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公开(公告)号：CN1851858A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200510126378.7
申请日：2005-12-08
发明人： 王志升
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F1/12 , C23F4/00
摘要： 本发明涉及半导体加工过程中向半导体加工腔室内注入和扩散气体的系统，包括密封安装在反应腔室上的真空板，与真空板密封相接的喷嘴，该喷嘴穿过与真空板牢固联接的微型电机的空心转轴，真空转轴的端部具有至少一个扩散管，在扩散管上分布有出气孔。该系统改变了半导体刻蚀设备传统的气体注入和扩散方式，改善了气体分布的均匀性，气体的动扩散使趋向均匀性的速度更快，从而有助于在晶片表面的各点上获得更加相近的刻蚀速率。而且注入气路也不复杂。随着以后晶片尺寸的不断增大，将更会体现本技术方案的优越性。
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公开(公告)号：CN1848369A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510126300.5
申请日：2005-12-05
发明人： 荣延栋
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F1/12 , C23F4/00
摘要： 本发明提供了一种新的硅片卸载工艺，包括(1)静电卡盘表面电荷中和；(2)硅片表面残余电荷消除。其中步骤(1)气体流量为200－400sccm，腔室内的压强为60－90mT，上电极功率150－300W；步骤(2)气体流量为200－400sccm，腔室内的压强为60－90mT上电极功率80－150W。利用本发明的工艺，不仅能够缩短硅片卸载时间，提高产量，并且能够减小硅片表面粗糙度，满足先进栅刻蚀工艺的需要。
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公开(公告)号：CN1845298A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510130652.8
申请日：2005-12-16
发明人： 孙亚林
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F1/12 , C23F4/00
摘要： 本发明涉及半导体晶片加工中的刻蚀装置。本发明气流分布均匀的刻蚀装置包括反应室和下电极支撑装置，其中下电极支撑装置由偶数个对称布置的连接套管组成。本发明的积极效果是：由于连接套管是对称布置的，所以气流受到的阻碍也是对称的，于是在晶片上方的气流也具有良好的对称性；另外由于连接套管安装在静电卡盘的下端部位置，气流受阻碍的位置在静电卡盘侧壁与反应室侧壁形成的环形区域内，而在静电卡盘上表面边缘位置处几乎不受到阻碍气流的影响，所以在晶片上方的气流也几乎不会受到影响，这就使得在晶片上方的气流分布非常均匀，这样对等离子体形成均匀场有很好的促成作用，使化学反应速度、刻蚀速率具有较好的均匀性。
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公开(公告)号：CN1214444C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01802037.2
申请日：2001-07-17
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01J37/32862 , C23C16/4405
摘要： 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气，通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体；(2)用于半导体生产设备的净化气，该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到；(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法；(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气，可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。
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公开(公告)号：CN1128893C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN95121846.8
申请日：1995-11-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C23F1/12 , C23F1/08 , H01L21/306
摘要： 一种腐蚀设备，具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室，以及一个腐蚀室。在腐蚀室中，使用氟化卤素气体如ClF3气体的腐蚀，例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀，是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。
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公开(公告)号：CN1386299A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01802037.2
申请日：2001-07-17
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01J37/32862 , C23C16/4405
摘要： 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气,通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体;(2)用于半导体生产设备的净化气,该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到;(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法;(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气,可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。
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公开(公告)号：CN1201078A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN98103699.6
申请日：1998-01-26
申请人： 液体空气乔治洛德方法利用和研究有限公司 , 空气液体美国公司
摘要： 本发明涉及一种对包含金属杂质的液化腐蚀性气体进行提纯的方法。该提纯方法的原理是基于将气相从原料容器以气相方式转移到接纳容器中。可发现,上述方法使金属浓度降低至少100倍,使所形成的浓缩物中的金属杂质值减少。上述气体转移是通过所控制的压差,而不是机械式泵送的方式实现的,从而不会产生颗粒或金属杂质。
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公开(公告)号：CN1136599A
公开(公告)日：1996-11-27
申请号：CN95121846.8
申请日：1995-11-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C23F1/12 , C23F1/08 , H01L21/306
摘要： 一种腐蚀设备，具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室，以及一个腐蚀室。在腐蚀室中，使用氟化卤素气体如ClF3气体的腐蚀，例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀，是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。
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公开(公告)号：CN117924020A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410053061.8
申请日：2019-10-08
申请人： 大金工业株式会社
IPC分类号： C07C23/06 , C07C17/35 , C07C17/358 , C07C21/22 , H01L21/3065 , C23F1/12
摘要： 一种组合物，其含有通式(1)所示的全氟环烯烃化合物和通式(3)所示的全氟炔烃化合物，将组合物总量设为100摩尔％，通式(1)所示的全氟环烯烃化合物的含量为60～99.9摩尔％。式(1)中，R1～R4相同或不同，表示氟原子或全氟烷基。式(3)中，R1～R4同上。#imgabs0#CR12R2‑C≡C‑CR3R42 (3)。
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公开(公告)号：CN116313783A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310520593.3
申请日：2023-05-10
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , C23F1/12 , C23F1/02
摘要： 本申请提供了一种金属的刻蚀方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供基底，基底包括依次层叠的衬底、第一隔离层、金属层以及第二隔离层；然后，去除部分第二隔离层、部分金属层以及部分第一隔离层，使得部分第一隔离层裸露，形成凹槽以及位于凹槽的侧壁上的聚合物层，去除部分金属层采用的刻蚀气体至少包括以下之一：乙烯、甲烷。该方法通过在刻蚀气体中加入乙烯或者甲烷，乙烯或者甲烷在高温高压下可与光阻发生聚合反应，生成聚合物，附着在凹槽的侧壁上聚合物可以避免凹槽的侧壁在刻蚀过程中被侵蚀导致侧壁粗糙而影响半导体器件的性能，进而解决了现有技术中金属刻蚀后的凹槽的侧壁粗糙而导致半导体性能较差的问题。
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