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公开(公告)号：CN104312588B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410466562.5
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硒掺杂碳量子点的制备方法，包括：(1)制备氧化碳量子点粉体；(2)将上述氧化碳量子点粉体分散于溶剂中，得到氧化碳量子点溶液；(3)在氧化碳量子点溶液中加入含硒掺杂剂，50～500℃下溶剂热反应0.5～180h，得到硒掺杂碳量子点。本发明得到的硒掺杂碳量子点具有高量子产率、结构简单、易于制备、成本低廉、可批量生产、稳定性高、生物毒性低、相应迅速灵敏度极高等特点。
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公开(公告)号：CN103011142B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210559935.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：在催化剂存在下，六卤代苯在有机溶剂中发生反应，形成石墨烯的悬浮溶液；经过滤、洗涤和干燥除去悬浮溶液中的溶剂和未反应的六卤代苯，得到石墨烯和催化剂的混合物；混合物经酸洗后再过滤、洗涤和干燥，即得到石墨烯产品；该方法仅用一种有机化合物六卤代苯为原料，根据反应的温度不同，可以控制石墨烯的层数，制得的石墨烯产品即可制备石墨烯器件，其制备方便、后处理简单，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN104686575A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310648050.6
申请日：2013-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种锗基石墨烯的抗菌用途。抗菌实验表明，锗基石墨烯对多种革兰氏阳性菌及革兰氏阴性菌具有良好的杀菌和抗菌能力，通过接触细菌，使细菌的细胞质流出来达到杀菌效果，有效抑制细菌的增殖和分裂；同时，锗基石墨烯中的锗对人体具有保健功效如抗疲劳、防止贫血、帮助新陈代谢、抑制肿瘤等，因此可以将锗基石墨烯开发为高效、具有保健作用、无毒的新型抗菌材料，并应用于服装、口罩、首饰、电子产品等领域，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102621199B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210059601.0
申请日：2012-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极，所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体，然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极，最后在铂电极上生长石墨烯，构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法，利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极，以Ag/AgCl电极作参考比电极，铂丝电极作为对电极，包括前处理、富集时间和电位设置及溶出伏安法的参数选择，检测出重金属极限值0.05mg/L，且提供的G/Pt电极比裸Pt电极具有明显的高的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN103143057B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110448776.6
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/生物活性干凝胶及其制备工艺与应用。其组分包括石墨烯和生物活性干凝胶，所述生物活性干凝胶包含如下摩尔百分含量的组分：CaO25~80mol%，SiO20~70mol%，B2O30~70mol%，P2O52~10mol%；所述石墨烯的含量为0.0024-0.024wt%。本发明将石墨烯引入生物活性干凝胶中，使其矿化时间从正常的7-30天缩短到0.5到5小时；所用的溶胶凝胶制备工艺可以彻底避免高温合成过程，从而满足了与药物、细胞或生长因子复合制成具有骨组织生长促进和治疗功能的生物医用修复或填充材料的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103642494A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310740394.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种荧光碳基量子点的制备方法，所述荧光碳基量子点的制备方法至少包括：提供氧化的碳基量子点粉体；提供溶剂，并将所述氧化的碳基量子点粉体分散在所述溶剂中，得到氧化的碳基量子点溶液；在所述氧化的碳基量子点的溶液中加入掺杂剂，利用溶剂热反应使所述氧化的碳基量子被还原，以得到被掺杂的碳基量子点。本发明以氧化处理后的碳基量子点为原料，由溶剂热还原与掺杂同步进行的技术方案，采用多种易得的非金属化合物或金属化合物通过溶剂热反应对以石墨烯量子点及碳量子点为代表的碳基量子点进行还原和掺杂，产物的产率高，实现碳基量子点荧光光谱的调控，并提高量子产率。
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公开(公告)号：CN102392225B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110206608.6
申请日：2011-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/186 , C01B2204/065
Abstract: 本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。
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公开(公告)号：CN103265021A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310207387.3
申请日：2013-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种层数可控石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：1）提供一Cu衬底，在所述Cu衬底上形成一Ni层；2）采用离子注入法在所述Ni层中注入C；3）对步骤2）形成的结构进行退火处理使得所述Cu衬底中的部分Cu进入所述Ni层中形成Ni-Cu合金，而Ni层中注入的C被进入所述Ni层中的Cu从Ni层中挤出，在所述Ni-Cu合金表面重构形成石墨烯。本发明获得的石墨烯薄膜具有质量好、大尺寸且层数可控的优势，且易于转移。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，本发明的层数可控石墨烯的生长方法将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。
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公开(公告)号：CN103265020A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310200476.5
申请日：2013-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种宏量制备石墨烯量子点粉体的方法，本方法从天然鳞片石墨出发，分三步实现宏量制备粉状石墨烯量子点：第一步将天然鳞片石墨转变为石墨纳米颗粒，第二步将石墨纳米颗粒转变为一阶插层纳米氧化石墨，第三步将一阶插层纳米氧化石墨置于非密封有盖坩埚中，在空气中热处理获得石墨烯量子点粉体；本发明方法以价格低廉的天然鳞片石墨为原料，结合可以量产的球磨粉碎和插层技术、以及独特的热处理工艺，实现了从插层纳米氧化石墨颗粒到石墨烯量子点粉体的100%转变，突破了目前只能在溶液中获取量子点的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN103247520A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026563.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法。根据本发明的方法，首先，基于至少一种注入能量向催化衬底注入碳离子；随后，对已注入碳离子的催化衬底进行退火处理以使注入的碳离子析出，并在所述催化衬底表面形成至少一层石墨烯薄膜层；最后，去除所述已形成至少一层石墨烯薄膜层的结构的催化衬底以获得至少一层石墨烯薄膜层。本法所制备出的石墨烯薄膜质量好、尺寸大、且层数可控；相比于SiC升华法，本法制备的石墨烯易于转移；相比与化学气相沉积法，本法制备的石墨烯层数可控。
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