基工艺兼容，有利于器件集成，工艺简单，易于大规模产业化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109750266B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910147275.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及薄膜材料领域，提供了一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法，包括以下步骤：(1)提供分布有金刚石籽晶的基底；(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射，得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜；所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶。本发明在金刚石籽晶预处理过的基底上生长硼碳氮薄膜，促进了薄膜中氮化硼纳米晶的生长，提高了硼碳氮薄膜的结晶度和薄膜中氮化硼的成分，为硼碳氮薄膜的生长提供了重要的实验依据，为硼碳氮薄膜在工业领域内的应用提供了新的方法。
-
公开(公告)号：CN110451465A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910857581.3
申请日：2019-09-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明涉及一种海胆状氮化硼纳米球-纳米管分级结构及其制备方法。该分级结构包括氮化硼纳米球及由球状中心发射出来的氮化硼纳米管。所述方法包括：在去离子水中依次加入分散剂和石墨烯，经超声、磁力搅拌处理后形成稳定分散液，再加入氧化硼，在指定温度下恒温搅拌至泥浆状，真空干燥后得到前驱体；将所得前驱体置于真空管式炉中，在氩气气氛中持续加热至一定温度后再通入氨气进行反应，随后自然冷却至室温得到初步产物，经处理后可得到海胆状氮化硼纳米球-纳米管分级结构。本发明方法制备工艺简单，不需要任何金属催化剂，制备的氮化硼纳米分级结构纯度高、结晶性好、形貌均一、结构稳定、比表面积大，在功能材料领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109437201A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811598065.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/914
Abstract: 此发明涉及一种蘑菇球状碳化铌微晶的制备方法，属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法；制备条件是高温低压；制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片，放入直流电弧反应腔室内，调整好阴阳两极距离，在特定条件(氮气、气压10-40kPa和电流85-95A等)下起弧、反应、冷却钝化后，既在阳极石墨锅下沿处获得直径2-6μm的蘑菇球状碳化铌微晶。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高，同时又能保证样品产率与纯净度。制备的蘑菇球状碳化铌微晶形状规则、尺寸均一，可用作某些特定的场发射阴极材料，具有良好应用前景。
-
公开(公告)号：CN109161844A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810875535.1
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法，属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材，在射频磁控溅射装置的沉积室内制备；其中基底温度为室温～600℃，工作气体为氩气和氮气，流量分别为50sccm和0～50sccm，工作气压为1～3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长，制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7～4.5eV之间，具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点，适宜工业大批量生产推广。
-
公开(公告)号：CN107055490B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710328490.1
申请日：2017-05-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种多孔纳米氮化钒微晶的制备方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备方法具体步骤是将金属钒粉末压制成圆柱状金属钒片，将金属钒片放入与自身形状大小契合的石墨锅内，石墨锅内嵌于直流电弧反应腔室的阳极铜锅中，阴极钨棒悬于石墨锅正上方；阳极铜锅夹层和冷却壁内通循环冷却水，反应腔室通入反应气氮气，进行起弧放电，保持电流110～120A；切断电源后再在氮气气氛中冷却钝化6小时，在石墨锅处收集多孔纳米氮化钒微晶，颗粒尺寸800nm，孔径400nm。本发明制备工艺简单、易于操作，生产周期短、可重复性强、成本低廉、产物纯度高，有良好的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.019 seconds)
