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    双栅介质层的制作方法
    102.
    发明公开
    双栅介质层的制作方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102931063A

    公开(公告)日：2013-02-13

    申请号：CN201110228673.9

    申请日：2011-08-10

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

    Inventor： 林峰 ,  马春霞 ,  李春旭

    IPC: H01L21/28

    Abstract: 本实施例公开了一种双栅介质层的制作方法，包括：提供基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层表面内的隔离沟槽STI，所述隔离沟槽将高压器件区和低压器件区隔离开；在所述基底表面上形成保护层；去除位于所述高压器件区的保护层材料，暴露出位于所述高压器件区的基底材料；在所述高压器件区的基底表面上形成高压器件的栅介质层；去除位于所述低压器件区的保护层材料，暴露出位于所述低压器件区的基底材料；在所述低压器件区的基底表面上形成低压器件的栅介质层。本发明实施例避免了较厚的栅介质层形成过程中对低压器件区的不良影响，提高了低压工艺平台对高压工艺的兼容度，保证了在工艺集成过程中原有工艺平台的稳定性。

    三步功率沉积铝的半导体填孔方法
    103.
    发明授权
    三步功率沉积铝的半导体填孔方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102054742B

    公开(公告)日：2013-01-30

    申请号：CN200910110494.8

    申请日：2009-11-05

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

    Inventor： 孟昭生 ,  平延磊

    IPC: H01L21/768

    Abstract: 本发明涉及一种半导体的制造方法，一种半导体填孔方法，包括如下步骤：采用第一功率沉积第一层铝；采用低于所述第一功率的第二功率在所述第一层铝上沉积第二层铝；采用第三功率在所述第二层铝上沉积金属连线。实验表明，采用低于所述第一功率的第二功率在所述第一层铝上沉积第二层铝，克服了传统的工艺中铝填孔能力不足，显著地提高了半导体制造中，模塑料层沉积铝的能力，降低了成本。

    一种深沟槽超级PN结的形成方法
    104.
    发明公开
    一种深沟槽超级PN结的形成方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102820212A

    公开(公告)日：2012-12-12

    申请号：CN201110151781.0

    申请日：2011-06-08

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

    Inventor： 吴宗宪 ,  王根毅 ,  袁雷兵 ,  吴芃芃

    IPC: H01L21/18 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/3065

    Abstract: 本发明涉及深沟槽超级PN结的形成方法。该方法包括：在衬底上沉积外延层的沉积步骤；在外延层上依次形成第一介质层、第二介质层的介质形成步骤；在外延层形成深沟槽的深沟槽形成步骤；对深沟槽填充外延材料以充满整个深沟槽并且超过第二介质层的规定高度的填充步骤；利用刻蚀气体刻蚀外延材料、第一介质层和第二介质层直至第一介质层和外延材料的界面处的刻蚀步骤；去除第一介质层、第二介质层以实现外延材料的平坦化的去除步骤。利用本发明，能够使用与现有的工艺兼容的方法实现硅的平坦化，具有工艺简单、效率高、工艺成本低的优点，并能够有效避免利用CMP导致的Si器件参数不稳定的问题。

    跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法
    106.
    发明授权
    跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102082173B

    公开(公告)日：2012-12-05

    申请号：CN200910188535.5

    申请日：2009-12-01

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

    Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  韩广涛

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

    Abstract: 本发明提供一种提高跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法，采用圆环形结构在N型漂移区形成P型同心环，通过调整P型同心环的半径控制P型杂质总量，从而与N型杂质达到电荷平衡，提高跑道形器件结构弯道部分耐压的方式。传统方式是在弯道部分形成简单的PN结，PN结的反向耐压即为器件弯道部分的耐压，这种方式虽然简单，但却使弯道部分不存在沟道，从而浪费了芯片面积。采用该发明不仅可以在跑道形器件结构的弯道部分提高耐压，而且可以在弯道部分保留沟道，使器件电流变大，达到有效利用芯片面积，增大电流，降低导通电阻的目的。

    半导体制造方法
    107.
    发明授权
    半导体制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102082086B

    公开(公告)日：2012-12-05

    申请号：CN200910188534.0

    申请日：2009-12-01

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

    Inventor： 侯欢 ,  王德进 ,  张克云 ,  刘福海

    IPC: H01L21/28

    Abstract: 本发明涉及一种半导体制造方法，首先对光刻胶显影区域上的富硅氧化物进行干法蚀刻；然后选用稀氟化氢溶液，对光刻板显影区域上的富硅氧化物剩余部分进行湿法蚀刻。本发明湿法蚀刻中采用蚀刻速率慢的稀氟化氢溶液对阻挡层光刻胶显影区域硅化物进行蚀刻，在蚀刻去掉阻挡层硅化物时不会在多晶层上产生坑状缺陷，从而解决栅氧化层完整性失效的问题。

    自对准硅化物膜的蚀刻方法
    108.
    发明授权
    自对准硅化物膜的蚀刻方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102082090B

    公开(公告)日：2012-11-21

    申请号：CN200910188532.1

    申请日：2009-12-01

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

    Inventor： 许宗能 ,  蒋昆坤 ,  任小兵 ,  王吉伟

    IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3105

    Abstract: 本发明涉及一种自对准硅化物膜的蚀刻方法，包括：用氧化物蚀刻腔产生经过辉光放电生成的氧气等离子体，对富硅氧化物层进行轰击，来完成反应离子蚀刻，同时清除光刻胶浮渣；用氢氟酸溶液进行湿法蚀刻。上述自对准硅化物膜的蚀刻方法省去了清除浮渣这一步骤，减少了一步工序，降低了生产成本、提高了生产效率。使用氧气作为干法蚀刻的气体，能很好地保护晶圆片有源区；此外因为氧气的成本比传统工艺采用的CF4/CHF3要低，还能降低生产成本。同时由于氧干法蚀刻步骤能一步将富硅氧化物层蚀刻完全，缩短了湿法蚀刻的时间，提高了生产效率；且采用稀氢氟酸溶液的短时间湿法蚀刻不会引起明显钻蚀，提高了产品的稳定性和可靠性。

    腐蚀控制方法
    109.
    发明授权
    腐蚀控制方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102080230B

    公开(公告)日：2012-10-10

    申请号：CN200910188533.6

    申请日：2009-12-01

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

    Inventor： 王军

    IPC: H01L21/00

    Abstract: 本发明涉及一种腐蚀控制方法，包括如下步骤：获取各工序的圆片信息参数，包括干法腐蚀的圆片信息参数；根据圆片信息参数进行腐蚀控制，若所述干法腐蚀的圆片信息参数小于预定值，能够保证等待干法腐蚀的圆片不会发生光刻胶残留，则控制圆片进入湿法腐蚀程序，否则控制圆片继续等待。本发明相对于传统工艺，增加了获取各工序圆片信息参数并进行腐蚀控制的步骤，通过对湿法腐蚀铝的圆片进行控制，实现了铝湿法和干法腐蚀之间的协调，保证了圆片在规定的时间内完成腐蚀工序，防止由于等待干法腐蚀的时间过长造成铝层表面光刻胶的残留，因此提高了芯片的良品率和生产效率，降低了生产成本。

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