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公开(公告)号：CN110286345A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910429556.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了矢量网络分析仪在片S参数的校准方法、系统及设备，方法包括：获取矢量网络分析仪测量的第一串扰校准件的第一参数；基于第一串扰校准件的第一参数和第一串扰校准件的标定参数获得主串扰误差项；获取矢量网络分析仪基于主串扰误差项测量的第二串扰校准件的第二参数；基于第二串扰校准件的第二参数和所述第二串扰校准件的标定参数获得次串扰误差项，主串扰误差项和次串扰误差项用于校准矢量网络分析仪。通过主串扰误差项，在矢量网络分析仪测量被测件的在片S参数时进行修正，解决了测量时探针与探针之间的主要串扰误差，通过次串扰误差项，解决了主串扰误差项修正不完善引起的剩余误差，提高了在片S参数校准的准确度。
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公开(公告)号：CN106446337B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610737112.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种无源器件噪声标准值的计算方法，涉及噪声测量技术领域。该方法包括以下步骤：建立无源器件的散射参数‑噪声模型；根据所述无源器件的散射参数‑噪声模型得出所述无源器件的噪声相关矩阵；所述无源器件的噪声相关矩阵中包含无源器件的环境温度；根据所述无源器件的噪声相关矩阵获得所述无源器件的噪声参数标准值；根据所述无源器件的噪声参数标准值得出所述无源器件的噪声系数标准值。上述无源器件噪声标准值的计算方法，能够提高噪声标准值的计算准确度，提升噪声测量系统计量验证水平。
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公开(公告)号：CN106772172B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610985271.6
申请日：2016-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种在片高低温S参数TRL校准件的设计方法，涉及测量电变量或磁变量的方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）在片S参数校准件的设计：针对不同的校准温度，分别设计不同温度的在片S参数校准件，在片S参数校准件采用共面波导传输线结构、TRL形式，包括直通标准件T、反射标准件R、传输线标准件L；2）在片终端电阻的设计。所述方法完成了在片高低温S参数校准件的设计与制作，完成在片校准件在不同温度下的表征，实现了不同温度下在片高低温S参数测试系统的有效校准，确保在片高低温S参数测量结果准确一致，且所述方法操作简单，校准准确度高。
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公开(公告)号：CN104502878B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201410828986.1
申请日：2014-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了种微波GaAs衬底在片S参数微带线TRL校准件,涉及微波/毫米波S参数测试技术领域。包括GaAs衬底层,所述GaAs衬底层下表面连接有金属层,其上表面设有直通标准件Thru、反射标准件Reflect和传输线标准件Line的图形结构,所述直通标准件Thru、反射标准件Reflect和传输线标准件Line的地压点分别通过贯穿GaAs衬底层的接地柱与所述金属层连接,所述GaAs衬底层设有与接地柱相适配的接地通孔。本发明采用与被测件相同的GaAs流片工艺制作。在微波单片电路管芯模型参数提取时使用该校准件,可使校准后的参考平面位于管芯根部,提高模型提取的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108051456A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711203341.9
申请日：2017-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种X‑CT系统用测量夹具，属于测试夹具领域。所述测量夹具包括：样品台，底面设置与扫描转台匹配的定位凹台；载片柱，下部与所述样品台固定连接，且所述载片柱的旋转轴与所述样品台的旋转轴平行，中部为柱体，上部为设置在所述柱体顶面上、与所述柱体成一体结构的透明薄板；胶片，用于粘结待测器件，设置在所述透明薄板的表面。上述技术方案中，透明薄板不会相对样品台产生相对位移，进而微小器件也不会发生位移，测量结果准确、可靠，同时透明薄板减小了对X射线的衰减，实现了用X‑CT高准确度地测量微小器件的结构，填补了微小器件测试夹具的空白。
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公开(公告)号：CN202994854U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201320010837.5
申请日：2013-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本实用新型公开了一种微波低噪声封装器件用噪声参数测试夹具，包括基座、测量块、固定块和滑块，基座内部设置有两条平行滑轨，滑块沿滑轨滑动、并与基座内壁配合，固定块固定于基座端部，基座的另一端设有与驱动滑块滑动的螺杆，测量块置于固定块与滑块之间，测量块上设有与之铰接的中心压块，所述中心压块的中部设有弹性的压紧头。本实用新型用于微波低噪声封装器件的噪声参数测量系统中，从而完成噪声参数的测量。
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公开(公告)号：CN214409087U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202023079835.0
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/067
Abstract: 本实用新型提供了一种小型手动探针台，属于器件测试技术领域，包括底板、载片台、XYZ三轴位移台、显微镜滑台、Z向调整杆以及显微镜；载片台设有真空腔和与真空腔连通的吸附孔；XYZ三轴位移台滑动设于底板上，用于连接并精调探针的位置；XYZ三轴位移台为两组，左右对称设于载片台的两侧；XYZ三轴位移台借助X向直线导轨粗调到载片台的位移；显微镜滑台滑动设于底板上；Z向调整杆固定于显微镜滑台上，用于安装显微镜并精调显微镜的Z向位移；显微镜安装于Z向调整杆上。本实用新型提供的小型手动探针台，结构简单，使用方便，制作成本低，粗调和精调均可手动操作，能够满足芯片测试需要，有利于裸芯片研发阶段成本的降低。
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公开(公告)号：CN204832482U
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201520570171.8
申请日：2015-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本实用新型公开了一种在片S参数共面波导TRL校准件，涉及太赫兹在片S参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底层，所述衬底层的制作材料与被测件的衬底材料相同，所述衬底层的上表面设有直通标准件、反射标准件和传输线标准件，所述衬底的下表面覆盖有金属层，所述直通标准件、反射标准件和传输线标准件的地线分别通过贯穿于衬底层的通孔与金属层连接，所述直通标准件、反射标准件和传输线标准件的地线的探针终点处设有对标标记。校准件校准精度更高，操作更简单，并且避免了去嵌入带来的误差，能够更准确的表征器件特性。
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公开(公告)号：CN207457105U
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201721626135.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/046
Abstract: 本实用新型公开了一种X-CT系统用测量夹具，属于测试夹具领域。所述测量夹具包括：样品台，底面设置与扫描转台匹配的定位凹台；载片柱，下部与所述样品台螺纹连接，且所述载片柱的旋转轴与所述样品台的旋转轴平行，中部为柱体，上部为设置在所述柱体顶面上、与所述柱体成一体结构的透明薄板；胶片，用于粘结待测器件，粘贴在所述透明薄板的表面。上述技术方案中，透明薄板不会相对样品台产生相对位移，进而微小器件也不会发生位移，测量结果准确、可靠，同时透明薄板减小了对X射线的衰减，实现了用X-CT高准确度地测量微小器件的结构，填补了微小器件测试夹具的空白。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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