公开(公告)号：CN213459734U

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202022429352.2

申请日：2020-10-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 姚二现 ,  谢龙飞 ,  王豹子 ,  李宇柱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。

公开(公告)号：CN220106498U

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202320842283.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 董志意 ,  王蕤

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/13 ,  H01L25/18

Abstract: 本实用新型提供一种IGBT模块的封装结构，针对当前国内外焊接式IGBT模块结构依然按照芯片、焊料、DBC及平面基板常规的方式从内到外组成，在整个封装结构中，芯片热耦合严重，热传递路径散热热耦合同样严重，整个模块的散热效果较差的问题，通过对芯片传热路径中基板进行微型化PressFIT微型化及基板凹槽嵌合技术处理，通过对IGBT模块基板的结构处理，即改变芯片散热通道及热阻，减少芯片及热传递路径耦合，这样可以进一步加大芯片的散热效果，在不超过芯片的最高结温下，通过这一技术可以提高芯片的功率密度，用在变流器中时，可以提供整个变流器单元的功率密度，从而减小IGBT模块的热失效率，提高整个IGBT模块寿命，其IGBT模块鲁棒性也大大加强。

公开(公告)号：CN216849841U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202122886138.4

申请日：2021-11-19

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司

Inventor： 姚晨阳 ,  谢龙飞 ,  杨金龙 ,  柴駪 ,  杨腾飞 ,  孟菊伟

IPC: H01L21/60 ,  B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  B23K1/008

Abstract: 本实用新型公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件，包括端子位置限位，所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上，且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽，所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位，所述DBC限位板放置于一基板上，且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本实用新型能够保证产品的可靠性，提高模块端子焊接的一致性。

公开(公告)号：CN215069972U

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202120780742.6

申请日：2021-04-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  刘克明 ,  王蕤 ,  潘政薇 ,  刘旭光 ,  姚二现 ,  张大华 ,  董长城

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/16

Abstract: 本实用新型公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。