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公开(公告)号：CN109560206B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201811213615.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点薄膜图案化方法，包括：S1、制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；S2、将胶体量子点涂敷于基底上，形成胶体量子点薄膜；S3、在胶体量子点薄膜表面设置一预先配置的掩膜结构，掩膜结构中包括通孔区和掩膜区；S4、将步骤S3中的结构置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点进行辐照，完成对通孔区对应的胶体量子点的改性；S5、采用化学腐蚀的方法去除掩膜区对应的胶体量子点，完成胶体量子点薄膜的图案化，其操作简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN107723680B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710747970.1
申请日：2017-08-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种耐蚀性可调控的镁合金表面多级纳米涂层的制备方法，包含以下步骤：镁合金除氢、PE‑ALD工作腔准备、多级纳米涂层的制备、PE‑ALD工作腔还原。多级纳米涂层由单级纳米涂层单次或多次叠加构成，叠加次数N即为级数；其单级纳米涂层为TiNx(X=0.5~2.0）/TiO2。本发明所制备的涂层具有在任意形状表面（二维或三维）形成化学计量比精确、覆盖性好、厚度精准涂层，涂层的耐蚀性可调控，涂层材料对人体无毒、无害，除用于镁及镁合金耐蚀性调控外，还可以用于其它骨植入物活泼金属材料表面耐蚀性调控。
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公开(公告)号：CN106086811B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201610413708.9
申请日：2016-06-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/448
Abstract: 一种制备碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的方法，属于纳米材料及其制备技术领域。该方法将硅基体放入充满Ar、N2等惰性气体氛围石英管中，通入Ar、N2等惰性气体并升温至生长温度；然后对预先放入石英管内的碳源和催化剂的混合物加热到合适的温度并向石英管内通入一定量的H2，可获得碳纳米管阵列‑石墨烯的混合结构。本发明方法具有制备工艺简单，无须分别生长碳纳米管阵列与石墨烯，可简易一步实现碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的制备。有效提高了制备碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的效率，简化了生长流程、缩短了生长时间，降低了制备的成本和能耗。
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公开(公告)号：CN109560206A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811213615.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点薄膜图案化方法，包括：S1制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；S2将胶体量子点涂敷于基底上，形成胶体量子点薄膜；S3在胶体量子点薄膜表面设置一预先配置的掩膜结构，掩膜结构中包括通孔区和掩膜区；S4将步骤S3中的结构置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点进行辐照，完成对通孔区对应的胶体量子点的改性；S5采用化学腐蚀的方法去除掩膜区对应的胶体量子点，完成胶体量子点薄膜的图案化，其操作简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN106449851A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610825328.6
申请日：2016-09-18
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0336 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/075 , H01L31/0336 , H01L31/0445
Abstract: 一种基于氧化锌作为电子输运层的铟镓氮薄膜太阳能电池，其结构包括：衬底，形成在衬底上依次形成的电子传输层、光吸收层、空穴传输层，以及两端的正负电极。其特征在于：所述的电子传输层为ZnO层，光吸收层为InxGa1-xN层，空穴传输层为InyGa1-yN层。本发明能更加有利于吸收层产生的光生载流子输运到两端的电极上，从理论计算表明，能够将传统结构的电池3-4%的转换效率，极大地增加到15%。而ZnO作为电子传输层大大减少了电子输运的势垒，并且ZnO材料的价格比GaN材料要低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104305970B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410565230.2
申请日：2014-10-22
Applicant: 南昌大学
IPC: A61B5/02 , A61B5/0452
Abstract: 本发明提供了一种探测脉搏波和心尖搏动波形的器件及其制作方法，通过化学腐蚀、真空镀膜方法处理聚四氟乙烯（PTFE）薄膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂（PET）薄膜，制作出一种不需要外加电源、可穿戴的探测脉搏波和心尖搏动波形的器件。该探测器具有制作简单、成本低廉、无源节能、灵敏度高等优点。测出的脉搏波和心尖搏动图重复性高、信息完整，这对于临床诊断和病理监控具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN1953220A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610072230.4
申请日：2006-04-14
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构和在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜步骤，其中所述的沟槽的深度大于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜水平方向上互不相连。用本发明的方法可以通过简单的衬底处理而生长出高质量、无裂纹和面积较大的铟镓铝氮薄膜。本发明同时还公开了一种使用硅衬底制备铟镓铝氮发光器件的方法。
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公开(公告)号：CN1794476A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030868.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/641
Abstract: 本发明公开了一种含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包含：一个含铬的支撑基板，层叠于支撑基板之上的第一欧姆电极，层叠于第一欧姆电极之上的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)半导体叠层，层叠于铟镓铝氮半导体叠层之上的第二欧姆电极。制造上述发光元件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)半导体叠层，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第一欧姆电极，在第一欧姆电极上形成铬支撑基板，把硅衬底去除，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第二欧姆电极。该发光元件具有成本较低、发光效率高、散热特性好等优点。
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公开(公告)号：CN119816042A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411854576.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/01 , H10H20/813 , H10H20/812 , H10H20/831 , H10H29/34
Abstract: 本发明提供一种微型LED多色芯片及其制备方法，通过在同一衬底上集成红、绿、蓝三种颜色的发光单元，可以避免将不同颜色的芯片分多次转移至驱动电路基板，简化了转移工艺的复杂性，同时提高了生产效率，并且便于制备小尺寸的全彩像素，有利于提高LED显示屏的分辨率。在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀分别露出全彩像素的每个发光单元的阳极接触面和阴极接触面，然后将每个全彩像素的每个发光单元的阴极接触面通过金属粘结叠层形成共阴连接，降低了布线和集成工艺的难度，易于将本发明直接应用于规模生产。
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公开(公告)号：CN115679326B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211263976.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于MicroLED制备过程中GaN刻蚀的微小金属Ni掩膜图形精准控制的腐蚀液及使用方法，该腐蚀液配方由以下组分组成：浓硝酸、水、浓盐酸、双氧水，该四种组分的体积百分比为浓硝酸25‑30%：水60‑65%：浓盐酸4‑5%：双氧水4‑5%。该腐蚀液的使用方法为将上述体积百分比的浓硝酸、水和浓盐酸倒入烧杯中搅拌均匀，将GaN基外延片放入混合液中1‑2min，再向混合液中加入上述百分比的双氧水，腐蚀1‑2min后，制备出小于20μm金属Ni掩膜图形。本发明可以精准腐蚀出尺寸小于20μm的金属Ni掩膜图形，腐蚀后的图形完整，边界清晰，解决了微小金属Ni掩膜图形制备过程中，掩膜腐蚀速率过慢或者腐蚀速率过快造成腐蚀出有较多锯齿状的金属Ni掩膜图形的问题。
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