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公开(公告)号：CN101710642A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910273244.6
申请日：2009-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供的一种三频段低温共烧陶瓷手机天线，它包括第一层辐射单元、第二层辐射单元、金属过孔、调谐枝节、低温共烧陶瓷基板和接地终端；第一、第二层辐射单元分别是成矩形波形弯折的金属导体线，均埋置在低温共烧陶瓷基板中，且第二层辐射单元位于第一层辐射单元上方，并通过金属过孔连接；令低温共烧陶瓷基板的宽度方向为x方向，长度方向为y方向，第一层辐射单元的y方向各个间隙中均增加调谐枝节，第二层辐射单元的电长度小于第一层辐射单元的电长度，第二层辐射单元的y方向曲折线间距大于第一层辐射单元的y方向曲折线间距。该天线可以有效地满足手机等移动终端多频带的需求，并有效地降低天线剖面，提高天线的稳定性。
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公开(公告)号：CN101709498A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910273199.4
申请日：2009-12-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: C25D13/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积用电泳设备，底座上安放有电泳槽和四根支撑杆，支撑杆间承载有水平滑槽；水平滑槽的顶板和底板分别开有一滑道，两滑道间插有两个电极夹具，水平滑槽的两侧分别设有一螺旋测微器头，螺旋测微器头通过绝缘连接件连接相近的电极夹具，旋转螺旋测微器头推动相接电极夹具在滑槽内水平移动，旋转螺旋测微器头和电极夹具之间还接有弹簧；两电极夹具底部分别夹持一电极，电极位于电泳槽内。本发明可精密调节电极间距，操作方便、稳定、可靠。
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公开(公告)号：CN101290817A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810047908.2
申请日：2008-06-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温抗氧化无铅镍导体浆料，该浆料的组成包括重量百分比为50－70％的镍粉，1－5％的抗氧化保护剂，5－15％的无机粘结剂，15－30％的有机载体。将它们混合搅匀后研磨至粒度小于15μm、粘度65－75Pa·s，得到无铅镍导体浆料产品。其中，镍粉选用平均粒径为0.1－2.0μm的球形镍粉，抗氧化保护剂选用B、Cr、Y中的一种或几种，均为平均粒径小于1μm的球形微粉，无机粘结剂为无铅玻璃粉。本发明浆料产品具有良好的耐高温抗氧化性能，适于在大气条件下烧结，抗氧化温度在800－900℃间系列可调。其制备工艺简单，生产成本低廉，节约能源且利于环保。
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公开(公告)号：CN101260562A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710168946.9
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：1)将溴化铊原料装入直径为8－15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15－45°的圆锥形；2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，垂直管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0－1.5℃/mm的温度梯度增高，再保温；3)管式炉以1－5℃/h的速度缓慢降温到450－460℃；4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿，省去了复杂的机械传动装置，简化了工艺，降低了成本。安瓿及加热器均固定，温场稳定，晶体及熔融体内部热分布较均匀，较易获得凸形的生长界面，生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN115974138B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202211436219.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：S1，金属氧化物半导体SnO2的制备：将锡盐溶液和螯合剂混合，水热反应后得到金属氧化物半导体前驱体的产物，将金属氧化物半导体前驱体煅烧得到金属氧化物半导体SnO2粉末；S2、复合材料Ag2O@SnO2的制备：将步骤S1制得的金属氧化物半导体SnO2粉末和银盐溶液混合，加入碱性溶液并搅拌，离心、洗涤、干燥得到复合材料Ag2O@SnO2。本发明的复合材料Ag2O@SnO2在低温、高真空等极端环境下依然可以用于检测H2S，并且响应速度很快，灵敏度极高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117288351A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311390692.0
申请日：2023-10-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明公开了一种多通道热敏电阻电压效应测试电路、系统及测试方法，属于电子电路领域，包括：单片机、热敏电阻通道并联结构、标准电阻通道并联结构、峰值电压表、直流稳压电源及IGBT脉冲开关；热敏电阻通道并联结构为多路并联热敏电阻通道，每路热敏电阻通道包括第一控制开关，第一控制开关和待测热敏电阻串联；标准电阻通道并联结构为多路并联的标准电阻通道，每路标准电阻通道包括串联的第二控制开关和标准电阻；直流稳压电源、热敏电阻通道并联结构、标准电阻通道并联结构及IGBT脉冲开关形成串联回路。本发明简化了热敏电阻测试流程，可以有效控制测量误差，提高测量精度与可靠性，多通道测量提升测量效率，减少了测试时间与测试成本。
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公开(公告)号：CN117097332A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311130678.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度噪声整形逐次逼近型模数转换器，包括比较器电路、SAR逻辑控制电路、DAC电容阵列、噪声整形电路和栅压自举开关；比较器电路，采用由动态锁存单元和动态预放大单元组合而成的全动态放大器，动态预放大单元用于降低动态锁存单元失调电压和噪声，动态锁存单元用于将外部输入信号与DAC电容阵列输出的模拟电压值进行比较；SAR逻辑控制电路用于产生比较器电路所需的时钟信号，并根据比较器电路的比较结果输出相应的N位数字码；DAC电容阵列用于将SAR逻辑控制电路输出的N位数字码转换为模拟电压值。本发明能有效解决时钟馈通效应以提高在高速场合，噪声整形逐次逼近型模数转换器的系统精度。
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公开(公告)号：CN114812869A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210236943.9
申请日：2022-03-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K15/00 , G01R27/14 , G01R1/20 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种热敏电阻电压效应测试电路及系统，属于电子电路技术领域。电路包括：脉冲电压源、采样电阻、两个IGBT、单片机及峰值电压表；所述脉冲电压源、待测PTCR陶瓷电阻及采样电阻形成串联回路；所述待测PTCR陶瓷电阻和采样电阻的一端分别与两个IGBT的G极相连，另一端分别与峰值电压表的负极相连；所述峰值电压表的正极分别与两个IGBT的C极相连；所述单片机分别与两个IGBT的E极相连，用于控制两个IGBT的导通和断开。测试系统包括单片机、温控表、电炉、计算机及上述所述的电路。本发明能够提升热敏电阻电压效应的测试效率及精度，且测试系统比较简单，测试成本低。
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公开(公告)号：CN114671399A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210155868.3
申请日：2022-02-21
Applicant: 华中科技大学 , 孝感华工高理电子有限公司
Abstract: 本发明涉及压力传感器技术领域，提供了一种电容式压力传感器的制备方法，包括如下步骤：S1，于衬底上依次沉积牺牲层和介质层，所述介质层作为所述牺牲层的边界槽；S2，在位于所述牺牲层上的介质层上继续沉积上电极；S3，接着在介质层上形成牺牲层释放孔；S4，从所述牺牲层释放孔对牺牲层进行选择性地释放；S5，接着再在介质层上形成下电极引出孔，并将下电极从该引出孔引出至器件表面；S6，最后将所述牺牲层释放孔密封，从而形成密封腔体。还提供一种电容式压力传感器，由上述方法制备得到。发明由于工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，采用先淀积上电极的步骤保证空腔结构稳定且性能优异。
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公开(公告)号：CN112521144B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202011519121.9
申请日：2020-12-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，更具体地，涉及一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备和应用。该陶瓷材料为由SnO2基陶瓷粉体材料经烧结得到，该SnO2基陶瓷粉体材料包括主成分SnO2粉体，还包括改性剂，所述改性剂为过渡金属氧化物粉体，所述改性剂在所述陶瓷粉体组合物中的摩尔比低于10％。该陶瓷材料在低于50K温度条件下具有稳定的巨介电性能、低介电损耗以及反铁磁性。
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