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公开(公告)号：CN102759669A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110103677.4
申请日：2011-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种分析器件操作窗口与相变材料纳米尺寸效应的实验方法。发明人研究发现相变材料的高阻、低阻之间的阻值相差4-5个量级，而利用该相变材料制备的存储单元的高阻态与低阻态的阻值相差2-3个量级。该实验方法通过制备不同尺寸的测试样品，包括不同厚度的相变材料层及不同尺寸的上电极，进行电学与存储性能测试，包括I-V特性，脉冲操作下的可逆转变特性等，从而为研究相变材料的纳米尺寸效应与器件操作窗口之间的规律提供了准确可靠的实验数据，通过实验数据可以进一步研究相变材料与器件操作窗口高低阻值不同的原因所在，进而分析其中的纳米尺寸效应及纳米尺度下的载流子行为。
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公开(公告)号：CN102690604A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110072199.5
申请日：2011-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 一种用于相变存储器的化学机械抛光液，其特征在于，包括：抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、抑制剂、表面活性剂、pH调节剂/缓冲剂以及水性介质。相较于现有技术，本发明提供的化学机械抛光液，可实现对相变材料/底层介质材料可控选择比(1：1至180：1)的去除，且能保证相变材料在抛光后相变性质不改变、表面光洁无划痕，满足相变存储器CMP工艺要求。
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公开(公告)号：CN101834152B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010152466.5
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。
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公开(公告)号：CN102623632A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110031815.2
申请日：2011-01-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法，该材料的组分通式为Nx（GeyTe1-y）1-x，其中0＜x≤0.15，0.5＜y≤0.9，在外部电脉冲的作用下实现可逆相变。该材料可采用磁控溅射中多靶共溅射的方法制备。本发明立足于相变材料非晶态的稳定性问题，通过调节化合物中掺杂N的含量和Ge、Te的比例，在不丢失可逆相变能力的前提下大幅度提高材料的结晶温度和结晶激活能。Nx（GeyTe1-y）1-x与传统的Ge2Sb2Te5材料相比有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力，为相变存储器在航天航空领域的应用打好基础。
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公开(公告)号：CN102610745A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110021620.X
申请日：2011-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25%原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤(b/c)≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25%原子百分比。该材料在电学脉冲的作用下，可在非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）之间进行可逆转变，从而实现信息存储。该材料与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有较高的结晶温度、较高的热稳定性和更高的晶态电阻率，使用该材料作为信息存储介质可以大大提高器件的数据保持能力，同时能保持较快的操作速度和降低的写操作功耗，提高器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102539467A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010583561.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N25/12
Abstract: 本发明涉及一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；步骤二、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行一阶导数求导，通过一阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶温度；步骤三、对各个相变材料的拟合函数进行二阶导数求导，通过二阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶速率。利用该分析方法可以对多种相变材料进行比较，从而得到准确的比较结果，选取出最为合适的相变材料，有利于相变材料在器件操作应用中的保持力和操作速率的提高。
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公开(公告)号：CN101236780B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810033924.6
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115
Abstract: 本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优势之处。为了实现上述优势，本发明首先对存储阵列下的外围电路作一合理分割，其次对分割后的外围电路相互控制问题提出一套解决方案，最后基于上述两点提出了外围电路的拼接方案。以此在电路设计层面彻底实现三维立体结构相变存储芯片。
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公开(公告)号：CN102516879A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411364.5
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、电化学腐蚀抑制剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述电化学腐蚀抑制剂的含量为0.0001-10wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著抑制化学机械抛光过程中相变材料发生电化学腐蚀，从而大大改进相变材料图形片化学机械抛光工艺。
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公开(公告)号：CN102516878A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411337.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述氧化剂的含量为0.01-10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001-5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。
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