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公开(公告)号：CN100516318C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710168946.9
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：1)将溴化铊原料装入直径为8-15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15-45°的圆锥形；2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，垂直管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0-1.5℃/mm的温度梯度增高，再保温；3)管式炉以1-5℃/h的速度缓慢降温到450-460℃；4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿，省去了复杂的机械传动装置，简化了工艺，降低了成本。安瓿及加热器均固定，温场稳定，晶体及熔融体内部热分布较均匀，较易获得凸形的生长界面，生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN103175882A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310081538.5
申请日：2013-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/403 , G01N27/30
Abstract: 本发明提供了一种检测化学需氧量的电化学传感器探头，该传感器探头由玻碳电极和位于玻碳电极之玻碳电极头(1)裸露面的化学需氧量电化学敏感膜构成，化学需氧量电化学敏感膜的形成方法是：将玻碳电极浸于0.1摩尔每升(mol L-1)的磷酸氢二钠(Na2HPO4)溶液中，采用常见三电极体系，向玻碳工作电极施加恒定电位一段时间，即得到化学需氧量(COD)电化学敏感膜。该传感器探头具有灵敏度高、分析速度快、操作简单、环境友好、重现性好、灵敏度和准确度高、实用性强、便于大范围推广使用等特点，可以克服现有的重铬酸钾国标法所具有的操作复杂、耗时及具有一定环境污染性等不足。
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公开(公告)号：CN103207225A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310081539.X
申请日：2013-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/403 , G01N27/30
Abstract: 本发明提供了一种检测化学需氧量的电化学传感器探头，由铂盘电极和位于该铂盘电极之铂盘(1)裸露面的铂纳米敏感膜构成，所述的铂纳米敏感膜是将氯铂酸(H2PtCl6)还原电镀沉积于铂盘(1)裸露面形成的由铂纳米颗粒构成的铂纳米敏感膜。与现有的重铬酸钾国标法相比较，本发明具有灵敏度高、分析速度快、准确度高、实用性强、抗氯离子干扰能力强等特点，克服了现有重铬酸钾国标法所具有的操作复杂、耗时和具有一定环境污染性等不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100516319C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710168947.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)清洁圆柱形安瓿；(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃、下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；(4)安瓿随炉冷却至室温。本发明采用尖锥形设计的安瓿淘汰多余的晶核，并通过双温区垂直管式炉及其控温测温技术，制备出适合高能X、γ射线探测器用高质量的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN101260563A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710168947.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)清洁圆柱形安瓿；(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃、下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；(4)安瓿随炉冷却至室温。本发明采用尖锥形设计的安瓿淘汰多余的晶核，并通过双温区垂直管式炉及其控温测温技术，制备出适合高能X、γ射线探测器用高质量的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN101260562A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710168946.9
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：1)将溴化铊原料装入直径为8－15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15－45°的圆锥形；2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，垂直管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0－1.5℃/mm的温度梯度增高，再保温；3)管式炉以1－5℃/h的速度缓慢降温到450－460℃；4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿，省去了复杂的机械传动装置，简化了工艺，降低了成本。安瓿及加热器均固定，温场稳定，晶体及熔融体内部热分布较均匀，较易获得凸形的生长界面，生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN203465234U
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201320116485.1
申请日：2013-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/403 , G01N27/30
Abstract: 本实用新型提供了一种检测化学需氧量的电化学传感器探头，该传感器探头由玻碳电极和位于玻碳电极之玻碳电极头(1)裸露面的化学需氧量电化学敏感膜构成。该传感器探头具有灵敏度高、分析速度快、操作简单、环境友好、重现性好、灵敏度和准确度高、实用性强、便于大范围推广使用等特点，可以克服现有的重铬酸钾国标法所具有的操作复杂、耗时及具有一定环境污染性等不足。
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公开(公告)号：CN203275355U
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201320115619.8
申请日：2013-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/403 , G01N27/30
Abstract: 本实用新型提供了一种检测化学需氧量的电化学传感器探头，由铂盘电极和位于该铂盘电极之铂盘(1)裸露面的铂纳米敏感膜构成，所述的铂纳米敏感膜是将氯铂酸(H2PtCl6)还原电镀沉积于铂盘(1)裸露面形成的由铂纳米颗粒构成的铂纳米敏感膜。与现有的重铬酸钾国标法相比较，本实用新型具有灵敏度高、分析速度快、准确度高、实用性强、抗氯离子干扰能力强等特点，克服了现有重铬酸钾国标法所具有的操作复杂、耗时和具有一定环境污染性等不足。
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