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公开(公告)号：CN103916342B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410152838.2
申请日：2014-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种信噪比估计方法，用于根据接收信号中插入的导频估计接收信号的信噪比，该方法包括以下步骤：步骤S1，从所述接收信号中获取所述导频所在位置的导频数值Xm,k、信道估计值Hm,k和高斯白噪声Nm,k，其中，m,k表示相应所述导频位于第m个数据符号、第k个子载波；步骤S2，根据所述导频数值Xm,k、所述信道估计值Hm,k和所述高斯白噪声Nm,k获取相应所述导频所在位置的导频位置信息Ym,k；步骤S3，根据所述导频数值Xm,k、所述信道估计值Hm,k和所述导频位置信息Ym,k获取所述接收信号的信噪比估计值。本发明可以在数据符号中插入的导频数量有限、不能做大量统计的情况下，消除噪声与信号之间的相关项，可以优化算法估计值的准确性和稳定性，并简化计算复杂性。
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公开(公告)号：CN103916342A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410152838.2
申请日：2014-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种信噪比估计方法，用于根据接收信号中插入的导频估计接收信号的信噪比，该方法包括以下步骤：步骤S1，从所述接收信号中获取所述导频所在位置的导频数值Xm,k、信道估计值Hm,k和高斯白噪声Nm,k，其中，m,k表示相应所述导频位于第m个数据符号、第k个子载波；步骤S2，根据所述导频数值Xm,k、所述信道估计值Hm,k和所述高斯白噪声Nm,k获取相应所述导频所在位置的导频位置信息Ym,k；步骤S3，根据所述导频数值Xm,k、所述信道估计值Hm,k和所述导频位置信息Ym,k获取所述接收信号的信噪比估计值。本发明可以在数据符号中插入的导频数量有限、不能做大量统计的情况下，消除噪声与信号之间的相关项，可以优化算法估计值的准确性和稳定性，并简化计算复杂性。
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公开(公告)号：CN102621199B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210059601.0
申请日：2012-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极，所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体，然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极，最后在铂电极上生长石墨烯，构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法，利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极，以Ag/AgCl电极作参考比电极，铂丝电极作为对电极，包括前处理、富集时间和电位设置及溶出伏安法的参数选择，检测出重金属极限值0.05mg/L，且提供的G/Pt电极比裸Pt电极具有明显的高的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN102621199A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210059601.0
申请日：2012-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极，所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体，然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极，最后在铂电极上生长石墨烯，构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法，利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极，以Ag/AgCl电极作参考比电极，铂丝电极作为对电极，包括前处理、富集时间和电位设置及溶出伏安法的参数选择，检测出重金属极限值0.05mg/L，且提供的G/Pt电极比裸Pt电极具有明显的高的检测灵敏度。
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